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公開番号2025043318
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-28
出願番号2024158279
出願日2024-09-12
発明の名称CVDフォアライン成長を軽減するための方法およびシステム
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 16/44 20060101AFI20250321BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】CVDフォアライン成長を軽減するための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】本技術の様々な実施形態は、反応チャンバのフォアラインへのバイパスラインを備えたシステムを提供し得る。システムは、フォアラインに連結されたポンプを含み得る。システムは、バイパスラインの上流に圧力流コントローラを含み得る。バイパスラインは、ポンプ入口でフォアラインに連結され得る。バイパスラインは、コンダクタンスが無制限の流れに対して1%～10%である低流量経路を含み得る。バイパスラインは、バイパスライン内の流体(例えば、ガス)を分解するように構成された分解装置を備えることができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
システムであって、
反応チャンバと、
前駆体を含有するように構成された第一の容器であって、前記第一の容器が第一のガスラインで前記反応チャンバに連結されている、第一の容器と、
共反応物質を含有するように構成された第二の容器であって、前記第二の容器が前記反応チャンバに連結されている、第二の容器と、
前記反応チャンバに直接連結された第一の端部および対向する第二の端部を備える、フォアラインと、
第一の接合部で前記フォアラインの前記第二の端部に連結された、ポンプと、
前記反応チャンバの入口に連結された第一のセクションと、前記フォアラインに連結された第二のセクションと、を備える第二のガスラインであって、前記第一のセクションおよび前記第二のセクションが、第二の接合部で互いに接続される、第二のガスラインと、
前記第二の容器と前記第二の接合部との間に連結されたマスフローコントローラと、を備える、システム。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記共反応物質が、オゾン、アンモニア、シラン、またはジシランのうちの一つである、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記第二のガスラインの前記第一のセクションが第一のコンダクタンスを有し、前記第二のセクションが第二のコンダクタンスを有し、前記第一のコンダクタンスが前記第二のコンダクタンスと同じである、請求項１に記載のシステム。
【請求項４】
前記第二のガスラインの前記第一のセクション内の第一の弁と、前記第二のガスラインの前記第二のセクション内の第二の弁と、をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項５】
前記第一および第二の弁に制御信号を送信するように構成された制御ユニットをさらに備える、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記第二のガスラインの前記第二のセクションに連結され、前記共反応物質を分解するように構成される分解装置をさらに備える、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記分解装置が触媒またはヒーターのうちの少なくとも一つを備える、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
システムであって、
反応チャンバと、
前記反応チャンバに直接連結された第一の端部および対向する第二の端部を備えるフォアラインと、
前記フォアラインの前記第二の端部に連結されたポンプと、
前駆体を含有するように構成された第一の容器であって、前記第一の容器が第一のガスラインで前記反応チャンバに連結されている、第一の容器と、
共反応物質を含有するように構成された第二の容器であって、前記第二の容器が前記反応チャンバに連結されている、第二の容器と、
前記反応チャンバの入口に連結された第一のセクション、前記フォアラインに連結された第二のセクション、および前記フォアラインに連結された第三のセクションを備える第二のガスラインであって、前記第一のセクションおよび前記第二のセクションが接合部で互いに接続され、前記第二および第三のセクションが互いに平行である、第二のガスラインと、
前記第二の容器と前記接合部との間に連結された圧力流コントローラと、を備える、システム。
【請求項９】
前記第二のガスラインの前記第一のセクション内の第一の弁と、前記第二のガスラインの前記第二のセクション内の第二の弁と、前記第二のガスラインの前記第三のセクション内の第三の弁と、をさらに備える、請求項８に記載のシステム。
【請求項１０】
前記接合部と前記第三の弁との間の前記第三のセクションに連結された流量制限器をさらに備える、請求項９に記載のシステム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
関連出願の相互参照
本出願は、２０２３年９月１５日に出願され、「ＭＥＴＨＯＤＳＡＮＤＳＹＳＴＥＭＦＯＲＭＩＴＩＧＡＴＩＮＧＣＶＤＦＯＲＥＬＩＮＥＧＲＯＷＴＨ」と題された、米国仮特許出願第６３／５３８，７６２号の非仮特許出願であり、その優先権および利益を主張し、参照により本明細書に援用される。
続きを表示（約 1,300 文字）【０００２】
本開示は概して、ＣＶＤフォアライン成長を軽減するための方法およびシステムに関する。より具体的には、本開示は、圧力コントローラを利用して用量を計量すること、バイパス終端をポンプ入口に隣接して再配置すること、および／またはフォアラインに到達する前に、もしくはフォアライン内でガスを分解することに関する。
【背景技術】
【０００３】
堆積を実施する半導体処理設備は、処理設備の望ましくない領域におけるＣＶＤ成長に悩まされる場合がある。特に、前駆体が共反応物質と共にパルスされるＡＬＤプロセスでは、共反応物質が前駆体と共存することに起因して、フォアラインにおいて過剰なＣＶＤ成長が観察される場合がある。このＣＶＤ成長は、フォアラインの内側壁への接着が悪い低密度の粉末を形成する場合があり、壁から定期的に剥離し、ポンプに運ばれ、ポンプの故障を引き起こす可能性がある。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本技術の様々な実施形態は、反応チャンバのフォアラインへのバイパスラインを備えたシステムを提供し得る。システムは、フォアラインに連結されたポンプを含み得る。システムは、バイパスラインの上流に圧力流コントローラを含み得る。バイパスラインは、ポンプ入口でフォアラインに連結され得る。バイパスラインは、コンダクタンスが１％～１０％である低流量経路を含み得る。
【０００５】
一態様によれば、システムは、反応チャンバと、前駆体を含有するように構成された第一の容器であって、第一の容器が第一のガスラインで反応チャンバに連結される、第一の容器と、共反応物質を含有するように構成された第二の容器であって、第二の容器が反応チャンバに連結される、第二の容器と、反応チャンバに直接的に連結された第一の端部および対向する第二の端部を備えるフォアラインと、フォアラインの第二の端部に第一の接合部で連結されたポンプと、反応チャンバの入口に連結された第一のセクションおよびフォアラインに連結された第二のセクションを備える第二のガスラインであって、第一のセクションおよび第二のセクションは、第二の接合部で互いに接続される、第二のガスラインと、第二の容器と第二の接合部との間に連結されたマスフローコントローラと、を備える。
【０００６】
一実施形態では、共反応物質は、オゾン、アンモニア、シラン、またはジシランのうちの一つである。
【０００７】
一実施形態では、第二のガスラインの第一のセクションは第一のコンダクタンスを有し、第二のセクションは第二のコンダクタンスを有し、第一のコンダクタンスは第二のコンダクタンスと同じである。
【０００８】
一実施形態では、共反応物質は高圧ガス状態を有する。
【０００９】
一実施形態では、システムは、第二のガスラインの第一のセクション内の第一の弁と、第二のガスラインの第二のセクション内の第二の弁とをさらに備える。
【００１０】
一実施形態では、システムは、制御信号を第一および第二の弁に送信するように構成された制御ユニットをさらに備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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