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公開番号2024073943
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-30
出願番号2022184940
出願日2022-11-18
発明の名称成膜装置及び成膜方法
出願人キヤノントッキ株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類C23C 14/52 20060101AFI20240523BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】製造効率を大きく低下させることなく、膜厚を測定可能な技術を提供する。
【解決手段】チャンバ内において支持手段に支持された基板に、マスクを介して蒸着物質を放出し、該基板に膜を成膜する蒸着手段を備えた成膜装置であって、前記基板が前記支持手段に支持された状態で、前記基板に成膜された膜の膜厚を測定する膜厚測定手段を備え、前記蒸着手段は、前記基板の第一の領域に前記マスクを重ねた状態で前記基板に膜を成膜し、前記蒸着手段は、前記基板が前記チャンバ内にある状態のまま、前記基板の第二の領域に前記マスクが重なるように前記マスクと前記基板とが相対的に移動された後に、前記基板に膜を成膜し、前記膜厚測定手段は、前記第一の領域の成膜後、前記第二の領域の成膜完了までに、前記第一の領域の膜厚を測定する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
チャンバ内において基板を支持する支持手段と、
前記支持手段に支持された前記基板に、マスクを介して蒸着物質を放出し、該基板に膜を成膜する蒸着手段と、
を備えた成膜装置であって、
前記基板が前記支持手段に支持された状態で、前記基板に成膜された膜の膜厚を測定する膜厚測定手段を備え、
前記蒸着手段は、前記基板の第一の領域に前記マスクを重ねた状態で前記基板に膜を成膜し、
前記蒸着手段は、前記基板が前記チャンバ内にある状態のまま、前記基板の第二の領域に前記マスクが重なるように前記マスクと前記基板とが相対的に移動された後に、前記基板に膜を成膜し、
前記膜厚測定手段は、前記第一の領域の成膜後、前記第二の領域の成膜完了までに、前記第一の領域の膜厚を測定する、
ことを特徴とする成膜装置。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記膜厚測定手段は、前記第二の領域の成膜中に、前記第一の領域の膜厚を測定する、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項３】
請求項２に記載の成膜装置であって、
前記第二の領域の成膜中に、前記第一の領域を前記蒸着手段に対して遮蔽する遮蔽手段を備える、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項４】
請求項２に記載の成膜装置であって、
前記膜厚測定手段の測定結果に基づいて、別の基板の成膜条件が設定される、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項５】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記膜厚測定手段は、前記第一の領域の成膜後、前記第二の領域の成膜開始前に、前記第一の領域の膜厚を測定し、
前記膜厚測定手段の測定結果に基づいて、前記第二の領域の成膜条件が設定される、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項６】
請求項１に記載の成膜装置であって、
前記膜厚測定手段は、
前記第一の領域に光を照射する発光素子と、
前記第一の領域からの反射光を受光素子と、を含む、
ことを特徴とする成膜装置。
【請求項７】
マスクを介して基板に蒸着物質を放出し、該基板に膜を成膜する成膜工程と、
前記基板に成膜された膜の膜厚を測定する膜厚測定工程と、
を備えた成膜方法であって、
前記成膜工程は、
前記基板の第一の領域に前記マスクを重ねた状態で前記基板に膜を成膜する第一領域成膜工程と、
前記第一領域成膜工程の後に、前記基板がチャンバ内にある状態のまま、前記基板の第二の領域に前記マスクが重なるように前記マスクと前記基板とを相対的に移動する移動工程と、
前記移動工程の後に、前記基板の前記第二の領域に前記マスクを重ねた状態で前記基板に膜を成膜する第二領域成膜工程と、を含み
前記膜厚測定工程では、前記第一の領域の成膜後、前記第二の領域の成膜完了までに、前記第一の領域の膜厚を測定する、
ことを特徴とする成膜方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は基板の成膜技術に関する。
続きを表示（約 1,800 文字）【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬディスプレイ等の製造においては、マスクを用いて基板上に蒸着物質が成膜される。製造装置の一例として、特許文献１には、蒸着室と検査室とを備えたクラスタ型の製造装置が開示されている。蒸着室で基板に成膜を行った後、基板を検査室に搬送して膜厚が測定される。測定結果はその後の成膜条件に反映される。また、基板の大型化に伴い、基板全面の成膜を同時に行うことが困難な場合がある。特許文献２には、基板の複数の領域毎に成膜を行うこと装置が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００５－３２２６１２号公報
特開２０２１－１０２８１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１のように膜厚を測定することにより、その後の成膜における成膜条件を改善することができる。しかし、特許文献１の装置では、膜厚測定のために蒸着室から検査室に基板を搬送する必要があり、検査に要する時間が長くなって、製造効率が低下する。
【０００５】
本発明は、製造効率を大きく低下させることなく、膜厚を測定可能な技術を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明によれば、
チャンバ内において基板を支持する支持手段と、
前記支持手段に支持された前記基板に、マスクを介して蒸着物質を放出し、該基板に膜を成膜する蒸着手段と、
を備えた成膜装置であって、
前記基板が前記支持手段に支持された状態で、前記基板に成膜された膜の膜厚を測定する膜厚測定手段を備え、
前記蒸着手段は、前記基板の第一の領域に前記マスクを重ねた状態で前記基板に膜を成膜し、
前記蒸着手段は、前記基板が前記チャンバ内にある状態のまま、前記基板の第二の領域に前記マスクが重なるように前記マスクと前記基板とが相対的に移動された後に、前記基板に膜を成膜し、
前記膜厚測定手段は、前記第一の領域の成膜後、前記第二の領域の成膜完了までに、前記第一の領域の膜厚を測定する、
ことを特徴とする成膜装置が提供される。
【発明の効果】
【０００７】
本発明によれば、製造効率を大きく低下させることなく、膜厚を測定可能な技術を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
電子デバイスの製造ラインの一部の模式図。
本発明の一実施形態に係る成膜装置の概略図。
図２のIII－III線断面図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）及び（Ｂ）は図２の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）～（Ｄ）は別の成膜装置の動作説明図。
（Ａ）は有機ＥＬ表示装置の全体図、（Ｂ）は１画素の断面構造を示す図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
以下、添付図面を参照して実施形態を詳しく説明する。尚、以下の実施形態は特許請求の範囲に係る発明を限定するものではない。実施形態には複数の特徴が記載されているが、これらの複数の特徴の全てが発明に必須のものとは限らず、また、複数の特徴は任意に組み合わせられてもよい。さらに、添付図面においては、同一若しくは同様の構成に同一の参照番号を付し、重複した説明は省略する。
【００１０】
＜第一実施形態＞
＜電子デバイスの製造ライン＞
図１は、本発明の成膜装置が適用可能な電子デバイスの製造ラインの構成の一部を示す模式図である。図１の製造ラインは、例えば、スマートフォン用の有機ＥＬ表示装置の表示パネルの製造に用いられるもので、基板１０１が成膜ブロック３０１に順次搬送され、基板１０１に有機ＥＬの成膜が行われる。
（【００１１】以降は省略されています）

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