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公開番号2024123668
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-12
出願番号2023031276
出願日2023-03-01
発明の名称ターゲットおよび黒化膜
出願人大同特殊鋼株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 14/34 20060101AFI20240905BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】低い反射率で、高温高湿下でも変色し難い長期耐食性を有し且つ電気比抵抗を低減させた黒化膜を形成するのに好適なスパッタリング用のターゲットを提供する。
【解決手段】スパッタリング用のターゲットは、Cu_aNi_bCo_cで表される組成を有し、前記a,b,cはそれぞれCu,Ni,Coの比率をat%で示し、a=100-b-c、5≦b≦20、0.1≦c≦10、c<bである。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
Ｃｕ
a
Ｎｉ
b
Ｃｏ
c
で表される組成を有し、
前記ａ，ｂ，ｃはそれぞれＣｕ，Ｎi，Ｃoの比率をａｔ％で示し、
ａ＝１００－ｂ－ｃ、
５≦ｂ≦２０、
０．１≦ｃ≦１０、
ｃ＜ｂ、
であることを特徴とするスパッタリング用のターゲット。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
組成が（Ｃｕ
a
Ｎｉ
b
Ｃｏ
c
）
100-z
（Ｏ
x
Ｎ
y
）
z
で表される金属酸窒化物からなり、前記ａ，ｂ，ｃはそれぞれ金属元素中のＣｕ，Ｎi，Ｃoの比率をａｔ％で示し、前記ｘ，ｙはそれぞれ非金属元素中のＯ，Ｎの比率をａｔ％で示し、前記ｚは膜中の非金属元素の比率をａｔ％で示し、
ａ＝１００－ｂ－ｃ、
５≦ｂ＜１５、
０．１≦ｃ≦１０、
ｃ＜ｂ、
２≦ｘ≦８、
ｙ＝１００－ｘ、
４０≦ｚ≦６０
であることを特徴とする黒化膜。
【請求項３】
組成が（Ｃｕ
a
Ｎｉ
b
Ｃｏ
c
）
100-z
（Ｏ
x
Ｎ
y
）
z
で表される金属酸窒化物からなり、前記ａ，ｂ，ｃはそれぞれ金属元素中のＣｕ，Ｎi，Ｃoの比率をａｔ％で示し、前記ｘ，ｙはそれぞれ非金属元素中のＯ，Ｎの比率をａｔ％で示し、前記ｚは膜中の非金属元素の比率をａｔ％で示し、
ａ＝１００－ｂ－ｃ、
１５≦ｂ≦２０、
０．１≦ｃ≦１０、
ｃ＜ｂ、
４≦ｘ≦６、
ｙ＝１００－ｘ、
４０≦ｚ≦６０
であることを特徴とする黒化膜。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
この発明は、スパッタリング用のターゲットおよびこのターゲットを用いて好適に形成することができる黒化膜に関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
タッチパネルは、液晶パネルで代表される表示装置（ディスプレイ装置）の上面にタッチ操作検出用のセンサ（タッチパネルセンサ）を重ねて、表示と入力の２つの機能を融合した装置である。このタッチパネルでは、操作者が画面上の表示をタッチ操作すると、操作された位置の情報が外部に信号として出力され、そして外部装置が操作位置の位置情報に基づいて操作者が望む適切な動作を行う。
【０００３】
従来よりタッチパネルセンサにおいては、電極として透明なＩＴＯ（ＩｎｄｉｕｍＴｉｎＯｘｉｄｅ：酸化インジウムスズ）電極が用いられているが、ＩＴＯは、電気比抵抗が高く、また曲げ性にも劣るため、近年におけるタッチパネルの大型化や曲面化に十分対応できない問題を有している。
そのため、ＩＴＯよりも電気比抵抗や曲げ性に優れるＣｕやＡｌをメッシュ状に加工したメタルメッシュ配線が使用され始めてきている。この金属線を用いた金属電極の場合、金属線が不透明で金属光沢を有することから、外部からの光がこの金属線に当って反射し、その反射光によって表示部に対する視認性が低下することが問題とされている。そして、この問題を解決する手段として、金属線の表面に反射低減膜としての黒化膜を形成することが提案されている（下記特許文献１，２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１６－２１６７９５号公報
特開２０１６－２１６７９７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、反射低減膜としての黒化膜は、今後、車載用途での適用の拡大が予想されており、高温高湿下でも膜面が変色し難い長期耐食性が求められている。例えば上記特許文献１に記載された黒化膜はＣｕＮｉＷ合金の酸化物、また特許文献２に記載された黒化膜はＣｕＮｉＭｏ合金の酸化物から成るものであるが、これら公知の黒化膜においては十分な長期耐食性は得られていない。
【０００６】
また金属電極として機能する金属層の表面に設けられた黒化膜の電気比抵抗が高くなってしまうと、金属層と他の配線との電気的な接続が黒化膜により阻害されてしまうため、黒化膜においては反射率や長期耐食性の改善のほか、電気比抵抗を低減させることも求められている。
【０００７】
本発明は以上のような事情を背景とし、低い反射率で、高温高湿下でも変色し難い長期耐食性を有し且つ電気比抵抗を低減させた黒化膜を提供すること、および、この黒化膜を形成するのに好適なスパッタリング用のターゲットを提供することを目的としてなされたものである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
而してこの発明の第１の局面の黒化膜は次のように規定される。即ち、
組成が（Ｃｕ
a
Ｎｉ
b
Ｃｏ
c
）
100-z
（Ｏ
x
Ｎ
y
）
z
で表される金属酸窒化物からなり、前記ａ，ｂ，ｃはそれぞれ金属元素中のＣｕ，Ｎi，Ｃoの比率をａｔ％で示し、前記ｘ，ｙはそれぞれ非金属元素中のＯ，Ｎの比率をａｔ％で示し、前記ｚは膜中の非金属元素の比率をａｔ％で示し、
ａ＝１００－ｂ－ｃ、５≦ｂ＜１５、０．１≦ｃ≦１０、ｃ＜ｂ、２≦ｘ≦８、ｙ＝１００－ｘ、４０≦ｚ≦６０である。
このように規定された第１の局面の黒化膜によれば、低い反射率で、高温高湿下でも変色し難い長期耐食性を有し且つ電気比抵抗を低減させた黒化膜を提供することができる。
【０００９】
この発明の第２の局面の黒化膜は次のように規定される。即ち、
組成が（Ｃｕ
a
Ｎｉ
b
Ｃｏ
c
）
100-z
（Ｏ
x
Ｎ
y
）
z
で表される金属酸窒化物からなり、前記ａ，ｂ，ｃはそれぞれ金属元素中のＣｕ，Ｎi，Ｃoの比率をａｔ％で示し、前記ｘ，ｙはそれぞれ非金属元素中のＯ，Ｎの比率をａｔ％で示し、前記ｚは膜中の非金属元素の比率をａｔ％で示し、
ａ＝１００－ｂ－ｃ、１５≦ｂ≦２０、０．１≦ｃ≦１０、ｃ＜ｂ、４≦ｘ≦６、ｙ＝１００－ｘ、４０≦ｚ≦６０である。
このように規定された第２の局面の黒化膜においても、低い反射率で、高温高湿下でも変色し難い長期耐食性を有し且つ電気比抵抗を低減させた黒化膜を提供することができる。
【００１０】
この発明の第３の局面のターゲットは次のように規定される。即ち、
Ｃｕ
a
Ｎｉ
b
Ｃｏ
c
で表される組成を有し、前記ａ，ｂ，ｃはそれぞれＣｕ，Ｎi，Ｃoの比率をａｔ％で示し、
ａ＝１００－ｂ－ｃ、５≦ｂ≦２０、０．１≦ｃ≦１０、ｃ＜ｂである。
このように規定された第３の局面のスパッタリング用のターゲットを用いることで、上記第１または第２の局面の黒化膜を、スパッタ装置を用いた反応性スパッタリングにて好適に成膜することができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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