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公開番号2024063929
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-14
出願番号2022172124
出願日2022-10-27
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20240507BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】デッドタイムの増加を抑制する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が基板の第1面上に接して設けられる第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、及び第4トランジスタと、各々が基板の第1面の上方に設けられる第1発光素子及び第2発光素子と、基板の第1面と第1発光素子との間に設けられ、第1発光素子の発光状態に応じて、第1トランジスタ及び第2トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第1受光素子と、基板の第1面と第2発光素子との間の上方に設けられ、第2発光素子の発光状態に応じて、第3トランジスタ及び第4トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第2受光素子と、を備え、第1発光素子及び第2発光素子は、第1発光素子及び第2発光素子のうちいずれか一方を点灯状態にする際に、他方を消灯状態にするように構成される。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
各々が前記基板の第１面上に接して設けられる第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、及び第４トランジスタと、
各々が前記基板の第１面の上方に設けられる第１発光素子及び第２発光素子と、
前記基板の第１面と前記第１発光素子との間に設けられ、前記第１発光素子の発光状態に応じて、前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第１受光素子と、
前記基板の第１面と前記第２発光素子との間に設けられ、前記第２発光素子の発光状態に応じて、前記第３トランジスタ及び前記第４トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第２受光素子と、
を備え、
前記第１発光素子及び前記第２発光素子は、
前記第１発光素子及び前記第２発光素子のうちいずれか一方を点灯状態にする際に、他方を消灯状態にする
ように構成された半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、前記第４トランジスタ、前記第１発光素子、前記第２発光素子、前記第１受光素子、及び前記第２受光素子が、封止剤によって封止される、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
第１接着層及び第２接着層をさらに備え、
前記第１発光素子は、前記第１発光素子の照射面が前記第１受光素子の受光面と対向するように、前記第１受光素子の上方に設けられ、
前記第２発光素子は、前記第２発光素子の照射面が前記第２受光素子の受光面と対向するように、前記第２受光素子の上方に設けられ、
前記第１接着層は、前記第１発光素子及び前記第１受光素子の間において、前記第１発光素子の照射面、及び前記第１受光素子の受光面に接し、
前記第２接着層は、前記第２発光素子及び前記第２受光素子の間において、前記第２発光素子の照射面及び前記第２受光素子の受光面に接する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１接着層及び前記第２接着層は光透過性を有する絶縁フィルムである、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１受光素子は、前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタのうち少なくともいずれか１つの上面に設けられる部分を含み、
前記第２受光素子は、前記第３トランジスタ及び前記第４トランジスタのうち少なくともいずれか１つの上面に設けられる部分を含む、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１トランジスタ、前記第２トランジスタ、前記第３トランジスタ、及び前記第４トランジスタは、同一のチップに形成される、
請求項１乃至請求項５のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１トランジスタ、及び前記第２トランジスタは、第１チップに形成され、
前記第３トランジスタ、及び前記第４トランジスタは、前記第１チップとは異なる第２チップに形成される、
請求項１乃至請求項５のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１トランジスタのドレイン、及び前記第２トランジスタのドレインは１つの共通する第１ドレインとして設けられ、
前記第３トランジスタのドレイン、及び前記第４トランジスタのドレインは、前記第１ドレインとは異なる、１つの共通する第２ドレインとして設けられる、
請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１受光素子、及び前記第２受光素子は、同一のチップに形成される、
請求項１乃至請求項５のいずれか一項記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、複数のリレー部を含む駆動装置が知られる。複数のリレー部の各々は、発光素子及び受光素子を含む。複数のリレー部の各々は、無接点のリレーであり、交流信号や直流信号の伝送に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１０－０２８７１１号公報
特開２００４－１７９２４４号公報
特開２０１９－０２１９５９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
デッドタイムの増加を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が上記基板の第１面上に接して設けられる第１トランジスタ、第２トランジスタ、第３トランジスタ、及び第４トランジスタと、各々が上記基板の第１面の上方に設けられる第１発光素子及び第２発光素子と、上記基板の第１面と上記第１発光素子との間に設けられ、上記第１発光素子の発光状態に応じて、上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第１受光素子と、上記基板の第１面と上記第２発光素子との間に設けられ、上記第２発光素子の発光状態に応じて、上記第３トランジスタ及び上記第４トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第２受光素子と、を備え、上記第１発光素子及び上記第２発光素子は、上記第１発光素子及び上記第２発光素子のうちいずれか一方を点灯状態にする際に、他方を消灯状態にするように構成される。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を説明するための回路図。
実施形態に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
実施形態に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
実施形態に係る半導体装置、及び比較例に係る半導体装置のそれぞれを用いた場合の半導体装置のデッドタイムを説明するためのグラフ。
第１変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第２変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第３変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第４変形例に係る半導体装置の回路構成の一例を説明するための回路図。
第４変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第４変形例に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
その他の実施形態に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、共通する参照符号を付す。また、図面の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【０００８】
１実施形態
実施形態に係る半導体装置について説明する。
【０００９】
実施形態に係る半導体装置は、２つのリレー部を含む駆動装置である。各リレー部は、例えば交流信号や直流信号の伝送の状態を制御する。実施形態に係る半導体装置は、電子部品のパッケージである。なお、以下の説明において、交流信号及び直流信号を単に信号とも呼ぶ。
【００１０】
実施形態に係る半導体装置の構成の一例について、図１を用いて説明する。図１は、実施形態に係る半導体装置の構成の一例を説明するための回路図である。
（【００１１】以降は省略されています）

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