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公開番号
2024063929
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-05-14
出願番号
2022172124
出願日
2022-10-27
発明の名称
半導体装置
出願人
株式会社東芝
,
東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人
弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類
H01L
25/07 20060101AFI20240507BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】デッドタイムの増加を抑制する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が基板の第1面上に接して設けられる第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、及び第4トランジスタと、各々が基板の第1面の上方に設けられる第1発光素子及び第2発光素子と、基板の第1面と第1発光素子との間に設けられ、第1発光素子の発光状態に応じて、第1トランジスタ及び第2トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第1受光素子と、基板の第1面と第2発光素子との間の上方に設けられ、第2発光素子の発光状態に応じて、第3トランジスタ及び第4トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第2受光素子と、を備え、第1発光素子及び第2発光素子は、第1発光素子及び第2発光素子のうちいずれか一方を点灯状態にする際に、他方を消灯状態にするように構成される。
【選択図】図2
特許請求の範囲
【請求項1】
基板と、
各々が前記基板の第1面上に接して設けられる第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、及び第4トランジスタと、
各々が前記基板の第1面の上方に設けられる第1発光素子及び第2発光素子と、
前記基板の第1面と前記第1発光素子との間に設けられ、前記第1発光素子の発光状態に応じて、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第1受光素子と、
前記基板の第1面と前記第2発光素子との間に設けられ、前記第2発光素子の発光状態に応じて、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第2受光素子と、
を備え、
前記第1発光素子及び前記第2発光素子は、
前記第1発光素子及び前記第2発光素子のうちいずれか一方を点灯状態にする際に、他方を消灯状態にする
ように構成された半導体装置。
続きを表示(約 1,100 文字)
【請求項2】
前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ、前記第4トランジスタ、前記第1発光素子、前記第2発光素子、前記第1受光素子、及び前記第2受光素子が、封止剤によって封止される、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
第1接着層及び第2接着層をさらに備え、
前記第1発光素子は、前記第1発光素子の照射面が前記第1受光素子の受光面と対向するように、前記第1受光素子の上方に設けられ、
前記第2発光素子は、前記第2発光素子の照射面が前記第2受光素子の受光面と対向するように、前記第2受光素子の上方に設けられ、
前記第1接着層は、前記第1発光素子及び前記第1受光素子の間において、前記第1発光素子の照射面、及び前記第1受光素子の受光面に接し、
前記第2接着層は、前記第2発光素子及び前記第2受光素子の間において、前記第2発光素子の照射面及び前記第2受光素子の受光面に接する、
請求項1記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第1接着層及び前記第2接着層は光透過性を有する絶縁フィルムである、
請求項3記載の半導体装置。
【請求項5】
前記第1受光素子は、前記第1トランジスタ及び前記第2トランジスタのうち少なくともいずれか1つの上面に設けられる部分を含み、
前記第2受光素子は、前記第3トランジスタ及び前記第4トランジスタのうち少なくともいずれか1つの上面に設けられる部分を含む、
請求項3記載の半導体装置。
【請求項6】
前記第1トランジスタ、前記第2トランジスタ、前記第3トランジスタ、及び前記第4トランジスタは、同一のチップに形成される、
請求項1乃至請求項5のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項7】
前記第1トランジスタ、及び前記第2トランジスタは、第1チップに形成され、
前記第3トランジスタ、及び前記第4トランジスタは、前記第1チップとは異なる第2チップに形成される、
請求項1乃至請求項5のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項8】
前記第1トランジスタのドレイン、及び前記第2トランジスタのドレインは1つの共通する第1ドレインとして設けられ、
前記第3トランジスタのドレイン、及び前記第4トランジスタのドレインは、前記第1ドレインとは異なる、1つの共通する第2ドレインとして設けられる、
請求項7記載の半導体装置。
【請求項9】
前記第1受光素子、及び前記第2受光素子は、同一のチップに形成される、
請求項1乃至請求項5のいずれか一項記載の半導体装置。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,500 文字)
【背景技術】
【0002】
半導体装置として、複数のリレー部を含む駆動装置が知られる。複数のリレー部の各々は、発光素子及び受光素子を含む。複数のリレー部の各々は、無接点のリレーであり、交流信号や直流信号の伝送に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2010-028711号公報
特開2004-179244号公報
特開2019-021959号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
デッドタイムの増加を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が上記基板の第1面上に接して設けられる第1トランジスタ、第2トランジスタ、第3トランジスタ、及び第4トランジスタと、各々が上記基板の第1面の上方に設けられる第1発光素子及び第2発光素子と、上記基板の第1面と上記第1発光素子との間に設けられ、上記第1発光素子の発光状態に応じて、上記第1トランジスタ及び上記第2トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第1受光素子と、上記基板の第1面と上記第2発光素子との間に設けられ、上記第2発光素子の発光状態に応じて、上記第3トランジスタ及び上記第4トランジスタをオン状態又はオフ状態にする第2受光素子と、を備え、上記第1発光素子及び上記第2発光素子は、上記第1発光素子及び上記第2発光素子のうちいずれか一方を点灯状態にする際に、他方を消灯状態にするように構成される。
【図面の簡単な説明】
【0006】
実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を説明するための回路図。
実施形態に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
実施形態に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
実施形態に係る半導体装置、及び比較例に係る半導体装置のそれぞれを用いた場合の半導体装置のデッドタイムを説明するためのグラフ。
第1変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第2変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第3変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第4変形例に係る半導体装置の回路構成の一例を説明するための回路図。
第4変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第4変形例に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
その他の実施形態に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、共通する参照符号を付す。また、図面の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【0008】
1 実施形態
実施形態に係る半導体装置について説明する。
【0009】
実施形態に係る半導体装置は、2つのリレー部を含む駆動装置である。各リレー部は、例えば交流信号や直流信号の伝送の状態を制御する。実施形態に係る半導体装置は、電子部品のパッケージである。なお、以下の説明において、交流信号及び直流信号を単に信号とも呼ぶ。
【0010】
実施形態に係る半導体装置の構成の一例について、図1を用いて説明する。図1は、実施形態に係る半導体装置の構成の一例を説明するための回路図である。
(【0011】以降は省略されています)
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