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公開番号2024134289
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-03
出願番号2023044514
出願日2023-03-20
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240926BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】上面を有するダイパッドと、上面の上に設けられ、素子領域と、素子領域を取り囲む終端領域と、を有し、矩形形状を有する半導体チップと、半導体チップの上に設けられた第1電極と、半導体チップの上に設けられた第2電極と、終端領域の上に設けられ、上から見たときに矩形形状の4辺のそれぞれを覆う部分を有し、第1電極と電気的に接続された第1コネクタと、半導体チップ及び第1コネクタの周囲を封止する封止樹脂と、を備える半導体装置である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
上面を有するダイパッドと、
前記上面の上に設けられ、
素子領域と、
前記素子領域を取り囲む終端領域と、
を有し、矩形形状を有する半導体チップと、
前記半導体チップの上に設けられた第１電極と、
前記半導体チップの上に設けられた第２電極と、
前記終端領域の上に設けられ、上から見たときに前記矩形形状の４辺のそれぞれを覆う部分を有し、前記第１電極と電気的に接続された第１コネクタと、
前記半導体チップ及び前記第１コネクタの周囲を封止する封止樹脂と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 1,500 文字）【請求項２】
前記第１コネクタは、上から見たときに前記矩形形状の少なくとも３辺を完全に覆う、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１コネクタは、前記半導体チップから外側にはみ出た庇部分を有し、
前記庇部分と前記上面の距離は、
前記半導体チップの上の前記第１コネクタと前記上面の距離より短い、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１コネクタは、前記半導体チップから外側にはみ出た庇部分を有し、
前記庇部分と前記上面の距離は、
前記半導体チップの上の前記第１コネクタと前記上面の距離より長い、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ダイパッドと離間して設けられた第１ポストと、
前記ダイパッド及び前記第１ポストと離間して設けられた第２ポストと、
を備え、
前記第１コネクタは、前記第１ポストに電気的に接続され、
前記第１コネクタは、前記第２電極の上に設けられた第１貫通孔を有し、
前記第２ポストは前記第１貫通孔を通る導電体を用いて前記第２電極と電気的に接続されている、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記ダイパッドと離間して設けられた第２ポストと、
前記第２電極に接続された第１部分と、
前記第１部分に接続された第２部分であって、前記第１部分と前記上面の距離よりも前記第２部分と前記上面の距離の方が長い前記第２部分と、
を有し、前記第２ポストに電気的に接続された第２コネクタと、
をさらに備える請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記ダイパッドと離間して設けられた第１ポストと、
前記ダイパッド及び前記第１ポストと離間して設けられた第２ポストと、
を備え、
前記第１コネクタは、上から見たときに前記矩形形状の４辺を完全に覆い、
前記第１コネクタは、前記素子領域の上に設けられた第２貫通孔を有し、
前記第１コネクタは、前記第１ポストに電気的に接続され、
前記第１電極は、前記第１ポストと、前記第２貫通孔を通る第２ワイヤを用いて電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第２貫通孔を介して、前記第２ポストと、前記第２貫通孔を通る第３ワイヤを用いて電気的に接続された、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記ダイパッドと離間して設けられた第１ポストと、
前記ダイパッド及び前記第１ポストと離間して設けられた第２ポストと、
を備え、
前記第１コネクタは、上から見たときに前記矩形形状の４辺を完全に覆い、
前記第１コネクタは、前記素子領域の上に設けられた第２貫通孔を有し、
前記第１コネクタは、前記素子領域の上で接合材を介して前記第１電極と電気的に接続され、
前記第１電極は、前記第１ポストと、前記第２貫通孔を通る第２ワイヤを用いて電気的に接続され、
前記第２電極は、前記第２ポストと、前記第２貫通孔を通る第３ワイヤを用いて電気的に接続された、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記ダイパッドと離間して設けられた第２ポストと、
前記第１コネクタが有するスリット内に設けられ、前記第２電極と前記第２ポストを電気的に接続する第２コネクタと、
をさらに備える請求項１記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
ＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）などの半導体チップを有する半導体装置は、電力変換等の用途に用いられる。例えば、上述の半導体装置が縦型のＭＯＳＦＥＴである場合、半導体チップの上面に設けられたソース電極は、例えばＭＯＳＦＥＴの上に設けられたコネクタと接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－０４００５５号公報
特許第６９４５０３７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、信頼性の高い半導体装置を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、上面を有するダイパッドと、上面の上に設けられ、素子領域と、素子領域を取り囲む終端領域と、を有し、矩形形状を有する半導体チップと、半導体チップの上に設けられた第１電極と、半導体チップの上に設けられた第２電極と、終端領域の上に設けられ、上から見たときに矩形形状の４辺のそれぞれを覆う部分を有し、第１電極と電気的に接続された第１コネクタと、半導体チップ及び第１コネクタの周囲を封止する封止樹脂と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態の半導体装置の模式上面図である。
第１実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第１実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第１実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第１実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第１実施形態の比較形態となる半導体装置の模式上面図である。
第１実施形態の比較形態となる半導体装置の模式断面図である。
第２実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第３実施形態の半導体装置の模式断面図である。
第４実施形態の半導体装置の模式上面図である。
第５実施形態の半導体装置の模式上面図である。
第６実施形態の半導体装置の模式上面図である。
第７実施形態の半導体装置の模式上面図である。
第８実施形態の半導体装置の模式上面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、図面を参照しつつ本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明では、同一の部材等には同一の符号を付し、一度説明した部材等については適宜その説明を省略する。
【０００８】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
【０００９】
（第１実施形態）
本実施形態の半導体装置は、上面を有するダイパッドと、上面の上に設けられ、素子領域と、素子領域を取り囲む終端領域と、を有し、矩形形状を有する半導体チップと、半導体チップの上に設けられた第１電極と、半導体チップの上に設けられた第２電極と、終端領域の上に設けられ、上から見たときに矩形形状の４辺のそれぞれを覆う部分を有し、第１電極と電気的に接続された第１コネクタと、半導体チップ及び第１コネクタの周囲を封止する封止樹脂と、を備える。
【００１０】
図１は、本実施形態の半導体装置１００の模式上面図である。図２は、図１におけるＡ－Ａ’断面の模式図である。図３は、図１におけるＢ－Ｂ’断面の模式図である。図４は、図１におけるＣ－Ｃ’断面の模式図である。図５は、本実施形態の半導体装置１００の模式断面図である。図５においては、封止樹脂９８があわせて図示されている。なお、以下の図面においては、封止樹脂９８の図示が省略されることがある。
（【００１１】以降は省略されています）

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