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公開番号2024134134
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-10-03
出願番号2023044261
出願日2023-03-20
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 21/52 20060101AFI20240926BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】信頼性が高い半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、ペレットと、ペレットを第1方向に挟む第1導電体及び第2導電体と、ペレット及び第1導電体を接合する第1接合材と、ペレット及び第2導電体を接合する第2接合材と、を備える。第1導電体のペレットと対向する第1面は、窪みを有する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
ペレットと、
前記ペレットを第１方向に挟む第１導電体及び第２導電体と、
前記ペレット及び前記第１導電体を接合する第１接合材と、
前記ペレット及び前記第２導電体を接合する第２接合材と、
を備え、
前記第１導電体の前記ペレットと対向する第１面は、窪みを有する、
半導体装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記窪みは、前記第１方向に見て、前記ペレットと重なりかつ前記ペレットよりも小さい、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１導電体の前記第１面は、前記第１方向に見て前記ペレットと重なる領域のうち前記窪みの外の領域において、突起を有する、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電体の前記第１面は、前記窪みの側面から前記第１方向に見て前記ペレットと重ならない領域に延びる溝を有する、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記窪みは、前記第１方向に見て、
前記ペレットより大きく、
前記ペレットの中央部と重なる第１領域と、前記ペレットの縁部及び前記ペレットの外側と重なる第２領域と、を含み、
前記窪みの深さは、前記第１領域の方が前記第２領域よりも深い、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１導電体の前記第１面は、前記第２領域のうち前記第１方向に見て前記ペレットと重なる領域において、突起を有する、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１接合材及び前記第２接合材は、半田を含む、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１接合材は、球状のニッケルを含む、
請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１方向に見て前記窪みと重なる領域において、前記第１接合材の厚さは、１００μｍ以上である、
請求項１乃至請求項６のいずれか１項記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記突起の高さは、１００μｍ未満である、
請求項３又は請求項６記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
接合材を介してペレットの上下面が導電体と接続される構造の半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－１６６０３号公報
特開２０１２－１０４７０９号公報
特開２００７－９６０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
信頼性の高い半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、ペレットと、上記ペレットを第１方向に挟む第１導電体及び第２導電体と、上記ペレット及び上記第１導電体を接合する第１接合材と、上記ペレット及び上記第２導電体を接合する第２接合材と、を備える。上記第１導電体の上記ペレットと対向する第１面は、窪みを有する。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態に係る半導体装置の外観の一例を示す斜視図。
第１実施形態に係る半導体装置の内部構造の一例を示す分解図。
第１実施形態に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第１実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図。
第２実施形態に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第２実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図５のＶＩ－ＶＩ線に沿った断面図。
第３実施形態に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第３実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図７のＶＩＩＩ－ＶＩＩＩ線に沿った断面図。
第４実施形態に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第４実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図９のＸ－Ｘ線に沿った断面図。
第１変形例に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第１変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図１１のＸＩＩ－ＸＩＩ線に沿った断面図。
第２変形例に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第２変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図１３のＸＩＶ－ＸＩＶ線に沿った断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。図面の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【０００８】
なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。同様の構成を有する要素同士を特に区別する場合、同一符号の末尾に、互いに異なる文字又は数字を付加する場合がある。
【０００９】
１．第１実施形態
第１実施形態に係る半導体装置について説明する。
【００１０】
図１は、第１実施形態に係る半導体装置の外観の一例を示す斜視図である。半導体装置１は、産業用のパワーデバイスである。半導体装置１は、例えば薄型の直方体形状を有する。以下では、半導体装置１の厚さ方向を、上下方向と呼ぶ。また、半導体装置１の構成要素が上下方向に対向する２面を有する場合、当該２面をそれぞれ下面及び上面と呼ぶ。
（【００１１】以降は省略されています）

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