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公開番号2024131141
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-09-30
出願番号2023041230
出願日2023-03-15
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人iX
主分類H01L 21/60 20060101AFI20240920BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】導通損失を低減し、放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、金属ベース20と、金属ベース20から離間した第1端子30と、第2端子40と、半導体チップ10と、第1接続部材50、第2接続部材60と、導電部材70と、を備える。半導体チップ10は、金属ベース20に接続される裏面側電極17と、裏面側電極17とは反対側の表面上に設けられる表面側電極11と、を有する。第1接続部材50は、半導体チップ10の表面側電極11に接続される第1端部50E1と、第1端子30に接続される第2端部50E2と、を有する。導電部材70は、半導体チップ10の表面側電極11上に設けられ、表面側電極11の第1接続部材50の第1端部50E1に接続されない領域を覆う。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
金属ベースと、
前記金属ベースから離間した端子と、
前記金属ベースに接続される裏面側電極と、前記裏面側電極とは反対側の表面上に設けられる表面側電極と、を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面側電極に接続される第１端部と、前記端子に接続される第２端部と、を有する接続部材と、
前記半導体チップの前記表面側電極上に設けられ、前記表面側電極の前記接続部材の前記第１端部に接続されない領域を覆う導電部材と、
を備えた半導体装置。
続きを表示（約 990 文字）【請求項２】
前記導電部材は、前記接続部材の前記第１端部を少なくとも部分的に覆う、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記接続部材は、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、
前記導電部材は、前記接続部材の前記第１端部における前記表面を部分的に覆う、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記表面側電極の厚さよりも厚い、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項５】
前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記接続部材の厚さよりも厚い、請求項１乃至３のいずれか１つに記載の半導体装置。
【請求項６】
前記接続部材の前記第１端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料とは異なる材料を含む、請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記接続部材の前記第１端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料と同じ材料を含む、請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記表面側電極において、前記接続部材の前記第１端部に接続される領域と、前記第１端部に接続されない前記領域と、の境界に設けられる樹脂部材をさらに備える、請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記金属ベースと前記端子とは、第１方向に並び、
前記表面側電極の沿った第２方向であって、前記第１方向と直交する第２方向において、前記接続部材は、第１幅を有し、
前記導電部材は、前記第２方向の第２幅を有し、前記第１幅は、前記第２幅よりも狭い、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記接続部材は、板状の金属コネクタであり、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、前記裏面および前記表面につながる側面と、を有し、
前記導電部材は、前記第１端部において、少なくとも前記側面に接するように設けられる、請求項１記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
電力制御用の半導体装置には、導通損失の低減および放熱性の向上が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－１４１２３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
実施形態は、導通損失を低減し、放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、金属ベースと、前記金属ベースから離間した端子と、半導体チップと、接続部材と、導電部材と、を備える。前記半導体チップは、前記金属ベースに接続される裏面側電極と、前記裏面側電極とは反対側の表面上に設けられる表面側電極と、を有する。前記接続部材は、前記半導体チップの前記表面側電極に接続される第１端部と、前記端子に接続される第２端部と、を有する。前記導電部材は、前記半導体チップの前記表面側電極上に設けられ、前記表面側電極の前記接続部材の前記第１端部に接続されない領域を覆う。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
第１実施形態に係る半導体チップを示す模式断面図である。
第１実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式平面図である。
第１実施形態に係る半導体チップを示す模式平面図である。
第２実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【０００８】
さらに、各図中に示すＸ軸、Ｙ軸およびＺ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。Ｘ軸、Ｙ軸、Ｚ軸は、相互に直交し、それぞれＸ方向、Ｙ方向、Ｚ方向を表す。また、Ｚ方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。
【０００９】
（第１実施形態）
図１（ａ）および（ｂ）は、第１実施形態に係る半導体装置１を示す模式図である。図１（ａ）は平面図であり、図１（ｂ）は、図１（ａ）中に示すＡ－Ａ線に沿った断面図である。
【００１０】
図１（ａ）に示すように、半導体装置１は、半導体チップ１０と、金属ベース２０と、第１端子３０と、第２端子４０と、第１接続部材５０と、第２接続部材６０と、を含む。半導体チップ１０は、ＭＯＳトランジスタ、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）、ダイオードなどのパワー半導体である。以下の例では、半導体チップ１０は、ＭＯＳトランジスタである。
（【００１１】以降は省略されています）

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