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公開番号
2024131141
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2024-09-30
出願番号
2023041230
出願日
2023-03-15
発明の名称
半導体装置
出願人
株式会社東芝
,
東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人
弁理士法人iX
主分類
H01L
21/60 20060101AFI20240920BHJP(基本的電気素子)
要約
【課題】導通損失を低減し、放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置1は、金属ベース20と、金属ベース20から離間した第1端子30と、第2端子40と、半導体チップ10と、第1接続部材50、第2接続部材60と、導電部材70と、を備える。半導体チップ10は、金属ベース20に接続される裏面側電極17と、裏面側電極17とは反対側の表面上に設けられる表面側電極11と、を有する。第1接続部材50は、半導体チップ10の表面側電極11に接続される第1端部50E1と、第1端子30に接続される第2端部50E2と、を有する。導電部材70は、半導体チップ10の表面側電極11上に設けられ、表面側電極11の第1接続部材50の第1端部50E1に接続されない領域を覆う。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
金属ベースと、
前記金属ベースから離間した端子と、
前記金属ベースに接続される裏面側電極と、前記裏面側電極とは反対側の表面上に設けられる表面側電極と、を有する半導体チップと、
前記半導体チップの前記表面側電極に接続される第1端部と、前記端子に接続される第2端部と、を有する接続部材と、
前記半導体チップの前記表面側電極上に設けられ、前記表面側電極の前記接続部材の前記第1端部に接続されない領域を覆う導電部材と、
を備えた半導体装置。
続きを表示(約 990 文字)
【請求項2】
前記導電部材は、前記接続部材の前記第1端部を少なくとも部分的に覆う、請求項1記載の半導体装置。
【請求項3】
前記接続部材は、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、を有し、
前記導電部材は、前記接続部材の前記第1端部における前記表面を部分的に覆う、請求項1記載の半導体装置。
【請求項4】
前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記表面側電極の厚さよりも厚い、請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項5】
前記半導体チップの前記表面に垂直な方向において、前記導電部材の厚さは、前記接続部材の厚さよりも厚い、請求項1乃至3のいずれか1つに記載の半導体装置。
【請求項6】
前記接続部材の前記第1端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料とは異なる材料を含む、請求項1記載の半導体装置。
【請求項7】
前記接続部材の前記第1端部と、前記表面側電極と、の間に設けられる接合部材をさらに備え、
前記接合部材は、前記導電部材の材料と同じ材料を含む、請求項1記載の半導体装置。
【請求項8】
前記表面側電極において、前記接続部材の前記第1端部に接続される領域と、前記第1端部に接続されない前記領域と、の境界に設けられる樹脂部材をさらに備える、請求項1記載の半導体装置。
【請求項9】
前記金属ベースと前記端子とは、第1方向に並び、
前記表面側電極の沿った第2方向であって、前記第1方向と直交する第2方向において、前記接続部材は、第1幅を有し、
前記導電部材は、前記第2方向の第2幅を有し、前記第1幅は、前記第2幅よりも狭い、請求項1記載の半導体装置。
【請求項10】
前記接続部材は、板状の金属コネクタであり、前記表面側電極に接続される裏面と、前記裏面とは反対側の表面と、前記裏面および前記表面につながる側面と、を有し、
前記導電部材は、前記第1端部において、少なくとも前記側面に接するように設けられる、請求項1記載の半導体装置。
(【請求項11】以降は省略されています)
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)
【背景技術】
【0002】
電力制御用の半導体装置には、導通損失の低減および放熱性の向上が求められる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0003】
特開2021-141235号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
実施形態は、導通損失を低減し、放熱性を向上させた半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0005】
実施形態に係る半導体装置は、金属ベースと、前記金属ベースから離間した端子と、半導体チップと、接続部材と、導電部材と、を備える。前記半導体チップは、前記金属ベースに接続される裏面側電極と、前記裏面側電極とは反対側の表面上に設けられる表面側電極と、を有する。前記接続部材は、前記半導体チップの前記表面側電極に接続される第1端部と、前記端子に接続される第2端部と、を有する。前記導電部材は、前記半導体チップの前記表面側電極上に設けられ、前記表面側電極の前記接続部材の前記第1端部に接続されない領域を覆う。
【図面の簡単な説明】
【0006】
第1実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
第1実施形態に係る半導体チップを示す模式断面図である。
第1実施形態に係る半導体装置の製造過程を示す模式平面図である。
第1実施形態に係る半導体チップを示す模式平面図である。
第2実施形態に係る半導体装置を示す模式図である。
【発明を実施するための形態】
【0007】
以下、実施の形態について図面を参照しながら説明する。図面中の同一部分には、同一番号を付してその詳しい説明は適宜省略し、異なる部分について説明する。なお、図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚みと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。また、同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの寸法や比率が異なって表される場合もある。
【0008】
さらに、各図中に示すX軸、Y軸およびZ軸を用いて各部分の配置および構成を説明する。X軸、Y軸、Z軸は、相互に直交し、それぞれX方向、Y方向、Z方向を表す。また、Z方向を上方、その反対方向を下方として説明する場合がある。
【0009】
(第1実施形態)
図1(a)および(b)は、第1実施形態に係る半導体装置1を示す模式図である。図1(a)は平面図であり、図1(b)は、図1(a)中に示すA-A線に沿った断面図である。
【0010】
図1(a)に示すように、半導体装置1は、半導体チップ10と、金属ベース20と、第1端子30と、第2端子40と、第1接続部材50と、第2接続部材60と、を含む。半導体チップ10は、MOSトランジスタ、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、ダイオードなどのパワー半導体である。以下の例では、半導体チップ10は、MOSトランジスタである。
(【0011】以降は省略されています)
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