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公開番号2024059570
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-05-01
出願番号2023157473
出願日2023-09-22
発明の名称基板処理装置及びシャッタ
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20240423BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】プラズマリークを抑制することができる基板処理装置及びシャッタを提供する。
【解決手段】基板処理装置は、チャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、円筒状のチャンバの開口部を開閉する弁体と、チャンバの内周側と基板支持部との間に配置され、基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板とを備えるシャッタと、基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材とを有し、シャッタが閉じられた状態において、基板支持部側の端部と、コンタクト部材との接触が維持される。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理装置であって、
チャンバと、
前記チャンバ内に配置される基板支持部と、
円筒状の前記チャンバの開口部を開閉する弁体と、前記チャンバの内周側と前記基板支持部との間に配置され、前記基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板とを備えるシャッタと、
前記基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材と、
を有し、
前記シャッタが閉じられた状態において、前記基板支持部側の前記端部と、前記コンタクト部材との接触が維持される、
基板処理装置。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記シャッタは、円筒状である、
請求項１に記載の基板処理装置。
【請求項３】
前記基板支持部側の前記端部は、前記垂直方向の長さが、前記コンタクト部材の前記垂直方向の長さよりも長く形成される、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項４】
前記勾配形状は、前記バッフル板の下面側から上面側に向けて、前記バッフル板の幅が狭くなる形状である、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項５】
前記バッフル板は、
第１の幅を持つ平面が円環状に設けられ、内周側に前記基板支持部側の前記端部を備える平面部と、
前記平面部の外周側に垂直方向の面が円筒状に設けられる壁面部と、
前記壁面部の上部に第２の幅を持つ平面が円環状に設けられるフランジ部と、
を有する、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項６】
前記弁体は、前記弁体の底部が前記フランジ部と接続される、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項７】
前記弁体は、前記底部と前記フランジ部との間に導電性部材を挟み込んで、前記バッフル板と電気的に接続される、
請求項６に記載の基板処理装置。
【請求項８】
前記バッフル板は、前記端部の前記勾配形状の上部と、前記平面部の上面との接続部が、曲面で形成される、
請求項５に記載の基板処理装置。
【請求項９】
前記コンタクト部材は、前記基板支持部の側面を一周するように設けられる、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
【請求項１０】
前記コンタクト部材は、前記弾性部材の変形領域に芯材を備える、
請求項１又は２に記載の基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、基板処理装置及びシャッタに関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、半導体デバイス用の被処理基板であるウェハに所望のプラズマ処理を施すプラズマ処理装置が知られている。プラズマ処理装置は、例えばウェハを収容するチャンバを備え、チャンバ内には、ウェハを載置し下部電極として機能する載置台と、載置台に対向する上部電極とが配置されている。ウェハは、例えば、搬送ロボットによって、チャンバに設けられた開口部を介して、チャンバ内に搬入、又は、チャンバ内から搬出される。また、チャンバの開口部からウェハの外径を超えるチャンバ内パーツ等を搬送するために、例えば、チャンバの開口部を拡大するとともに、チャンバの内周全域に沿う弁体を有するシャッタ機構が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２１－２２６５２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、プラズマリークを抑制することができる基板処理装置及びシャッタを提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による基板処理装置は、チャンバと、チャンバ内に配置される基板支持部と、円筒状のチャンバの開口部を開閉する弁体と、チャンバの内周側と基板支持部との間に配置され、基板支持部側の端部に垂直方向の勾配形状が形成されたバッフル板とを備えるシャッタと、基板支持部の側面に設けられ、導電性の弾性部材で形成されたコンタクト部材とを有し、シャッタが閉じられた状態において、基板支持部側の端部と、コンタクト部材との接触が維持される。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、プラズマリークを抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、本開示の第１実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。
図２は、第１実施形態におけるシャッタの一例を示す斜視図である。
図３は、第１実施形態におけるシャッタの断面の一例を示す部分拡大図である。
図４は、第１実施形態におけるシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す部分拡大図である。
図５は、第１実施形態におけるコンタクト部材の一例を示す斜視図である。
図６は、参考例１のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。
図７は、参考例２のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。
図８は、参考例３のシャッタが閉じた状態の断面の一例を示す図である。
図９は、プラズマリークの実験結果の一例を示す図である。
図１０は、コンタクト部材のバリエーションの一例を示す図である。
図１１は、第２実施形態におけるコンタクト部材近傍の断面の一例を示す部分拡大図である。
図１２は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の一例を示す図である。
図１３は、第２実施形態におけるコンタクト部材の一例を示す斜視図である。
図１４は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の他の一例を示す図である。
図１５は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の他の一例を示す図である。
図１６は、第２実施形態におけるコンタクト部材の芯材の他の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下に、開示する基板処理装置及びシャッタの実施形態について、図面に基づいて詳細に説明する。なお、以下の実施形態により開示技術が限定されるものではない。
【０００９】
チャンバ内には、チャンバ内で発生するプラズマが排気系に漏れないように、バッフル板が配置されている。シャッタの弁体は、閉じた状態において、弁体の上部がチャンバ上面と接触し、弁体の下部がバッフル板やデポシールド等と接触する。つまり、弁体は、チャンバ上面やバッフル板等と電気的に接続（導通）される。しかしながら、プラズマ処理による入熱により弁体が膨張すると、弁体の上部はチャンバ上面と接触しているものの、弁体の下部がバッフル板やデポシールド等と離れてしまい、プラズマリークが発生する場合がある。そこで、弁体が膨張しても電気的な接続が切れず、プラズマリークを抑制することが期待されている。
【００１０】
（第１実施形態）
［プラズマ処理システムの構成］
以下に、プラズマ処理システムの構成例について説明する。図１は、本開示の第１実施形態におけるプラズマ処理システムの一例を示す図である。図１に示すように、プラズマ処理システムは、容量結合型のプラズマ処理装置１及び制御部２を含む。容量結合型のプラズマ処理装置１は、プラズマ処理チャンバ１０、ガス供給部２０、電源３０及び排気システム４０を含む。また、プラズマ処理装置１は、基板支持部１１及びガス導入部を含む。ガス導入部は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理チャンバ１０内に導入するように構成される。ガス導入部は、シャワーヘッド１３を含む。基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０内に配置される。シャワーヘッド１３は、基板支持部１１の上方に配置される。一実施形態において、シャワーヘッド１３は、プラズマ処理チャンバ１０の天部（ｃｅｉｌｉｎｇ）の少なくとも一部を構成する。プラズマ処理チャンバ１０は、シャワーヘッド１３、プラズマ処理チャンバ１０の側壁１０ａ及び基板支持部１１により規定されたプラズマ処理空間１０ｓを有する。プラズマ処理チャンバ１０は、少なくとも１つの処理ガスをプラズマ処理空間１０ｓに供給するための少なくとも１つのガス供給口と、プラズマ処理空間１０ｓからガスを排出するための少なくとも１つのガス排出口とを有する。プラズマ処理チャンバ１０は接地される。シャワーヘッド１３及び基板支持部１１は、プラズマ処理チャンバ１０の筐体とは電気的に絶縁される。
（【００１１】以降は省略されています）

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