特許ウォッチ

公開番号2024054628
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-04-17
出願番号2022160970
出願日2022-10-05
発明の名称積層構造体および積層構造体の製造方法
出願人日本発條株式会社
代理人弁理士法人高橋・林アンドパートナーズ
主分類H01L 21/3065 20060101AFI20240410BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】絶縁性能および信頼性の優れた積層構造体を提供すること。
【解決手段】積層構造体は、第1面および前記第1面に連なって設けられた第2面を有する基材と、前記第1面および前記第2面に設けられた第1絶縁膜と、前記第1絶縁膜上および前記第1面と前記第2面との境界に形成される角部に設けられる第2絶縁膜と、を含み、前記基材の熱膨張係数と前記第2絶縁膜の熱膨張係数との差は、前記基材の熱膨張係数と前記第1絶縁膜の熱膨張係数との差よりも小さい。積層構造体の製造方法は、第1面、および前記第1面に連なって設けられた第2面を有する基材を用いることと、前記第1面および前記第2面に第1絶縁膜を形成することと、前記第1絶縁膜上および前記第1絶縁膜の隙間に有機材料の粉末を溶融して吹き付けることにより第2絶縁膜を形成することと、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
第１面および前記第１面に連なって設けられた第２面を有する基材と、
前記第１面および前記第２面に設けられた第１絶縁膜と、
前記第１絶縁膜上および前記第１面と前記第２面との境界に形成される角部に設けられる第２絶縁膜と、を含み、
前記基材の熱膨張係数と前記第２絶縁膜の熱膨張係数との差は、前記基材の熱膨張係数と前記第１絶縁膜の熱膨張係数との差よりも小さい、
積層構造体。
続きを表示（約 910 文字）【請求項２】
前記第１面と前記第２面との境界に形成される角部において、前記第２絶縁膜の厚さは前記第１絶縁膜の厚さよりも大きい、
請求項１に記載の積層構造体。
【請求項３】
第１面を有する基材と、
前記基材の第１面のうち第１領域上に設けられた第１絶縁膜と、
前記基材の第１面のうち前記第１領域において前記第１絶縁膜上に設けられるとともに、前記第１領域に隣接して設けられた第２領域上に設けられた第２絶縁膜と、を含み、
前記基材の熱膨張係数と前記第２絶縁膜の熱膨張係数との差は、前記基材の熱膨張係数と前記第１絶縁膜の熱膨張係数との差よりも小さい、
積層構造体。
【請求項４】
前記第２領域において、前記基材と前記第２絶縁膜との間に隙間を有する、
請求項３に記載の積層構造体。
【請求項５】
前記基材は、金属であり、
前記第１絶縁膜は、金属酸化物である、
請求項１に記載の積層構造体。
【請求項６】
前記基材は、アルミニウムであり、
前記第１絶縁膜は、酸化アルミニウムである、
請求項１に記載の積層構造体。
【請求項７】
前記第２絶縁膜は、有機材料を含む、
請求項１に記載の積層構造体。
【請求項８】
前記第２絶縁膜は、ポリベンゾイミダゾールを含む、
請求項１に記載の積層構造体。
【請求項９】
第１面、および前記第１面に連なって設けられた第２面を有する基材を用いることと、
前記第１面および前記第２面に第１絶縁膜を形成することと、
前記第１絶縁膜上および前記第１絶縁膜の隙間に有機材料を溶融して吹き付けることにより第２絶縁膜を形成することと、を含む、
積層構造体の製造方法。
【請求項１０】
前記基材は、金属であり、
前記第１絶縁膜は、陽極酸化処理により形成される、
請求項９に記載の積層構造体の製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、積層構造体および積層構造体の製造方法に関し、例えば、基板を載置するための積層構造体、および積層構造体の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体デバイスはほぼ全ての電子機器に搭載されており、電子機器の機能に対して重要な役割を担っている。半導体デバイスはシリコンなどが有する半導体特性を利用したデバイスである。半導体デバイスは、半導体膜、絶縁膜、および導電膜を基板上に積層し、これらの膜がパターニングされることによって構成される。これらの膜は、蒸着法、スパッタリング法、化学気相成長（ＣＶＤ）法、または基板の化学反応などを利用して積層され、リソグラフィプロセスによってこれらの膜がパターニングされる。リソグラフィプロセスは、パターニングに供されるこれらの膜の上へのレジストの形成、レジストの露光、現像によるレジストマスクの形成、エッチングによるこれらの膜の部分的除去、およびレジストマスクの除去を含む。
【０００３】
上述した膜の特性は、膜を成膜する条件、または膜をエッチングする条件によって大きく左右される。当該条件の１つが基板を載置するための載置台（以下、ステージという）に印加する電圧である。近年の半導体デバイスの微細化に伴い、加工する穴の径と加工する膜の厚さの比（アスペクト比）が大きくなっている。このため、例えば、エッチング装置に含まれるステージに印加する電圧が増加する傾向にある。また、ステージに印加する電圧が増加することに伴い、ステージに含まれる部材の耐電圧の向上が求められる。ステージに含まれる部材として、例えば、冷却板、静電チャックなどが挙げられる。特許文献１および特許文献２には、基材表面に溶射法の１つであるセラミック溶射により絶縁膜を形成し、絶縁膜の耐電圧を向上させたステージが開示されている。また、ステージ表面に絶縁膜を形成するためのその他の方法として、陽極酸化法が用いられることが知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特許第６０２７４０７号公報
登録実用新案第２６００５５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来の方法によれば、１つの面と別の面との境界（以下、角部または隅部ともいう）に絶縁膜が形成しづらく、特に、角部には隙間または空隙が生成されるという問題があった。また、絶縁膜を加熱した際に隙間が生成されるという問題があった。隙間または空隙が生成されると、絶縁膜の耐電圧（絶縁破壊電圧ともいう）が低下することにつながる。
【０００６】
そこで、本発明は、絶縁性能および信頼性の優れた積層構造体を提供することを目的の１つとする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一実施形態によれば、第１面および前記第１面に連なって設けられた第２面を有する基材と、前記第１面および前記第２面に設けられた第１絶縁膜と、前記第１絶縁膜上および前記第１面と前記第２面との境界に形成される角部に設けられる第２絶縁膜と、を含み、前記基材の熱膨張係数と前記第２絶縁膜の熱膨張係数との差は、前記基材の熱膨張係数と前記第１絶縁膜の熱膨張係数との差よりも小さい、積層構造体が提供される。
【０００８】
上記積層構造体において、前記第１面と前記第２面との境界に形成される角部において、前記第２絶縁膜の厚さは前記第１絶縁膜の厚さよりも大きくてもよい。
【０００９】
本発明の一実施形態によれば、第１面を有する基材と、前記基材の第１面のうち第１領域上に設けられた第１絶縁膜と、前記基材の第１面のうち前記第１領域において前記第１絶縁膜上に設けられるとともに、前記第１領域に隣接して設けられた第２領域上に設けられた第２絶縁膜と、を含み、前記基材の熱膨張係数と前記第２絶縁膜の熱膨張係数との差は、前記基材の熱膨張係数と前記第１絶縁膜の熱膨張係数との差よりも小さい、積層構造体が提供される。
【００１０】
上記積層構造体において、前記第２領域において、前記基材と前記第２絶縁膜との間に隙間を有してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許