特許ウォッチ

公開番号2024042462
公報種別公開特許公報(A)
公開日2024-03-28
出願番号2022147207
出願日2022-09-15
発明の名称インプリント装置、インプリント方法、決定方法及び物品の製造方法
出願人キヤノン株式会社
代理人弁理士法人大塚国際特許事務所
主分類H01L 21/027 20060101AFI20240321BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板上に形成されるインプリント材のパターンに生じる欠陥を低減するのに有利な技術を提供する。
【解決手段】型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型と前記基板とを相対的に駆動する駆動部と、前記駆動部を制御する制御部と、を有し、前記インプリント処理は、前記型と前記基板とを近づけることで前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる工程を含み、前記制御部は、前記工程において前記型と前記基板上のインプリント材とが接触する第1タイミングでの前記型と前記基板とを近づける方向における前記型と前記基板との相対速度が1mm/秒以下となるように、前記駆動部を制御することを特徴とするインプリント装置を提供する。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、
前記型と前記基板とを相対的に駆動する駆動部と、
前記駆動部を制御する制御部と、
を有し、
前記インプリント処理は、前記型と前記基板とを近づけることで前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる工程を含み、
前記制御部は、前記工程において前記型と前記基板上のインプリント材とが接触する第１タイミングでの前記型と前記基板とを近づける方向における前記型と前記基板との相対速度が１ｍｍ／秒以下となるように、前記駆動部を制御することを特徴とするインプリント装置。
続きを表示（約 1,600 文字）【請求項２】
前記制御部は、
前記工程において、前記型と前記基板との間の距離に関する前記駆動部の制御を位置制御から力制御に切り替え、
前記第１タイミングでの前記相対速度が１ｍｍ／秒以下となるように、前記位置制御から前記力制御に切り替える第２タイミングを決定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項３】
前記基板は、前記インプリント処理が行われる複数のショット領域を含み、
前記制御部は、前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記第２タイミングを決定することを特徴とする請求項２に記載のインプリント装置。
【請求項４】
前記制御部は、前記複数のショット領域のそれぞれについて、前記工程において前記型とショット領域とが対向する面積に基づいて、前記第２タイミングを決定することを特徴とする請求項３に記載のインプリント装置。
【請求項５】
前記制御部は、前記面積が小さいほど、前記型と前記基板とが近づいた状態で前記位置制御から前記力制御に切り替わるように、前記第２タイミングを決定することを特徴とする請求項４に記載のインプリント装置。
【請求項６】
前記制御部は、
前記工程において、前記型と前記基板との間の距離に関する前記駆動部の制御を位置制御から力制御に切り替え、
前記位置制御において前記型と前記基板との相対速度が最も遅くなるタイミングと、前記第１タイミングとの差分が許容範囲に収まるように、前記位置制御から前記力制御に切り替える第２タイミングを決定することを特徴とする請求項１に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記制御部は、前記位置制御において前記型と前記基板との相対速度が最も遅くなるタイミングと、前記第１タイミングとが一致するように、前記第２タイミングを決定することを特徴とする請求項６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント方法であって、
前記型と前記基板とを近づけることで前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる工程を有し、
前記工程では、前記型と前記基板とを相対的に駆動する駆動部に関する制御を位置制御から力制御に切り替え、
前記工程を行う前に、前記位置制御において前記型と前記基板とを近づける方向における前記型と前記基板との相対速度が最も遅くなるタイミングと、前記工程において前記型と前記基板上のインプリント材とが接触する第１タイミングとの差分が許容範囲に収まるように、前記位置制御から前記力制御に切り替える第２タイミングを決定することを特徴とするインプリント方法。
【請求項９】
前記位置制御において前記型と前記基板とを近づける方向における前記型と前記基板との相対速度が最も遅くなるタイミングと、前記第１タイミングとが一致するように、前記第２タイミングを決定することを特徴とする請求項８に記載のインプリント方法。
【請求項１０】
型と基板とを相対的に駆動する駆動部を有するインプリント装置で行われる、前記型と前記基板とを近づけることで前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる工程において、前記駆動部に関する制御を位置制御から力制御に切り替えるタイミングを決定する決定方法であって、
前記位置制御において前記型と前記基板とを近づける方向における前記型と前記基板との相対速度が最も遅くなるタイミングと、前記工程において前記型と前記基板上のインプリント材とが接触するタイミングとの差分が許容範囲に収まるように、前記位置制御から前記力制御に切り替えるタイミングを決定することを特徴とする決定方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、インプリント装置、インプリント方法、決定方法及び物品の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
インプリント技術は、ナノスケールの微細なパターンの転写を可能にする技術であり、半導体素子、液晶表示素子、磁気記憶媒体などの量産用のリソグラフィ技術の１つとして提案されている（特許文献１及び２参照）。インプリント技術を用いたインプリント装置では、微細なパターンの形成を低コストで実現するための技術として、光硬化法が知られている。
【０００３】
光硬化法では、まず、基板上に光硬化性のインプリント材（転写層）を配置し、パターンが形成された型をインプリント材に接触させる。そして、型とインプリント材とを接触させた状態で光を照射してインプリント材を硬化させ、基板上の硬化したインプリント材から型を引き離す（離型する）ことで、基板上にインプリント材のパターンを形成する。
【０００４】
特許文献１には、基板上に形成されるパターンの欠陥を抑制するために、型を基板の側に凸形状に変形させた状態で基板上のインプリント材に接触させる技術が開示されている。また、特許文献２には、スループットの向上と型のパターンの破損の抑制とを両立するために、型と基板上のインプリント材とを接触させる工程において、位置制御と力制御とを用いて、型と基板との相対速度を切り替える技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特表２００９－５３６５９１号公報
特許第５７４５１２８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、特許文献１のように、型を基板の側に凸形状に変形させた状態で基板上のインプリント材に接触させる場合に限らず、型とインプリント材とが最初に接触する位置では、一般的に、型とインプリント材との間の気体が逃げにくくなる傾向にある。このため、型のパターンにインプリント材が十分に充填されず、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる可能性が高い。
【０００７】
また、特許文献２のように、型が基板上のインプリント材に接触する前に位置制御から力制御に切り替える場合、型がインプリント材に接触するまでに再加速して相対速度が速い状態で型とインプリント材とが接触することになる。型とインプリント材との間の気体は、型とインプリント材とが接触する際の相対速度が速いほど逃げにくくなるため、基板上に形成されるパターンに欠陥が生じる可能性が高くなる。
【０００８】
本発明は、このような従来技術の課題に鑑みてなされ、基板上に形成されるインプリント材のパターンに生じる欠陥を低減するのに有利な技術を提供することを例示的目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
上記目的を達成するために、本発明の一側面としてのインプリント装置は、型を用いて基板上にインプリント材のパターンを形成するインプリント処理を行うインプリント装置であって、前記型と前記基板とを相対的に駆動する駆動部と、前記駆動部を制御する制御部と、を有し、前記インプリント処理は、前記型と前記基板とを近づけることで前記型と前記基板上のインプリント材とを接触させる工程を含み、前記制御部は、前記工程において前記型と前記基板上のインプリント材とが接触する第１タイミングでの前記型と前記基板とを近づける方向における前記型と前記基板との相対速度が１ｍｍ／秒以下となるように、前記駆動部を制御することを特徴とする。
【００１０】
本発明の更なる目的又はその他の側面は、以下、添付図面を参照して説明される実施形態によって明らかにされるであろう。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許