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公開番号2023070978
公報種別公開特許公報(A)
公開日2023-05-22
出願番号2021183512
出願日2021-11-10
発明の名称半導体装置
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H01L 23/48 20060101AFI20230515BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】インダクタンスをより低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第1端子と、電気的にフローティングの状態にある金属板と、を有し、前記第1端子は、第1面を備えた第1平板部と、前記第1面に対向する第2面を備え、前記第1平板部に電気的に接続された第2平板部と、を有し、前記金属板は、前記第1面と前記第2面との間に配置されている。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１端子と、
電気的にフローティングの状態にある金属板と、
を有し、
前記第１端子は、
第１面を備えた第１平板部と、
前記第１面に対向する第２面を備え、前記第１平板部に電気的に接続された第２平板部と、
を有し、
前記金属板は、前記第１面と前記第２面との間に配置されている半導体装置。
続きを表示（約 710 文字）【請求項２】
前記第１平板部と前記第２平板部とが互いに平行に配置されている請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１端子は、
前記第１平板部につながる第１端部と、前記第２平板部につながる第２端部とを備えた第３平板部を有する請求項１又は請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３平板部は、前記第１平板部及び前記第２平板部に直交する請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第３平板部に対向する第３面を備え、通電時に前記第３平板部とは反対方向に電流変位が生じる第２端子を有する請求項３又は請求項４に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記金属板の厚さは、前記第１平板部の厚さ及び前記第２平板部の厚さと等しい請求項１から請求項５のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記金属板の厚さは、前記第１面と前記第２面との間の距離の１０％以上８０％以下である請求項１から請求項６のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記金属板と前記第１面との間の距離は、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下であり、
前記金属板と前記第２面との間の距離は、０．１ｍｍ以上３．０ｍｍ以下である請求項１から請求項７のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記金属板の材料は反磁性体である請求項１から請求項８のいずれか１項に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記金属板の材料は銅である請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
パワーモジュールに使用される半導体装置として、インダクタンスの低減のために、電極端子の一部を平行平板化した半導体装置が提案されている（特許文献１、２）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１６－１６２７７３号公報
国際公開第２０２０／２６１４３３号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
更なる高速化のために、インダクタンスの更なる低減が望まれる。
【０００５】
本開示は、インダクタンスをより低減できる半導体装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の半導体装置は、第１端子と、電気的にフローティングの状態にある金属板と、を有し、前記第１端子は、第１面を備えた第１平板部と、前記第１面に対向する第２面を備え、前記第１平板部に電気的に接続された第２平板部と、を有し、前記金属板は、前記第１面と前記第２面との間に配置されている。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、インダクタンスをより低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施形態に係る半導体装置を示す斜視図（その１）である。
図２は、実施形態に係る半導体装置を示す斜視図（その２）である。
図３は、実施形態に係る半導体装置を示す上面図である。
図４は、実施形態に係る半導体装置における放熱板と、第１絶縁基板と、第２絶縁基板との関係を示す断面図である。
図５は、第１トランジスタを示す断面図である。
図６は、第１ダイオードを示す断面図である。
図７は、第２トランジスタを示す断面図である。
図８は、第２ダイオードを示す断面図である。
図９は、実施形態に係る半導体装置を示す回路図である。
図１０は、第１金属板、第２金属板、Ｐ端子及びＮ端子を示す分解斜視図である。
図１１は、第１金属板、第２金属板、Ｐ端子及びＮ端子を示す断面図である。
図１２は、実施形態に係る半導体装置の動作を示す模式図（その１）である。
図１３は、実施形態に係る半導体装置の動作を示す模式図（その２）である。
図１４は、実施形態に係る半導体装置の動作を示す模式図（その３）である。
図１５は、実施形態に係る半導体装置の動作を示す模式図（その４）である。
図１６は、第１金属板及び第２金属板をケースに埋め込む方法を示す斜視図である。
図１７は、第１金属板をケースに埋め込む方法を示す断面図（その１）である。
図１８は、第１金属板をケースに埋め込む方法を示す断面図（その２）である。
図１９は、第１金属板をケースに埋め込む方法を示す断面図（その３）である。
図２０は、第１金属板をケースに埋め込む方法を示す断面図（その４）である。
図２１は、第１金属板を被覆する絶縁膜を示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
実施するための形態について、以下に説明する。
【００１０】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施態様を列記して説明する。以下の説明では、同一又は対応する要素には同一の符号を付し、それらについて同じ説明は繰り返さない。
（【００１１】以降は省略されています）

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