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公開番号2025175115
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2025154251,2024017915
出願日2025-09-17,2019-07-09
発明の名称発光装置
出願人ソウルバイオシスカンパニーリミテッド,SEOUL VIOSYS CO.,LTD.
代理人個人,個人,個人
主分類H10H 20/819 20250101AFI20251120BHJP()
要約【課題】高い光抽出効率及び信頼性を有する発光装置を提供する。
【解決手段】発光装置は、基板10と、基板から突出する複数の突出部11のパターンと、基板に設けられた第1半導体層20と、第1半導体層に設けられた活性層30と、活性層に設けられた第2半導体層40と、を含み、突出部の各々は、基板と一体かつ分離不能に形成され、ベース基板の上面から突出する第1層13と、第1層に設けられ、第1層とは別の材料で形成された第2層15と、を含む。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
前記基板から突出する複数の突出部のパターンと、
前記基板上に設けられた第１半導体層と、
前記第１半導体層上に設けられた活性層と、
前記活性層上に設けられた第２半導体層と、
を含み、
前記突出部の各々は、前記基板と一体かつ分離不能に形成され、かつ、前記基板の上面から突出する第１層と、前記第１層上に設けられ、前記第１層よりも小さい屈折率を有する材料で形成された第２層と、を含み、
平面視における前記第１層の直径は、前記第２層の直径よりも大きく、
前記突出部の各々の直径は、２．８マイクロメートル以上３．５マイクロメートル以下であり、前記突出部の各々の直径と隣り合う２つの突出部の中心間の間隔との比が０．８以上１．０以下であり、
前記第２層の屈折率は前記基板の屈折率よりも小さく、
前記第２層の高さは、前記第１層の高さよりも大きく、
前記隣り合う２つの突出部の中心間の間隔は、２．９マイクロメートル以上３．１マイクロメートル以下である、発光装置。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記第１層の材料が、前記基板の材料と同じである、請求項１に記載の発光装置。
【請求項３】
前記第１層の高さと前記第２層の高さとの比が、０．２以上１．０未満である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項４】
前記複数の突出部が、六角形のパターンに配置される、請求項１に記載の発光装置。
【請求項５】
前記突出部の直径は、隣り合う２つの突出部の中心間の間隔以下である、請求項１に記載の発光装置。
【請求項６】
前記第１層の側面の傾斜角度と前記第２層の側面の傾斜角度とが異なる、請求項１に記載の発光装置。
【請求項７】
前記第２層の側面が、曲面の形状を有する、請求項６に記載の発光装置。
【請求項８】
基板と、
前記基板と一体かつ分離不能に形成され、前記基板の面から突出する第１層と、前記第１層上に設けられ、前記第１層よりも小さい屈折率を有する材料で形成される第２層と、を含む複数の突出部のパターンと、
前記基板上に設けられ、発光する発光スタックと、
を含み、
平面視における前記第１層の直径は、前記第２層の直径よりも大きく、
前記突出部の各々の直径は、２．８マイクロメートル以上３．５マイクロメートル以下であり、前記突出部の各々の直径と隣り合う２つの突出部の中心間の間隔との比が０．８以上１．０以下であり、
前記第２層の屈折率は前記基板の屈折率よりも小さく
前記第２層の高さは、前記第１層の高さよりも大きく、
前記隣り合う２つの突出部の中心間の間隔は、２．９マイクロメートル以上３．１マイクロメートル以下である、発光装置。
【請求項９】
前記発光スタックが、基板上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第２半導体層と、を含む、
請求項８に記載の発光装置。
【請求項１０】
前記第２層の高さと前記第１層の高さとの比が、２．５より大きく、９．５より小さい、請求項８に記載の発光装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
例示的な実施形態は、発光装置及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
発光ダイオード（ＬＥＤ）は自己発光光源の一つとして近年使用されている。発光ダイオードは、化合物半導体の特性を利用して、電気信号を赤外光、可視光、紫外光などの光の形に変換する。発光装置の発光効率が高まるにつれて、発光装置は表示装置や一般照明を含む様々な分野に応用されるようになってきた。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明の目的は、高い光抽出効率及び信頼性を有する発光装置及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
例示的な実施形態による発光装置は、基板と、前記基板から突出する複数の突出部のパターンと、前記基板上に設けられた第１半導体層と、前記第１半導体層上に設けられた活性層と、前記活性層上に設けられた第２半導体層とを含み、前記突出部の各々は、前記基板と一体かつ分離不能に形成され、かつ、前記ベース基板の上面から突出する第１層及び前記第１層上に設けられ、前記第１層とは異なる材料で形成された第２層を含み、隣り合う２つの突出部の中心間の間隔をピッチと呼ぶとき、前記突出部の直径と前記ピッチとの比は約０．８～約１．０である。
【０００５】
例示的な実施形態によれば、突出部の各々の直径は、約２．５マイクロメートル～約３．５マイクロメートルとすることができ、ピッチは、約２．５マイクロメートル以上約３．５マイクロメートル以下とすることができる。
【０００６】
例示的な実施形態によれば、突出部の各々の直径は、約２．６マイクロメートル～約２．８マイクロメートルとすることができ、ピッチは、約２．９マイクロメートル～約３．１マイクロメートルとすることができる。
【０００７】
例示的な実施形態によれば、突出部の各々の直径は、約２．８マイクロメートルとすることができる。
【０００８】
例示的な実施形態によれば、第１層の高さと第２層の高さとの比は、約０．２～約１．５であってもよく、約０．７５～約１．５であってもよい。あるいは、第２層の高さは第１層の高さよりも高くてもよい。
【０００９】
例示的な実施形態によれば、突出部の直径は、ピッチと等しいか、又はそれより小さくてもよい。
【００１０】
本開示の例示的な実施形態によれば、前記第１層の側面と前記第２層の側面との傾斜角度は異なってもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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