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公開番号2025171845
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-20
出願番号2024077570
出願日2024-05-10
発明の名称GaAs半導体デバイス製造装置、GaAs半導体デバイス製造方法
出願人住友重機械工業株式会社
代理人個人,個人
主分類H10D 64/01 20250101AFI20251113BHJP()
要約【課題】GaAs半導体デバイスにおいてレーザ光によるアニール処理を適切に施すことができるGaAs半導体デバイス製造装置等を提供する。
【解決手段】GaAs半導体デバイス製造装置は、III族元素としてガリウム(Ga)を含み、V族元素としてヒ素(As)を含む、III-V族化合物半導体としてのGaAs半導体を含むGaAs半導体構造11上に第1金属層161を形成する第1金属層形成部と、GaAs半導体構造11と第1金属層161の間のオーミック接触のために、当該第1金属層161上にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光の照射後に、第1金属層161よりレーザ光に対する反射率が高い第2金属層162を、当該第1金属層161上に形成する第2金属層形成部と、を備える。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
GaAs半導体構造上に第１金属層を形成する第１金属層形成部と、
前記GaAs半導体構造と前記第１金属層の間のオーミック接触のために、当該第１金属層上にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、
前記レーザ光の照射後に、前記第１金属層より前記レーザ光に対する反射率が高い第２金属層を、当該第１金属層上に形成する第２金属層形成部と、
を備えるGaAs半導体デバイス製造装置。
続きを表示（約 690 文字）【請求項２】
前記第１金属層の最上部は、熱伝導率が100W/(mK）以下である、請求項１に記載のGaAs半導体デバイス製造装置。
【請求項３】
前記第１金属層は、前記第２金属層より熱伝導率が低い、請求項１または２に記載のGaAs半導体デバイス製造装置。
【請求項４】
前記第１金属層の最上部は、前記第２金属層より反射率が低い、請求項１または２に記載のGaAs半導体デバイス製造装置。
【請求項５】
前記第１金属層は、ニッケル（Ni）およびチタン（Ti）の少なくともいずれかを含む、請求項１または２に記載のGaAs半導体デバイス製造装置。
【請求項６】
前記第２金属層は、金（Au）および白金（Pt）の少なくともいずれかを含む、請求項１または２に記載のGaAs半導体デバイス製造装置。
【請求項７】
前記GaAs半導体デバイスは、前記第２金属層および前記第１金属層を通じて印加される電気に応じて前記GaAs半導体構造が発光する発光デバイスである、請求項１または２に記載のGaAs半導体デバイス製造装置。
【請求項８】
GaAs半導体構造上に第１金属層を形成することと、
前記GaAs半導体構造と前記第１金属層の間のオーミック接触のために、当該第１金属層上にレーザ光を照射することと、
前記レーザ光の照射後に、前記第１金属層より前記レーザ光に対する反射率が高い第２金属層を、当該第１金属層上に形成することと、
を実行するGaAs半導体デバイス製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、GaAs半導体デバイス製造装置等に関する。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、窒化物系III-V族化合物半導体構造と電極の間に、γ-GaNi合金やγ′-GaNi合金を形成することによって、良好なオーミック接触を実現することが開示されている。その段落００８１に記載されているように、窒化物系III-V族化合物半導体構造を構成するGaNコンタクト層（７）上に、γ-GaNi合金層（９ａ）、Pt膜（９ｂ）、Au膜（９ｃ）を順次形成した後、N
2
ガス雰囲気中において熱処理（いわゆる、アニール処理）を施すことによって、γ-GaNi合金層（９ａ）とGaNコンタクト層（７）の間で良好なオーミック接触が実現される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０００－４９１１４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上記の窒化物系III-V族化合物半導体とは異なるIII-V族化合物半導体として、III族元素としてガリウム（Ga）を含みV族元素としてヒ素（As）を含むGaAs半導体デバイスにおいて、レーザ光によってアニール処理を施すことが独自に検討された。GaAs半導体デバイスでも、金（Au）や白金（Pt）等が電極として一般的に使用されるが、アニール処理のためのレーザ光を反射してしまう恐れがある。
【０００５】
本開示はこうした状況に鑑みてなされたものであり、GaAs半導体デバイスにおいてレーザ光によるアニール処理を適切に施すことができるGaAs半導体デバイス製造装置等を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記課題を解決するために、本開示のある態様のGaAs半導体デバイス製造装置は、GaAs半導体構造上に第１金属層を形成する第１金属層形成部と、GaAs半導体構造と第１金属層の間のオーミック接触のために、当該第１金属層上にレーザ光を照射するレーザ光照射部と、レーザ光の照射後に、第１金属層よりレーザ光に対する反射率が高い第２金属層を、当該第１金属層上に形成する第２金属層形成部と、を備える。
【０００７】
本態様では、アニール処理のためのレーザ光の照射が、当該レーザ光に対する反射率が比較的高い第２金属層が形成される前の第１金属層に対して行われる。この第１金属層は第２金属層より反射率が低いため、反射によるレーザ光の無駄が低減されてアニール処理が効率的に施される。
【０００８】
本開示の別の態様は、GaAs半導体デバイス製造方法である。この方法は、GaAs半導体構造上に第１金属層を形成することと、GaAs半導体構造と第１金属層の間のオーミック接触のために、当該第１金属層上にレーザ光を照射することと、レーザ光の照射後に、第１金属層よりレーザ光に対する反射率が高い第２金属層を、当該第１金属層上に形成することと、を実行する。
【０００９】
なお、以上の構成要素の任意の組合せや、これらの表現を方法、装置、システム、記録媒体、コンピュータプログラム等に変換したものも、本開示に包含される。
【発明の効果】
【００１０】
本開示によれば、GaAs半導体デバイスにおいてレーザ光によるアニール処理を適切に施すことができる。
【図面の簡単な説明】
（【００１１】以降は省略されています）

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