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公開番号2025170111
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-14
出願番号2025151954,2023562282
出願日2025-09-12,2022-04-04
発明の名称太陽電池およびその製造方法
出願人ジュソンエンジニアリングカンパニーリミテッド
代理人弁理士法人前田特許事務所
主分類H10F 10/00 20250101AFI20251107BHJP()
要約【課題】フォトリソグラフィ工程の代わりにシャドウマスク工程を通じて電極を形成することができる太陽電池及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、半導体基板、前記半導体基板の一面上に具備された第1透明電極層、および、前記第1透明電極層の一面上に具備された第1電極を含み、前記第1電極はシャドウマスクを用いた蒸着工程でパターン形成された第1パターン層を含んでなる太陽電池およびその製造方法を提供する。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板、
前記半導体基板の一面上に具備された第１透明電極層、および
前記第１透明電極層の一面上に具備された第１電極を含み、
前記第１電極が、シャドウマスクを用いた蒸着工程でパターン形成された第１パターン
層を含んでなる太陽電池。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記第１透明電極層及び前記第１パターン層が、それぞれインジウム（Ｉｎ）及びスズ
（Ｓｎ）の中の少なくとも１つを含む透明酸化物を含んでなる、請求項１に記載の太陽電
池。
【請求項３】
前記第１パターン層と前記第１透明電極層が互いに接し、前記第１パターン層のインジ
ウムの含有量が前記第１透明電極層のインジウムの含有量よりも多い、請求項２に記載の
太陽電池。
【請求項４】
前記第１パターン層と前記第１透明電極層が互いに接し、前記第１パターン層の酸素の
含有量が前記第１透明電極層の酸素の含有量より少ない、請求項２に記載の太陽電池。
【請求項５】
前記第１電極が、前記第１パターン層上に具備された第１シード層、および前記第１シ
ード層上に具備された第１金属層をさらに含んでなり、
前記第１シード層は、シャドウマスクを用いた蒸着工程でパターン形成され、前記第１
金属層は、選択的蒸着（selective deposition）工程でパターン形成された、請求項１に
記載の太陽電池。
【請求項６】
前記第１パターン層、前記第１シード層及び前記第１金属層が、互いに同一のパターン
からなる、請求項５に記載の太陽電池。
【請求項７】
前記半導体基板と前記第１透明電極層の間に第１半導体層及び第２半導体層がさらに具
備されていて、
前記第１半導体層が、真性非晶質シリコン層からなり、
前記第２半導体層は、ｎ型非晶質シリコン層からなる、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項８】
前記第１透明電極層と前記第１パターン層の間に具備されたペロブスカイト太陽電池を
さらに含んでなり、
前記ペロブスカイト太陽電池が、第１導電性電荷伝達層、前記第１導電性電荷伝達層上
に具備された光吸収層、および前記光吸収層上に具備された第２導電性電荷伝達層を含ん
でなる、請求項１に記載の太陽電池。
【請求項９】
前記第２導電性電荷伝達層と前記第１パターン層の間に第３透明電極層をさらに含み、
前記第３透明電極層が、インジウム（Ｉｎ）及びスズ（Ｓｎ）の中の少なくとも１つを
含む透明酸化物を含んでなり、
前記第３透明電極層と前記第１パターン層は互いに接し、前記第１パターン層のインジ
ウムの含有量が前記第３透明電極層のインジウムの含有量より多く、前記第１パターン層
の酸素の含有量が前記第３透明電極層の酸素の含有量より少ない、請求項８に記載の太陽
電池
【請求項１０】
第１導電性電荷伝達層、前記第１導電性電荷伝達層上に具備された光吸収層、および前
記光吸収層上に具備された第２導電性電荷伝達層を含んでなるペロブスカイト太陽電池、
および
前記第２導電性電荷伝達層の一面上に具備された第１電極を含んでなり、
前記第１電極は、シャドウマスクを用いた蒸着工程でパターン形成された第１パターン
層を含んでなる、太陽電池。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、太陽電池に関するもので、特に太陽電池の電極に関するものである。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
太陽電池は、基板上に具備された半導体層および電極を含んでなる。
【０００３】
一例として、従来の太陽電池は、半導体基板の一面上に形成されたｎ型半導体層、半導
体基板の他面上に形成されたｐ型半導体層、前記ｐ型半導体層と前記ｎ型半導体層上にそ
れぞれ形成された電極を含んでなる。
【０００４】
ここで、従来には前記電極をフォトリソグラフィ工程により形成していて、そのため製
造工程が複雑で生産性が低下する問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、上述した従来の問題点を解決するために考案されたものであり、本発明は、
フォトリソグラフィ工程の代わりにシャドウマスク工程を通じて電極を形成することがで
きる太陽電池及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記目的を達成するために、本発明は半導体基板、前記半導体基板の一面上に具備され
た第１透明電極層、および前記第一透明電極層の一面上に具備された第１電極を含み、前
記第１電極は、シャドウマスクを用いた蒸着工程でパターン形成された第１パターン層を
含んでなる太陽電池を提供する。
【０００７】
前記第１透明電極層および前記第１パターン層は、それぞれインジウム（Ｉｎ）および
スズ（Ｓｎ）の中の少なくとも１つを含む透明酸化物を含んでなることができる。
【０００８】
前記第１パターン層と前記第１透明電極層は互いに接し、前記第１パターン層のインジ
ウムの含有量が前記第１透明電極層のインジウムの含有量より多いことがあり得る。
【０００９】
前記第１パターン層と前記第１透明電極層は互いに接し、前記第１パターン層の酸素の
含有量が前記第１透明電極層の酸素の含有量より少ないことがあり得る。
【００１０】
前記第１電極は、前記第１パターン層上に具備された第１シード層および前記第１シー
ド層上に具備された第１金属層をさらに含んでなり、前記シード層は、シャドウマスクを
用いて蒸着工程によってパターン形成され、前記第１金属層は、マスクなしで選択的蒸着
（selective deposition）工程でパターン形成することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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