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公開番号2025169928
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-14
出願番号2025076186
出願日2025-05-01
発明の名称ワンストップタイプの半導体キャリア洗浄方法及びシステム
出願人家登精密工業股ふん有限公司,GUDENG PRECISION INDUSTRIAL CO.,LTD
代理人個人,個人
主分類H01L 21/304 20060101AFI20251107BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ワンストップタイプの半導体キャリア洗浄方法及びシステムを提供することを課題とする。
【解決手段】方法は、分解、分類、ウルトラファインバブル洗浄及び負圧真空乾燥などのステップを含む。システムは、複数の洗浄槽と、ウルトラファインバブル発生装置と、脱水装置と、負圧真空乾燥装置と、を備える。分解、分類、ウルトラファインバブル洗浄及び負圧真空乾燥などのステップでワンストップタイプに統合することにより、半導体キャリアから汚染物質及び有機化合物を効果的に除去でき、半導体キャリアのクリーニングに適している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
被洗浄半導体キャリアを複数の部材に分解する分解ステップ、
前記複数の部材を分類し、対応するカテゴリの洗浄槽に入れる分類ステップ、
各前記洗浄槽において、被洗浄部材の特性に応じて設定された洗浄工程に従い各前記洗浄槽内の部材を洗浄するウルトラファインバブル洗浄ステップ、及び
各前記洗浄槽において、内部の部材を乾燥させる負圧真空乾燥ステップを含む、半導体キャリア洗浄方法。
続きを表示（約 1,300 文字）【請求項２】
前記ウルトラファインバブル洗浄ステップにおいて、ウルトラファインバブル発生装置を用いて洗浄液を前記洗浄槽に送液することにより、前記部材の微細孔を徹底的に洗浄する、請求項１に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項３】
前記洗浄液は、脱イオン水に二酸化炭素ガス、オゾンガス或いはアンモニアガスを混合したものである、請求項２に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項４】
前記ウルトラファインバブル洗浄ステップにおいて、前記洗浄槽内に超音波振動装置が設けられ、高周波の音波を発生させて前記洗浄槽内の洗浄液を振動・撹拌した超音波振動方法により、前記部材を洗浄する、請求項１に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項５】
前記ウルトラファインバブル洗浄ステップにおいて、前記洗浄槽内に前記洗浄槽内の洗浄液を加熱するための加熱装置が設けられる、請求項１に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項６】
前記洗浄液の加熱後に、前記部材を所定の汚れ除去条件に達するまで浸漬する浸漬ステップをさらに含み、前記所定の汚れ除去条件は、前記部材から汚れ５０％以上除去されることである、請求項５に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項７】
前記ウルトラファインバブル洗浄ステップにおいて、前記洗浄工程は、バックエンドシステムでパラメータを制御と設定することで、全ての異なるカテゴリの前記部材の洗浄条件に対応する、請求項１に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項８】
前記ウルトラファインバブル洗浄ステップにおいて、前記洗浄槽内の洗浄液を循環させて入れ替えるためのオーバーフローステップをさらに含む、請求項１に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項９】
前記負圧真空乾燥ステップの前に、前記洗浄槽内の洗浄液を空にし、前記部材に付着した液体の一部を除去する脱水ステップをさらに含む、請求項１に記載の半導体キャリア洗浄方法。
【請求項１０】
複数の異なるカテゴリの部材を備えた半導体キャリアの洗浄に用いられ、
異なるカテゴリの部材を夫々に格納する複数の洗浄槽と、
前記洗浄槽に結合され、洗浄液を少なくとも１つの前記洗浄槽に送液して前記部材の微細孔を徹底的に洗浄するための少なくとも１つのウルトラファインバブル発生装置と、
を含む半導体キャリア洗浄システムであって、
前記洗浄槽は、
前記洗浄槽に配設され、前記洗浄槽内の前記洗浄液を空にし、前記部材に付着した液体の一部を除去するための少なくとも１つの脱水装置と、
前記洗浄槽に配設され、前記洗浄槽内の前記部材を乾燥するための少なくとも１つの負圧真空乾燥装置とを備え、
前記洗浄槽、前記ウルトラファインバブル発生装置、前記脱水装置及び前記負圧真空乾燥装置が順次作動され、前記部材の洗浄から乾燥までの工程がワンストップタイプで完了される、半導体キャリア洗浄システム。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体キャリア洗浄方法及びシステムに関し、特に、ワンストップタイプの半導体キャリア洗浄方法及びシステムに関するものである。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体産業において、半導体キャリアは、半導体ワークピースの保護、保管、搬送によく用いられ、また、プロセス、環境などのさまざまな要因により半導体プロセス容器の内部が汚染される可能性があるため、洗浄が必要になった。半導体ワークピースは、ウエハ、レチクル、ＰＣＢ、サブストレート又はその他の電子部品などであり得る。半導体キャリアは、ウエハ搬送容器、レチクル搬送容器、ＰＣＢ搬送容器或いはその他の電子部品の搬送容器など、例えばフロントオープニングユニファイドポッド（ＦｒｏｎｔＯｐｅｎｉｎｇＵｎｉｆｉｅｄＰｏｄ、ＦＯＵＰ）等であってもよい。
【０００３】
これらの半導体キャリアは、プロセス、環境などのさまざまな要因により半導体キャリアの各部材が汚染される可能性があり、半導体加工設備及び半導体キャリアは、いずれも極めて高い清浄度を維持する必要があり、清浄度を維持するために、半導体プロセスの歩留まりを向上させるように、半導体キャリアを洗浄する必要があった。
【０００４】
しかしながら、従来技術では、半導体キャリアを洗浄するとき、洗浄、脱水、乾燥などのために多くのワークステーションを使用するのが一般的である。既存の各ワークステーションは、単一の機能しか実行しないため、半導体キャリア及びその部品の洗浄を完成させるためには、各ステーションへの移載をして異なる機能の工程を実施する必要があるため、工程が複雑になり、移載に時間がかかり、設備スペースを占有してしまうことがある。また、半導体キャリアとその部品の多くは、脱イオン水（ＤＩＷ）で洗ってから乾燥させるが、この方法では、洗浄効果が限られており、揮発性有機化合物（ＶＯＣ）、トルエン、イソプロピルアルコールなどの残留有害ガスの問題をさらに改善することが困難であった。
【０００５】
したがって、迅速、多機能統合かつ揮発性有機化合物（ＶＯＣ）、トルエン、イソプロピルアルコールを効果的に除去し、半導体キャリアのクリーニング効果を向上させることができる半導体キャリア洗浄の方法及びシステムを如何に提供するかが、非常に重要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
そこで、本発明で提供される半導体キャリア洗浄方法及び半導体キャリア洗浄システムは、一組の洗浄システム内でワンストップタイプの完全な洗浄工程を効果的に達成でき、半導体キャリアの部材の各々に対し差別化洗浄を行うことができるだけでなく、残留汚染物質と揮発性有機化合物を効果的に除去することもでき、かつ洗浄設備の配置に必要なスペース及びワークステーションに分けられた洗浄工程の長い作業時間を減らすことができる。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様は、被洗浄半導体キャリアを複数の部材に分解する分解ステップ、複数の部材を分類し、対応するカテゴリの洗浄槽に入れる分類ステップ、各洗浄槽において、被洗浄部材の特性に応じて設定された洗浄工程に従い各洗浄槽内の部材を洗浄するウルトラファインバブル洗浄ステップ、及び各洗浄槽において内部の部材を乾燥させる負圧真空乾燥ステップを含む、ワンストップタイプの半導体キャリア洗浄方法を提供する。
【０００８】
一実施形態では、ウルトラファインバブル洗浄ステップにおいて、ウルトラファインバブル発生装置を用いて洗浄液を洗浄槽に送液することにより、部材の微細孔を徹底的に洗浄する。
【０００９】
一実施形態では、洗浄液は、脱イオン水に二酸化炭素ガス、オゾンガス或いはアンモニアガスを混合したものである。
【００１０】
一実施形態では、ウルトラファインバブル洗浄ステップにおいて、洗浄槽内に超音波振動装置が設けられ、高周波の音波を発生させて洗浄槽内の洗浄液を振動・撹拌した超音波振動方法により、部材を洗浄する。
（【００１１】以降は省略されています）

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