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公開番号2025168551
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-07
出願番号2025147944,2021164148
出願日2025-09-05,2021-10-05
発明の名称デバイス、半導体装置、ゲートドライバ、および、パワーモジュール
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H10D 89/00 20250101AFI20251030BHJP()
要約【解決手段】整流素子とヒューズ素子とが直列に接続された直列回路を備え、前記直列回路における前記整流素子の陽極側の一端が、基準電位を有する第1接続点に接続され、前記直列回路における前記整流素子の陰極側の他端が、前記基準電位よりも高い電位を有するべき第2接続点に接続された、デバイスを提供する。上記デバイスは、複数の上記直列回路が並列に接続された並列回路を更に備えてよい。上記並列に接続された少なくとも1つの直列回路における整流素子の整流特性が、上記並列に接続された他の直列回路における整流素子の整流特性と異なっていてよい。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
整流素子とヒューズ素子とが直列に接続された直列回路を備え、
前記直列回路における前記整流素子の陽極側の一端が、基準電位を有する第１接続点に接続され、前記直列回路における前記整流素子の陰極側の他端が、前記基準電位よりも高い電位を有するべき第２接続点に接続された、
デバイス。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
複数の前記直列回路が並列に接続された並列回路を更に備える、請求項１に記載のデバイス。
【請求項３】
前記並列に接続された少なくとも１つの直列回路における整流素子の整流特性が、前記並列に接続された他の直列回路における整流素子の整流特性と異なる、請求項２に記載のデバイス。
【請求項４】
前記整流素子はＰＮ接合を有しており、
前記少なくとも１つの直列回路におけるＰＮ接合の接合面積が、前記他の直列回路におけるＰＮ接合の接合面積と異なる、請求項３に記載のデバイス。
【請求項５】
前記少なくとも１つの直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性が、前記他の直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性と同じである、請求項３または４に記載のデバイス。
【請求項６】
前記並列に接続された少なくとも１つの直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性が、前記並列に接続された他の直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性と異なる、請求項２に記載のデバイス。
【請求項７】
前記少なくとも１つの直列回路における整流素子の整流特性が、前記他の直列回路における整流素子の整流特性と同じである、請求項６に記載のデバイス。
【請求項８】
各々が抵抗性素子とヒューズ素子とが直列に接続され、過電流により前記ヒューズ素子が溶断するまでの時間を異ならせた複数の直列回路が並列に接続された並列回路を備え、
前記並列回路における一端が基準電位を有する第１接続点に接続され、前記並列回路における他端が前記基準電位よりも高い電位を有するべき第２接続点に接続された、
デバイス。
【請求項９】
前記並列に接続された少なくとも１つの直列回路における抵抗性素子の電気抵抗が、前記並列に接続された他の直列回路における抵抗性素子の電気抵抗と異なる、請求項８に記載のデバイス。
【請求項１０】
前記少なくとも１つの直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性が、前記他の直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性と同じである、請求項９に記載のデバイス。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、デバイス、半導体装置、ゲートドライバ、および、パワーモジュールに関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、「半導体装置におけるヒューズ素子に対するＥＳＤ保護回路を実現する」と記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２０１４－２０４６０２号公報
【発明の概要】
【０００３】
本発明の第１の態様においては、デバイスを提供する。上記デバイスは、整流素子とヒューズ素子とが直列に接続された直列回路を備えてよい。上記直列回路における上記整流素子の陽極側の一端が、基準電位を有する第１接続点に接続され、上記直列回路における上記整流素子の陰極側の他端が、上記基準電位よりも高い電位を有するべき第２接続点に接続されてよい。
【０００４】
上記デバイスは、複数の上記直列回路が並列に接続された並列回路を更に備えてよい。
【０００５】
上記並列に接続された少なくとも１つの直列回路における整流素子の整流特性が、上記並列に接続された他の直列回路における整流素子の整流特性と異なってよい。
【０００６】
上記整流素子はＰＮ接合を有してよい。上記少なくとも１つの直列回路におけるＰＮ接合の接合面積が、上記他の直列回路におけるＰＮ接合の接合面積と異なってよい。
【０００７】
上記少なくとも１つの直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性が、上記他の直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性と同じであってよい。
【０００８】
上記並列に接続された少なくとも１つの直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性が、上記並列に接続された他の直列回路におけるヒューズ素子の溶断特性と異なってよい。
【０００９】
上記少なくとも１つの直列回路における整流素子の整流特性が、上記他の直列回路における整流素子の整流特性と同じであってよい。
【００１０】
本発明の第２の態様においては、デバイスを提供する。上記デバイスは、各々が抵抗性素子とヒューズ素子とが直列に接続され、過電流により上記ヒューズ素子が溶断するまでの時間を異ならせた複数の直列回路が並列に接続された並列回路を備えてよい。上記並列回路における一端が基準電位を有する第１接続点に接続され、上記並列回路における他端が上記基準電位よりも高い電位を有するべき第２接続点に接続されてよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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