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公開番号2025164918
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-30
出願番号2025143649,2020204070
出願日2025-08-29,2020-12-09
発明の名称半導体装置及びその製造方法
出願人三星電子株式会社,Samsung Electronics Co.,Ltd.
代理人個人,個人
主分類H10D 30/47 20250101AFI20251023BHJP()
要約【課題】半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】チャネル層、チャネル層上に提供されるチャネル供給層、チャネル供給層上に提供されるチャネル分離パターン、チャネル分離パターン上に提供されるゲート電極パターン、及びゲート電極パターンの第1側面からチャネル層の上面に平行な第1方向に沿って突出される電界緩和パターンを含み、該チャネル層は、チャネル層とチャネル供給層との界面に隣接するように形成されたチャネルを含み、ゲート電極パターンの第1方向に沿う大きさは、チャネル分離パターンの第1方向に沿う大きさと異なり、ゲート電極パターンと電界緩和パターンは、単一構造体をなす半導体装置である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
チャネル層と、
前記チャネル層上に提供されるチャネル供給層と、
前記チャネル供給層上に提供されるチャネル分離パターンと、
前記チャネル分離パターン上に提供されるゲート電極パターンと、
前記ゲート電極パターンの第１側面から、前記チャネル層の上面に平行な第１方向に沿って突出される電界緩和パターンと、を含み、
前記チャネル層は、前記チャネル層と前記チャネル供給層との界面に隣接するように形成されたチャネルを含み、
前記ゲート電極パターンの前記第１方向に沿う大きさは、前記チャネル分離パターンの前記第１方向に沿う大きさと異なり、
前記ゲート電極パターンと前記電界緩和パターンは、単一構造体をなす半導体装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記ゲート電極パターンの前記第１方向に沿う前記大きさは、前記チャネル分離パターンの前記第１方向に沿う前記大きさより小さい、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記ゲート電極パターンは、前記チャネル分離パターンの第１上面を露出させ、
前記チャネル分離パターンの前記第１上面は、前記電界緩和パターンの底面と互いに対向する、請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記電界緩和パターンの前記底面の前記第１方向に沿う大きさは、前記チャネル分離パターンの前記第１上面の前記第１方向に沿う大きさより大きい、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ゲート電極パターンは、前記チャネル分離パターンの第２上面を露出させ、
前記チャネル分離パターンの前記第１上面と前記第２上面は、前記第１方向に沿って互いに離隔され、
前記チャネル分離パターンの前記第１上面の前記第１方向に沿う大きさは、前記チャネル分離パターンの前記第２上面の前記第１方向に沿う大きさと異なる、請求項３に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記電界緩和パターンと前記チャネル供給層との間に提供される第１パッシベーション膜をさらに含み、
前記チャネル分離パターンは、前記第１パッシベーション膜と前記チャネル供給層との間に提供され、
前記ゲート電極パターンは、前記第１パッシベーション膜を貫通し、前記チャネル分離パターンに直接接する、請求項１に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１パッシベーション膜と前記チャネル分離パターンとの間に提供される第１パッシベーションパターンをさらに含み、
前記第１パッシベーション膜と前記第１パッシベーションパターンは、それぞれ互いに異なる絶縁物質を含む、請求項６に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１パッシベーション膜は、窒化物を含み、
前記第１パッシベーションパターンは、酸化物を含む、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１パッシベーションパターンは、前記ゲート電極パターンの前記第１側面上に提供される、請求項７に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記ゲート電極パターンの前記第１側面の反対側に提供される前記ゲート電極パターンの第２側面上に提供される第２パッシベーションパターンをさらに含み、
前記第２パッシベーションパターンは、前記第１パッシベーション膜と前記チャネル分離パターンとの間に提供される、請求項９に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体装置及びその製造方法に関する。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
電力半導体装置として、高電子移動度トランジスタがある。該高電子移動度トランジスタは、バンドギャップ（ｂａｎｄｇａｐ）が互いに異なる半導体物質層が隣接して形成された異種接合構造を含む。互いに異なるバンドギャップを有した物質が、異種接合構造に形成されることにより、バンドギャップが小さい半導体物質層に二次元電子ガス（２ＤＥＧ：２－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌｅｌｅｃｔｒｏｎｇａｓ）層が誘導され、電子の移動速度などが向上しうる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
本発明が解決しようとする課題は、電気的特性が向上された半導体装置を提供することである。
【０００４】
本発明が解決しようとする課題は、また、電気的特性が向上された半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００５】
本発明が解決しようとする課題は、また、工程効率性が向上された半導体装置の製造方法を提供することである。
【０００６】
ただし、本発明が解決しようとする課題は、上記の開示に限定されるものではない。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
一側面において、チャネル層と、チャネル層上に提供されるチャネル供給層と、チャネル供給層上に提供されるチャネル分離パターンと、チャネル分離パターン上に提供されるゲート電極パターンと、ゲート電極パターンの第１側面から、チャネル層の上面に平行な第１方向に沿って突出される電界緩和パターンと、を含み、チャネル層は、チャネル層とチャネル供給層との界面に隣接するように形成されたチャネルを含み、ゲート電極パターンの第１方向に沿う大きさは、チャネル分離パターンの第１方向に沿う大きさと異なり、ゲート電極パターンと電界緩和パターンは、単一構造体をなす半導体装置が提供されうる。
【０００８】
ゲート電極パターンの第１方向に沿う大きさは、チャネル分離パターンの第１方向に沿う大きさよりも小さい。
【０００９】
ゲート電極パターンは、チャネル分離パターンの第１上面を露出させ、チャネル分離パターンの第１上面は、電界緩和パターンの底面と互いに対向することができる。
【００１０】
電界緩和パターンの底面の第１方向に沿う大きさは、チャネル分離パターンの第１上面の第１方向に沿う大きさよりも大きくなる。
（【００１１】以降は省略されています）

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