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公開番号2025161964
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-24
出願番号2025141210,2021041263
出願日2025-08-27,2021-03-15
発明の名称EUVリソグラフィ用ペリクル
出願人三井化学株式会社
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類G03F 1/64 20120101AFI20251017BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】EUVリソグラフィにおいて、フレームの変形やペリクル膜のシワの発生をより確実に抑えることが可能なペリクルを提供すること。
【解決手段】開口部を有するフレームと、フレームの一方の端面側に、開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、を備えた、EUVリソグラフィに用いられるペリクルであって、ペリクル膜は炭素材料を含み、フレームが、溶融温度が500℃以上であり、かつ、300℃における0.2%耐力が300MPa以上である材料を含んで構成される、ペリクル。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
開口部を有するフレームと、前記フレームの一方の端面側に、前記開口部を覆うように展張支持されたペリクル膜と、を備えた、ＥＵＶリソグラフィに用いられるペリクルであって、
前記ペリクル膜は炭素材料を含み、
前記フレームが、溶融温度が５００℃以上であり、かつ、３００℃における０．２％耐力が３００ＭＰａ以上である材料を含んで構成される、ペリクル。
続きを表示（約 730 文字）【請求項２】
前記フレームを構成する材料のヤング率が１１０ＧＰａ未満である、請求項１に記載のペリクル。
【請求項３】
前記フレームを構成する材料のヤング率が１００ＧＰａ以下である、請求項１または２に記載のペリクル。
【請求項４】
前記フレームを構成する材料が、β型チタン合金を含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のペリクル。
【請求項５】
前記フレームを構成する材料が、バナジウム（Ｖ）を１３～４０質量％含む、請求項１～４のいずれか一項に記載のペリクル。
【請求項６】
前記フレームを構成する材料が、モリブデン（Ｍｏ）を１３～４０質量％含む、請求項１～５のいずれか一項に記載のペリクル。
【請求項７】
前記フレームを構成する材料が、ニオブ（Ｎｂ）を１３～４０質量％含む、請求項１～６のいずれか一項に記載のペリクル。
【請求項８】
前記フレームを構成する材料が、バナジウム（Ｖ）：１４～２５質量％、アルミニウム（Ａｌ）：２．５～５質量％、スズ（Ｓｎ）：０．５～４質量％、及びクロム（Ｃｒ）：４質量％以下を含有し、残部はチタン（Ｔｉ）及び不純物の少なくとも一方を含む、請求項１～７のいずれか一項に記載のペリクル。
【請求項９】
前記フレームを構成する材料が、酸素（Ｏ）：０超え０．２０質量％以下を含有する、請求項１～８のいずれか一項に記載のペリクル。
【請求項１０】
前記フレームを構成する材料が、炭素（Ｃ）：０超え０．１０質量％以下を含有する、請求項１～９のいずれか一項に記載のペリクル。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ＥＵＶリソグラフィ用ペリクルに関するものである。
続きを表示（約 1,400 文字）【背景技術】
【０００２】
大規模集積回路（ＬＳＩ）、超ＬＳＩ等の半導体デバイスや液晶表示板等の製造工程では、マスク（露光原板、レチクルともいう）を介して感光層等に光を照射することによってパターニングを行う。その際、マスクに異物が付着していると、光が異物に吸収されたり、異物表面で光が反射されて屈曲したりする。その結果、形成されるパターンが変形したり、エッジががさついたりして、パターニング後の寸法、品質、および外観等が損なわれてしまうといった問題が生じる。このような問題を解消すべく、マスクの表面に、光を透過するペリクル膜を備えるペリクルを装着し、異物の付着を抑制する方法が採用されている。
【０００３】
リソグラフィに用いる光の波長は短波長化が進み、次世代のリソグラフィ技術としてはＥＵＶ（ＥｘｔｒｅｍｅＵｌｔｒａＶｉｏｌｅｔ）光を用いることが検討されている。ＥＵＶ光は、軟Ｘ線領域又は真空紫外線領域の波長の光を指し、具体的には１３．５ｎｍ±０．３ｎｍ程度の光線を指す。
【０００４】
ＥＵＶ光は、あらゆる物質に対して吸収されやすい。ペリクル膜がＥＵＶ光を吸収すると、露光不良の原因となるばかりではなく、ＥＵＶ光のエネルギーによる発熱によりペリクル膜が損傷してしまう場合がある。
【０００５】
例えば、ＥＵＶ露光では、ペリクル膜が光を吸収し、ペリクル膜の温度が５００℃以上に上昇する。その熱がフレームに伝わり、フレームが変形するといった課題がある。また、フレーム材料とペリクル膜材料との線膨張係数の違いにより、露光時にペリクル膜にしわが入るなどの課題もある。
【０００６】
そのため、従来の例えばＡｒＦ光用のペリクル膜はＥＵＶ光用には適さないと考えられており、ＥＵＶ光用のペリクルが提案されている。
【０００７】
例えば、特許文献１には、線膨張係数および密度が低い金属又は合金をフレームとして用いることにより、ペリクル膜のシワや破損を抑制したペリクルが開示されている。また、特許文献２には、低い線膨張係数を有する材質からなるペリクル用フレームが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開２０１９－７０７４５号公報
特許第６３７０２５５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかしながら、上記文献に開示された技術では、フレームの変形やペリクル膜のシワの発生を十分に抑制することはできていない。更に、ＥＵＶ光は短波長であるためペリクル膜の歪みの影響を受け易く、そのため、ペリクルをマスクに貼り付けることで生じ得るマスク歪が大きいとパターンに影響がでてくる可能性がある。そのため、マスク歪が小さいことが求められるようになっている。
【００１０】
本発明は、このような従来の実情に鑑みて提案されたものであり、本発明の目的は、ＥＵＶリソグラフィにおいて、フレームの変形やペリクル膜のシワの発生をより確実に抑えることが可能で、更には、ペリクルをマスクに貼り付けることで生じ得るマスク歪が小さなペリクルを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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