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公開番号2025158811
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-17
出願番号2024061704
出願日2024-04-05
発明の名称成膜装置の運用方法及び成膜装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/42 20060101AFI20251009BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】処理容器内に堆積したニッケル含有膜を除去できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様による成膜装置の運用方法は、(a)処理容器内にシリコン含有ガスを供給し、前記処理容器内を非晶質シリコン膜で被覆する工程と、(b)前記工程(a)の後、前記処理容器内にニッケル原料ガスを供給し、ニッケル含有膜を形成する工程と、(c)前記工程(b)の後、前記処理容器内にハロゲン含有ガスを供給し、前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
（ａ）処理容器内にシリコン含有ガスを供給し、前記処理容器内を非晶質シリコン膜で被覆する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記処理容器内にニッケル原料ガスを供給し、ニッケル含有膜を形成する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記処理容器内にハロゲン含有ガスを供給し、前記処理容器内をクリーニングする工程と、
を有する、成膜装置の運用方法。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記工程（ｂ）は、前記非晶質シリコン膜と前記ニッケル原料ガスとを反応させてニッケルシリサイドを形成することを含む、
請求項１に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、前記処理容器内に製品基板がある状態で行われる、
請求項１に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項４】
前記工程（ｃ）は、前記処理容器内に製品基板がない状態で行われる、
請求項１に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）は、前記工程（ｂ）を２回以上繰り返した後に行われる、
請求項１に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項６】
（ｄ）前記工程（ａ）と前記工程（ｂ）との間に、前記処理容器内に製品基板がない状態で、前記処理容器内を被覆する前記非晶質シリコン膜を前記ニッケル含有膜で被覆する工程を有する、
請求項１に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項７】
前記ハロゲン含有ガスは、フッ素ガスである、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項８】
前記ニッケル原料ガスは、液体のニッケル原料を気化又は固体のニッケル原料を昇華させることにより生成される、
請求項１乃至６のいずれか一項に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項９】
前記ニッケル原料は、Ｎｉ（Ｃ
２
Ｈ
５
Ｃ
５
Ｈ
４
）
２
］、Ｎｉ（ＰＦ
３
）
４
、（Ｃ
３
Ｈ
５
）（Ｃ
５
Ｈ
５
）Ｎｉ、Ｎｉ（ＣＯ）
４
、又はＮｉ（ＣＨ
３
Ｃ
５
Ｈ
４
）
２
である、
請求項８に記載の成膜装置の運用方法。
【請求項１０】
処理容器と、
前記処理容器内にシリコン含有ガス、ニッケル原料ガス及びハロゲン含有ガスを供給するガス供給部と、
制御部と、
を備え、
前記制御部は、
（ａ）前記処理容器内に前記シリコン含有ガスを供給し、前記処理容器内を非晶質シリコン膜で被覆する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記処理容器内に前記ニッケル原料ガスを供給し、ニッケル含有膜を形成する工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記処理容器内に前記ハロゲン含有ガスを供給し、前記処理容器内をクリーニングする工程と、
を行うように構成される、
成膜装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、成膜装置の運用方法及び成膜装置に関する。
続きを表示（約 940 文字）【背景技術】
【０００２】
非晶質シリコン膜の表面にニッケル粒子を吸着させた後にアニールを行うことで非晶質シリコン膜を多結晶シリコン膜に改質する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－６０９０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、処理容器内に堆積したニッケル含有膜を除去できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様による成膜装置の運用方法は、（ａ）処理容器内にシリコン含有ガスを供給し、前記処理容器内を非晶質シリコン膜で被覆する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後、前記処理容器内にニッケル原料ガスを供給し、ニッケル含有膜を形成する工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後、前記処理容器内にハロゲン含有ガスを供給し、前記処理容器内をクリーニングする工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、処理容器内に堆積したニッケル含有膜を除去できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係る成膜装置を示す断面図である。
実施形態に係る成膜装置の運用方法を示すフローチャートである。
クリーニングの前後におけるニッケル濃度及び炭素濃度の一例を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔成膜装置〕
図１を参照し、実施形態に係る成膜装置１について説明する。図１は、実施形態に係る成膜装置１を示す断面図である。
【００１０】
成膜装置１は、処理容器１０と、ガス供給部３０と、排気部４０と、加熱部５０と、制御部９０とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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