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公開番号2025175118
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-28
出願番号2025155431,2021029613
出願日2025-09-18,2021-02-26
発明の名称電磁波減衰体、電子装置、成膜装置及び成膜方法
出願人芝浦メカトロニクス株式会社
代理人
主分類C23C 14/06 20060101AFI20251120BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】電磁波の減衰特性を向上可能な電磁波減衰体、電子装置、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、電磁波減衰体は、第1構造体を含む。前記第1構造体は、積層方向である第1方向に交互に設けられた第1磁性層及び導電性の第1非磁性層を含む第1部材と、前記第1方向に交互に設けられた第2磁性層及び導電性の第2非磁性層を含む第2部材と、導電性の第3非磁性層を含む第3部材と、を含む。前記第3部材から前記第1部材への方向は、前記第1方向に沿う。前記第3部材から前記第2部材への方向は、前記第1方向に沿う。前記第1磁性層の前記第1方向に沿う第1磁性層厚は、前記第2磁性層の前記第1方向に沿う第2磁性層厚よりも厚い。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
積層方向である第１方向に交互に設けられた第１磁性層及び導電性の第１非磁性層を含む第１部材と、
前記第１方向に交互に設けられた第２磁性層及び導電性の第２非磁性層を含む第２部材と、
導電性の第３非磁性層を含む第３部材と、
を含む第１構造体を備え、
前記第３部材から前記第１部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第３部材から前記第２部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１磁性層の前記第１方向に沿う厚みである第１磁性層厚は、前記第２磁性層の前記第１方向に沿う厚みである第２磁性層厚よりも厚い、電磁波減衰体。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記第１磁性層の少なくとも一部の結晶性は、前記第２磁性層の少なくとも一部の結晶性よりも高い、請求項１記載の電磁波減衰体。
【請求項３】
積層方向である第１方向に交互に設けられた第１磁性層及び導電性の第１非磁性層を含む第１部材と、
前記第１方向に交互に設けられた第２磁性層及び導電性の第２非磁性層を含む第２部材と、
導電性の第３非磁性層を含む第３部材と、
を含む第１構造体を備え、
前記第３部材から前記第１部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第３部材から前記第２部材への方向は、前記第１方向に沿い、
前記第１磁性層の少なくとも一部の結晶性は、前記第２磁性層の少なくとも一部の結晶性よりも高い、電磁波減衰体。
【請求項４】
前記第１磁性層の前記少なくとも一部は、結晶であり、前記第２磁性層の前記少なくとも一部は、アモルファスである、請求項２または３に記載の電磁波減衰体。
【請求項５】
前記第１磁性層厚は、８０ｎｍ以上４００ｎｍ以下であり、
前記第２磁性層厚は、１０ｎｍ以上８０ｎｍ未満である、請求項１～４のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
【請求項６】
前記第１非磁性層の厚さは、１０ｎｍ以下であり、
前記第２非磁性層の厚さは、１０ｎｍ以下である、請求項５記載の電磁波減衰体。
【請求項７】
前記第１非磁性層及び前記第２非磁性層の少なくともいずれかは、Ｔａ、Ｃｒ及びＴｉよりなる群から選択された少なくとも１つを含む、請求項１～６のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
【請求項８】
前記第１磁性層及び前記第２磁性層の少なくともいずれかは、Ｎｉ、Ｆｅ、Ｃｕ及びＭｏを含む、請求項１～７のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
【請求項９】
前記第１磁性層におけるＮｉの組成比は、前記第２磁性層におけるＮｉの組成比の０．９倍以上１．１倍以下であり、
前記第１磁性層におけるＦｅの組成比は、前記第２磁性層におけるＦｅの組成比の０．９倍以上１．１倍以下である、請求項８記載の電磁波減衰体。
【請求項１０】
前記第１磁性層の組成は、前記第２磁性層の組成と実質的に同じである、請求項１～８のいずれか１つに記載の電磁波減衰体。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、電磁波減衰体、電子装置、成膜装置及び成膜方法に関する。
続きを表示（約 1,900 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、電磁シールドシートなどの電磁波減衰体が提案されている。電磁波減衰体及び半導体素子を含む電子装置がある。電磁波減衰体において、電磁波に対する減衰特性を向上させることが望まれる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１２－３８８０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の実施形態は、電磁波に対する減衰特性を向上可能な電磁波減衰体、電子装置、成膜装置及び成膜方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明の実施形態によれば、電磁波減衰体は、第１構造体を含む。前記第１構造体は、積層方向である第１方向に交互に設けられた第１磁性層及び導電性の第１非磁性層を含む第１部材と、前記第１方向に交互に設けられた第２磁性層及び導電性の第２非磁性層を含む第２部材と、導電性の第３非磁性層を含む第３部材と、を含む。前記第３部材から前記第１部材への方向は、前記第１方向に沿う。前記第３部材から前記第２部材への方向は、前記第１方向に沿う。前記第１磁性層の前記第１方向に沿う第１磁性層厚は、前記第２磁性層の前記第１方向に沿う第２磁性層厚よりも厚い。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
図１（ａ）～図１（ｄ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図２は、実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
図３（ａ）～図３（ｆ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図４（ａ）～図４（ｄ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式図である。
図５は、電磁波減衰体の特性を例示するグラフ図である。
図６は、第２実施形態に係る成膜装置を例示する模式図である。
図７は、第２実施形態に係る成膜装置を例示する模式図である。
図８は、第２実施形態に係る成膜装置を例示する、図６のＡ－Ａ模式縦断図である。
図９は、第２実施形態に係る成膜装置の制御装置を例示する機能ブロック図である。
図１０は、第２実施形態に係る成膜装置において電子装置が配置されたトレイを例示する斜視図である。
図１１は、第２実施形態に係る成膜装置の動作を例示するフローチャート図である。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、本発明の各実施の形態について図面を参照しつつ説明する。
図面は模式的または概念的なものであり、各部分の厚さと幅との関係、部分間の大きさの比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。同じ部分を表す場合であっても、図面により互いの長さや比率が異なって表される場合もある。
本願明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。
【０００８】
（第１実施形態）
図１（ａ）～図１（ｄ）は、第１実施形態に係る電磁波減衰体を例示する模式的断面図である。
図２は、実施形態に係る電子装置を例示する模式的断面図である。
【０００９】
図１（ａ）に示すように、実施形態に係る電磁波減衰体１１０は、電子装置２１０に用いられる。実施形態に係る電子装置２１０は、電磁波減衰体１１０と、基体５５と、を含む。
【００１０】
図２に示すように、本実施形態の電子装置２１０は、電子素子５１を封止したパッケージ４２の天面４２ａ及び側面４２ｂに、電磁波減衰体１１０が形成されている。電子素子５１を封止したパッケージ４２は基体５５の一例である。減衰効果を得るためには、電磁波減衰体１１０は、少なくともパッケージ４２の天面４２ａに形成されていればよい。側面４２ｂの電磁波減衰体１１０は、接地のためである。パッケージ４２の天面４２ａは、製品に実装される面とは反対側の外表面である。天面４２ａは、水平に載置された場合には、最も高い位置にある上面となる。天面４２ａは、実装された場合に、上方を向く場合も、上方を向かない場合もある。側面４２ｂは、天面４２ａに対して異なる角度で形成された外周面である。天面４２ａと側面４２ｂとの間は、角を形成していても、曲面により連続していてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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