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公開番号2025176433
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-04
出願番号2024082599
出願日2024-05-21
発明の名称クリーニング方法及び成膜装置
出願人東京エレクトロン株式会社
代理人個人,個人
主分類C23C 16/56 20060101AFI20251127BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】クリーニングの後に行われる1回目の成膜処理と2回目以降の成膜処理との間で膜特性に差が生じることを低減できる技術を提供する。
【解決手段】本開示の一態様によるクリーニング方法は、処理容器内に複数枚の基板を収容してモリブデン膜を成膜する成膜装置のクリーニング方法であって、(a)前記処理容器内にクリーニングガスを供給し、前記処理容器内に堆積したモリブデン膜を除去する工程と、(b)前記工程(a)の後に、前記処理容器内を窒化モリブデン膜でコーティングする工程と、(c)前記工程(b)の後に、前記処理容器内をモリブデン膜でコーティングする工程と、を有する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
処理容器内に複数枚の基板を収容してモリブデン膜を成膜する成膜装置のクリーニング方法であって、
（ａ）前記処理容器内にクリーニングガスを供給し、前記処理容器内に堆積したモリブデン膜を除去する工程と、
（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記処理容器内を窒化モリブデン膜でコーティングする工程と、
（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記処理容器内をモリブデン膜でコーティングする工程と、
を有する、クリーニング方法。
続きを表示（約 810 文字）【請求項２】
前記工程（ａ）は、前記処理容器内において前記複数枚の基板に前記モリブデン膜を成膜する処理が行われた後に行われる、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項３】
前記工程（ｂ）は、前記処理容器内にモリブデン含有ガスと窒化ガスとを交互に供給することを含む、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項４】
前記工程（ｃ）は、前記処理容器内にモリブデン含有ガスと還元ガスとを交互に供給することを含む、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項５】
前記工程（ｃ）は、前記工程（ｂ）よりも高い温度で行われる、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項６】
前記工程（ｃ）は、前記工程（ｂ）と同じ温度で行われる、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項７】
前記工程（ａ）、前記工程（ｂ）及び前記工程（ｃ）は、前記処理容器内に基板がない状態で行われる、
請求項１に記載のクリーニング方法。
【請求項８】
前記クリーニングガスは、フッ素ガスである、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項９】
前記処理容器内には、第１表面と、第１表面よりも低い温度に維持された第２表面とがあり、
前記工程（ｂ）は、前記第１表面及び前記第２表面を前記窒化モリブデン膜でコーティングすることを含む、
請求項１乃至７のいずれか一項に記載のクリーニング方法。
【請求項１０】
前記第１表面は、前記複数枚の基板を保持する基板保持具の表面であり、
前記第２表面は、前記基板保持具を支持する支持体の表面である、
請求項９に記載のクリーニング方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、クリーニング方法及び成膜装置に関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
絶縁膜の上にモリブデン膜を形成する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１８６３０７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本開示は、クリーニングの後に行われる１回目の成膜処理と２回目以降の成膜処理との間で膜特性に差が生じることを低減できる技術を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本開示の一態様によるクリーニング方法は、処理容器内に複数枚の基板を収容してモリブデン膜を成膜する成膜装置のクリーニング方法であって、（ａ）前記処理容器内にクリーニングガスを供給し、前記処理容器内に堆積したモリブデン膜を除去する工程と、（ｂ）前記工程（ａ）の後に、前記処理容器内を窒化モリブデン膜でコーティングする工程と、（ｃ）前記工程（ｂ）の後に、前記処理容器内をモリブデン膜でコーティングする工程と、を有する。
【発明の効果】
【０００６】
本開示によれば、クリーニングの後に行われる１回目の成膜処理と２回目以降の成膜処理との間で膜特性に差が生じることを低減できる。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
実施形態に係る成膜装置を示す鉛直断面図である。
実施形態に係る成膜装置を示す水平断面図である。
実施形態に係るクリーニング方法を示すフローチャートである。
第１コーティング工程の一例を示すフローチャートである。
第２コーティング工程の一例を示すフローチャートである。
第１回数と窒化モリブデン膜の厚さとの関係を示す図である。
第２回数とモリブデン膜の厚さとの関係を示す図である。
実施例におけるモリブデン膜の厚さの測定結果を示す図である。
比較例におけるモリブデン膜の厚さの測定結果を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、添付の図面を参照しながら、本開示の限定的でない例示の実施形態について説明する。添付の全図面中、同一又は対応する部材又は部品については、同一又は対応する参照符号を付し、重複する説明を省略する。
【０００９】
〔成膜装置〕
図１及び図２を参照し、実施形態に係る成膜装置１について説明する。図１は、実施形態に係る成膜装置１を示す鉛直断面図である。図２は、実施形態に係る成膜装置１を示す水平断面図である。
【００１０】
成膜装置１は、複数枚の基板Ｗに対して一度に処理を行うバッチ式の装置である。基板Ｗは、例えば半導体ウエハである。成膜装置１は、処理容器１０と、ガス供給部３０と、排気部４０と、加熱部５０と、制御部９０とを備える。
（【００１１】以降は省略されています）

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