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公開番号2025176526
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-12-04
出願番号2024082742
出願日2024-05-21
発明の名称磁性薄膜積層体の製造方法及びそれに用いる製造装置
出願人株式会社東設
代理人彩雲弁理士法人
主分類C23C 28/00 20060101AFI20251127BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】従来よりも成膜時間を短縮することが可能な磁性薄膜積層体の製造方法及び製造装置を提供する。
【解決手段】磁性膜層10と酸化膜層11とを有する磁性薄膜積層体の製造方法において、成膜対象物12に磁性膜13を電解めっき又は無電解めっきにより成膜し、磁性膜層10を形成する磁性膜形成工程と、成膜対象物12に酸化膜層11を形成する酸化膜形成工程と、を含むものし、該酸化膜形成工程を、磁性膜13上に被酸化膜14を電解めっき又は無電解めっきにより成膜する成膜工程と、略大気圧下で被酸化膜14を酸化して酸化膜15を成膜する酸化工程と、を含むものとする。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
磁性膜層と酸化膜層とを有する磁性薄膜積層体の製造方法であって、
成膜対象物に磁性膜を電解めっき又は無電解めっきにより成膜し、該磁性膜層を形成する磁性膜形成工程と、
該成膜対象物に該酸化膜層を形成する酸化膜形成工程と、を含み、
該酸化膜形成工程は、該磁性膜上に被酸化膜を電解めっき又は無電解めっきにより成膜する成膜工程と、略大気圧下で該被酸化膜を酸化して酸化膜を成膜する酸化工程と、を含むことを特徴とする磁性薄膜積層体の製造方法。
続きを表示（約 650 文字）【請求項２】
前記酸化工程は、前記被酸化膜を、陽極酸化する工程であることを特徴とする請求項１に記載の磁性薄膜積層体の製造方法。
【請求項３】
前記酸化工程は、前記被酸化膜を、酸素の単体及び／又は酸素由来のラジカル若しくイオン及び／又は過酸化水素により酸化する工程であることを特徴とする請求項１に記載の磁性薄膜積層体の製造方法。
【請求項４】
前記酸化工程は、光照射下で行われることを特徴とする請求項３に記載の磁性薄膜積層体の製造方法。
【請求項５】
前記成膜対象物の濡れ性を確保するための前処理工程を更に含むことを特徴とする請求項１に記載の磁性薄膜積層体の製造方法。
【請求項６】
請求項１乃至５の何れに記載の製造方法に用いる磁性薄膜積層体の製造装置であって、
前記磁性膜形成工程を行う第１のめっき手段と、
前記成膜工程を行う第２のめっき手段と、
前記酸化工程を行う酸化処理手段と、
前記成膜対象物を該各手段へと移送するための移送手段と、を備えることを特徴とする磁性薄膜積層体の製造装置。
【請求項７】
前記第２のめっき手段は、前記酸化処理手段を兼ねるものとなっていることを特徴とする請求項６に記載の磁性薄膜積層体の製造装置。
【請求項８】
前記前処理工程を行う前処理手段を更に含むことを特徴とする請求項５を引用する請求項６に記載の磁性薄膜積層体の製造装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、磁性薄膜積層体の製造方法及びそれに用いる製造装置に関し、より詳細には磁性膜層と酸化膜層とを有する磁性薄膜積層体の製造方法及びそれに用いる製造装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、磁性膜層が積層されると共に磁性膜層と磁性膜層との間に酸化膜層が形成された磁性薄膜積層体がある（例えば、特許文献１を参照）。この様な磁性薄膜積層体は、例えば、高周波特性が求められるインダクタに使用されている。
【０００３】
特許文献１に開示された磁性薄膜積層体においては、スパッタリング等の真空堆積技術や電気メッキ技術による磁性膜層の成膜と、化学気相成長（CVD）や物理気相成長（PVD）等の真空蒸着技術による酸化膜層の成膜と、を繰り返し行うことで、磁性膜層と酸化膜層からなる多層膜を得ている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特表２０１９－５２７４７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
磁性膜層と酸化膜層との成膜方法が異なる場合、同一のチャンバ内で磁性膜層と酸化膜層との両方を成膜することは困難であるため、磁性膜層の成膜と酸化膜層の成膜とを異なるチャンバ内で行うこととなる。
【０００６】
又、磁性膜層と酸化膜層との両方をスパッタリングで成膜する場合においても、導電膜である磁性膜はDCスパッタで成膜される一方、絶縁膜である酸化膜はRFスパッタで成膜されることになり、DCスパッタとRFスパッタとを、一のチャンバ内で行うことは、通常は困難であるため、やはり別々のチャンバ内で夫々を成膜することとなる。そのため、どちらにしても、成膜対象物を、チャンバ間で移動させる必要がある。
【０００７】
磁性膜層の成膜と酸化膜層の成膜との少なくとも一方を真空中で成膜するものとすると、成膜対象物をチャンバ間で移動させる毎に、チャンバ内をリークして大気圧に戻す工程と、チャンバ内を真空引きする工程と、の少なくとも一方が必要となる。この両工程は、ある程度の時間を必要とすると共に積層する膜の数に乗じた時間が必要となるため、両工程が、成膜時間の短縮の足枷となっていた。磁性膜層の成膜と酸化膜層の成膜との両方を真空中で成膜する場合は、猶更である。
【０００８】
例えば、酸化膜層の成膜を、真空蒸着で行う場合、チャンバ内を10-
4
乃至10-
5
Pa程度まで減圧し保持する必要があり、通常、この減圧に40乃至50 min程度の時間を要する。又、成膜後に、チャンバ内にリークして、チャンバ内の圧力を大気圧まで戻すのに、通常、10乃至20 min.程度の時間を要する。他方、磁性薄膜積層体は、磁性膜層と酸化膜層とが交互に19層以上積層されることもあるものであり、この場合、少なくともこの工程が9回以上繰り返されることとなる。
【０００９】
そこで、本発明においては、従来よりも成膜時間を短縮することが可能な磁性薄膜積層体の製造方法及び製造装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、磁性膜層と酸化膜層とを有する磁性薄膜積層体の製造方法であって、成膜対象物に磁性膜を電解めっき又は無電解めっきにより成膜し、該磁性膜層を形成する磁性膜形成工程と、該成膜対象物に該酸化膜層を形成する酸化膜形成工程と、を含み、該酸化膜形成工程は、該磁性膜上に被酸化膜を電解めっき又は無電解めっきにより成膜する成膜工程と、略大気圧下で該被酸化膜を酸化して酸化膜を成膜する酸化工程と、を含むことを特徴とする磁性薄膜積層体の製造方法である。
（【００１１】以降は省略されています）

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