特許ウォッチ

公開番号2025169908
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-11-14
出願番号2025074602
出願日2025-04-28
発明の名称温度コントローラを有する基体処理装置
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 16/44 20060101AFI20251107BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】温度コントローラを有する基体処理装置を提供する。
【解決手段】基体処理のための装置は、チャンバ壁によって部分的に画定される反応チャンバと、チャンバ壁内に配置された壁加熱ユニットと、基体を支持するために反応チャンバ内に配置された基体支持体と、基体支持体に面するように構築および配設されたシャワーヘッドと、シャワーヘッド内に配置されたシャワーヘッド加熱ユニットと、壁加熱ユニットおよびシャワーヘッド加熱ユニットの温度を制御するように構成されたコントローラと、を備えてもよく、壁加熱ユニットの温度は、50℃～約150℃で制御されるように構成されており、シャワーヘッド加熱ユニット(20)の温度は、150℃～約300℃で制御されるように構成されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基体処理のための装置であって、
チャンバ壁によって部分的に画定される反応チャンバと、
前記チャンバ壁内に配置された壁加熱ユニットと、
基体を支持するために前記反応チャンバ内に配置された基体支持体と、
前記基体支持体に面するように構成および配置されたシャワーヘッドと、
前記シャワーヘッド内に配置されたシャワーヘッド加熱ユニットと、
前記壁加熱ユニットおよび前記シャワーヘッド加熱ユニットの温度を制御するように構成されたコントローラと、を備え、
前記壁加熱ユニットの温度が、５０℃～１５０℃で制御されるように構成され、
前記シャワーヘッド加熱ユニットの温度が、１５０℃～３００℃で制御されるように構成されている、装置。
続きを表示（約 570 文字）【請求項２】
前記壁加熱ユニットの温度と前記シャワーヘッド加熱ユニットの温度との間の差が、少なくとも６０℃である、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記壁加熱ユニットの温度が、１００℃～１３５℃で制御されるように構成されている、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記シャワーヘッド加熱ユニットの温度が、２１０℃～２３０℃で制御されるように構成されている、請求項１または２に記載の装置。
【請求項５】
前記壁加熱ユニットが、カートリッジヒータを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項６】
前記シャワーヘッド加熱ユニットが、カートリッジヒータを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項７】
前記基体支持体の温度が、２００℃～４００℃の範囲内である、請求項１に記載の装置。
【請求項８】
前記反応チャンバ内の圧力が、１００Ｐａ～１１００Ｐａの範囲内である、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記装置が、プラズマ増強化学蒸着装置を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
プラズマを生成するためのＲＦ電力が、１００Ｗ～４５００Ｗの範囲内である、請求項９に記載の装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、概して、基体処理装置、特に温度コントローラを有する基体処理装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
集積回路は、化学蒸着（ＣＶＤ）、原子層堆積（ＡＬＤ）、プラズマ増強ＣＶＤ（ＰＥＣＶＤ）、プラズマ増強ＡＬＤ（ＰＥＡＬＤ）を含む様々な技法によって堆積された多層の材料を備える。そのため、半導体基体上の材料の堆積は、集積回路を製造するプロセスにおいて重要な工程である。
【０００３】
ＰＥＣＶＤは、ＰＥＡＬＤの堆積速度と比較して高い堆積速度を有するが、プロセススループットのさらなる改善が必要である。スループットを改善するための方法の１つは、クリーニング工程なしで複数の堆積を使用することである。
【０００４】
クリーニングおよび予備コーティングはすべてのウエハに対して実行されるわけではないため、複数の堆積を使用する反応器チャンバ環境は、各堆積基体に対して均一ではない場合がある。例えば、３回の堆積後にクリーニング工程が行われる場合、第二の基体および第三の基体は、第一の基体と比較して異なるチャンバ状態を有する。
【０００５】
この差異は、粒子の不安定性および厚さの不均一性を引き起こす場合がある。不安定性が起こる理由は、低誘電率（ｌｏｗ－ｋ）材料の性質に起因する可能性がある。低誘電率（ｌｏｗ－ｋ）材料は通常、有機構造のＳｉ、Ｏ、Ｃ、Ｈを含む。低誘電率を保つために、有機構造は空隙率を形成するために重要な役割を果たす場合がある。しかしながら、有機構造は、反応チャンバ内で脱気または凝縮を引き起こし、粒子および厚さの不安定性をもたらす場合がある。
【０００６】
この背景技術に記載の、課題および解決手段の検討を含むいずれの検討も、本開示の背景を提供する目的でのみ本開示に含まれており、検討のいずれかまたはすべてが、本発明がなされた時点において既知であったこと、あるいはそれらが先行技術を構成することを認めるものではない。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００７】
この概要は、選択された概念を、単純化した形態で紹介するために提供される。これらの概念は、下記の本開示の例示の実施形態の詳細な説明において、さらに詳細に記載される。この概要は、特許請求される主題の主要な特徴または本質的な特徴を特定することを意図せず、特許請求される主題の範囲を限定するために使用されることも意図していない。
【０００８】
いくつかの実施形態では、基体処理のための装置が提供されている。装置は、チャンバ壁によって部分的に画定される反応チャンバと、チャンバ壁内に配置された壁加熱ユニットと、基体を支持するために反応チャンバ内に配置された基体支持体と、基体支持体に面するように構成および配置されたシャワーヘッドと、シャワーヘッド内に配置されたシャワーヘッド加熱ユニットと、壁加熱ユニットおよびシャワーヘッド加熱ユニットの温度を制御するように構成されたコントローラと、を備えてもよく、壁加熱ユニットの温度は、５０℃～約１５０℃で制御されるように構成されており、シャワーヘッド加熱ユニット（２０）の温度は、１５０℃～約３００℃で制御されるように構成されている。
【０００９】
本開示のさらなる例示的な実施形態によると、壁加熱ユニットの温度とシャワーヘッド加熱ユニットの温度との間の差は、少なくとも６０℃であってもよい。
【００１０】
本開示のさらなる例示的な実施形態によると、壁加熱ユニットの温度は、１００℃～約１３５℃で制御されるように構成されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許