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公開番号2025158316
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-17
出願番号2024060737
出願日2024-04-04
発明の名称コンタクタ治具および検査治具
出願人住友電気工業株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G01R 31/26 20200101AFI20251009BHJP(測定;試験)
要約【課題】コンタクタ治具の導電体が有するインダクタンスを補償して、半導体デバイスの入出力信号の劣化を抑制する。
【解決手段】コンタクタ治具は、絶縁性部材と、第1導電体と、第2導電体とを備える。絶縁性部材は、半導体デバイスと搭載部との間に配置される。第1導電体は、半導体デバイスと搭載部との並び方向である第1方向に沿って絶縁性部材を貫通し、半導体デバイスのグランド電極を搭載部の第1電極に接続する。第2導電体は、第1方向に沿って絶縁性部材を貫通し、第1方向と交差する第2方向において第1導電体と並んで設けられ、半導体デバイスの高周波電極を搭載部の第2電極に接続する。第1導電体は、第1方向および第2方向の双方と交差する第3方向に延びている。第1導電体は、第1突出部分を有する。第1突出部分は、第3方向において第2導電体と並ぶ第1部分を含む。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
半導体デバイスの検査に用いられ、前記半導体デバイスが有するグランド電極および高周波電極それぞれと、前記半導体デバイスを搭載する搭載部が有する第１電極および第２電極それぞれとを相互に接続するコンタクタ治具であって、
前記半導体デバイスと前記搭載部との間に配置される絶縁性部材と、
前記半導体デバイスと前記搭載部との並び方向である第１方向に沿って前記絶縁性部材を貫通し、前記グランド電極を前記第１電極に接続する第１導電体と、
前記第１方向に沿って前記絶縁性部材を貫通し、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１導電体と並んで設けられ、前記高周波電極を前記第２電極に接続する第２導電体と、
を備え、
前記第１導電体は、前記第１方向および前記第２方向の双方と交差する第３方向に延びており、
前記第１導電体は、前記第３方向と交差する方向に突出する第１突出部分を有し、
前記第１突出部分は、前記第３方向において前記第２導電体と並ぶ第１部分を含む、コンタクタ治具。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
前記第１導電体は、前記第３方向と交差する方向に突出する第２突出部分を更に有し、
前記第２突出部分は、前記第３方向において前記第２導電体と並ぶ第２部分を含み、
前記第２導電体は、前記第１部分と前記第２部分との間に位置する、請求項１に記載のコンタクタ治具。
【請求項３】
前記第１突出部分の突出方向における長さは、前記第１方向および前記突出方向の双方と直交する方向における前記第１突出部分の幅よりも大きい、請求項１に記載のコンタクタ治具。
【請求項４】
半導体デバイスの検査に用いられ、前記半導体デバイスが有するグランド電極および高周波電極それぞれと、前記半導体デバイスを搭載する搭載部が有する第１電極および第２電極それぞれとを相互に接続するコンタクタ治具であって、
前記半導体デバイスと前記搭載部との間に配置される絶縁性部材と、
前記半導体デバイスと前記搭載部との並び方向である第１方向に沿って前記絶縁性部材を貫通し、前記グランド電極を前記第１電極に接続する第１導電体と、
前記第１方向に沿って前記絶縁性部材を貫通し、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１導電体と並んで設けられ、前記高周波電極を前記第２電極に接続する第２導電体と、
を備え、
前記絶縁性部材は、前記第１導電体と前記第２導電体との間に配置されて前記絶縁性部材の他の領域よりも高い誘電率を有する高誘電率領域を含む、コンタクタ治具。
【請求項５】
前記第１方向に垂直な断面における前記第１導電体の断面積は、前記第１方向に垂直な断面における前記第２導電体の断面積よりも大きい、請求項１から請求項４のいずれか１項に記載のコンタクタ治具。
【請求項６】
半導体デバイスの検査に用いられる検査治具であって、
グランド電極および高周波電極を有する半導体デバイスを搭載し、第１電極および第２電極を有する搭載部と、
コンタクタ治具と、
を備え、
前記コンタクタ治具は、
前記半導体デバイスと前記搭載部との間に配置される絶縁性部材と、
前記半導体デバイスと前記搭載部との並び方向である第１方向に沿って前記絶縁性部材を貫通し、前記グランド電極を前記第１電極に接続する第１導電体と、
前記第１方向に沿って前記絶縁性部材を貫通し、前記第１方向と交差する第２方向において前記第１導電体と並んで設けられ、前記高周波電極を前記第２電極に接続する第２導電体と、
を有し、
前記搭載部は、
前記第１電極と電気的及び熱的に接続された導電性の筐体と、
前記筐体と前記第２電極との間に設けられた誘電体と、
を更に有し、
前記第２電極は、
前記第２導電体との接続点から延伸する主部と、
前記主部から前記主部の延伸方向と交差する方向に突出するスタブと、
を含む、検査治具。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、コンタクタ治具および検査治具に関する。
続きを表示（約 2,500 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１は、電子部品の性能検査治具を開示する。特許文献２は、半導体装置用評価装置を開示する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００４－５５５０６号公報
特開２００４－６１２９０号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
例えば、トランジスタを内蔵するアンプといった半導体デバイスを製造する際には、その半導体デバイスを組み立てたのち、その半導体デバイスの性能評価のための検査を行う。製品の検査であるため、半導体デバイスの電極を、半田等により試験装置に導電接合することはできない。従って、半導体デバイスの電極を試験装置の電極と電気的に接続するための導電体を有するコンタクタ治具が用いられる。しかしながら、コンタクタ治具の導電体が有するインダクタンス等によって半導体デバイスの入出力信号が劣化すると、検査精度が低下する。
【０００５】
本開示は、コンタクタ治具の導電体が有するインダクタンスを補償して、半導体デバイスの入出力信号の劣化を抑制することができるコンタクタ治具および検査治具を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態によるコンタクタ治具は、半導体デバイスの検査に用いられる。コンタクタ治具は、半導体デバイスの底面に設けられた高周波電極およびグランド電極それぞれと、前記半導体デバイスを搭載する搭載部の表面に設けられた第１電極および第２電極それぞれとを相互に接続する。コンタクタ治具は、絶縁性部材と、第１導電体および第２導電体と、を備える。絶縁性部材は、半導体デバイスの底面と対向する第１面、および搭載部の表面と対向する第２面を有する。第１導電体および第２導電体は、第１面から第２面にわたって絶縁性部材を貫通する。第１導電体および第２導電体は、第１面寄りに位置する第１端および第２面寄りに位置する第２端を有する。第１導電体および第２導電体は、第１面および第２面に沿った第１方向に並ぶ。第１導電体の第１端および第２端それぞれは、高周波電極および第１電極それぞれに接続される。第２導電体の第１端および第２端それぞれは、グランド電極および第２電極それぞれに接続される。第２導電体は、第１方向と交差し表面に沿った第２方向に延びている。第２導電体は、第２方向と交差する方向に突出する第１突出部分を有する。第１突出部分は、第２方向において第１導電体と並ぶ第１部分を含む。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、コンタクタ治具の導電体が有するインダクタンスを補償して、半導体デバイスの入出力信号の劣化を抑制することができるコンタクタ治具および検査治具を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、ドハティ増幅回路の構成を示す図である。
図２は、半導体デバイスおよび検査治具を示す側断面図である。
図３は、コンタクタ治具の一部を拡大して示す平面図である。
図４は、図３に示されたＩＶ－ＩＶ線に沿った断面を示す図である。
図５は、第１変形例に係るコンタクタ治具の一部を拡大して示す平面図である。
図６は、図５に示されたＶＩ－ＶＩ線に沿った断面を示す図である。
図７は、検査治具を示す側断面図である。
図８は、コンタクタ治具の一部を拡大して示す平面図である。
図９は、半導体デバイスおよび検査治具を示す側断面図である。
図１０は、コンタクタ治具の一部を拡大して示す平面図である。
図１１は、上記各実施形態の効果を検証したシミュレーション結果を示すスミスチャートである。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
最初に、本開示の実施形態の内容を列記して説明する。［１］本開示の一実施形態によるコンタクタ治具は、半導体デバイスの検査に用いられる。コンタクタ治具は、半導体デバイスが有するグランド電極および高周波電極それぞれと、半導体デバイスを搭載する搭載部が有する第１電極および第２電極それぞれとを相互に接続する。コンタクタ治具は、絶縁性部材と、第１導電体と、第２導電体とを備える。絶縁性部材は、半導体デバイスと搭載部との間に配置される。第１導電体は、半導体デバイスと搭載部との並び方向である第１方向に沿って絶縁性部材を貫通し、グランド電極を第１電極に接続する。第２導電体は、第１方向に沿って絶縁性部材を貫通し、第１方向と交差する第２方向において第１導電体と並んで設けられ、高周波電極を第２電極に接続する。第１導電体は、第１方向および第２方向の双方と交差する第３方向に延びている。第１導電体は、第３方向と交差する方向に突出する第１突出部分を有する。第１突出部分は、第３方向において第２導電体と並ぶ第１部分を含む。
【００１０】
上記［１］のコンタクタ治具では、第１導電体がグランド電極を第１電極に接続し、第２導電体が高周波電極を第２電極に接続する。第１導電体と第２導電体との間には、第１導電体と第２導電体との間隔および対向面積に応じた大きさの容量が存在する。その容量は、第２導電体が有するインダクタンスを補償して、そのインダクタンスによる信号劣化を低減する。しかしながら、第１導電体と第２導電体との間隔および対向面積は、半導体デバイスのグランド電極および高周波電極の位置および大きさに依存するので、自由に変更することができない。そこで、上記［１］のコンタクタ治具では、第１導電体が第１突出部分を有し、第１突出部分は、第２導電体と並ぶ第１部分を含む。これにより、第１導電体と第２導電体との間の容量を増大させることができる。従って、上記［１］のコンタクタ治具によれば、第２導電体が有するインダクタンスをより効果的に補償して、そのインダクタンスによる信号劣化を抑制することができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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