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公開番号2025154385
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024057343
出願日2024-03-29
発明の名称配線基板の製造方法
出願人新光電気工業株式会社
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H05K 3/46 20060101AFI20251002BHJP(他に分類されない電気技術)
要約【課題】レーザ加工によるパッド及びパッド周囲のシード層の劣化を抑制する。
【解決手段】配線基板の製造方法は、第1絶縁層の上面に金属からなるシード層を積層する工程と、シード層の上面に、金属からなるパッド本体と、パッド本体の上面及び側面を被覆し且つ少なくとも一部にパッド本体とは異なる金属からなる金属層を備える表面処理層とを有するパッドを形成する工程と、パッドの表面と、パッド周囲のシード層の上面とを被覆する保護膜を形成する工程と、第1絶縁層の上面に、保護膜の表面を被覆する第2絶縁層を形成する工程と、レーザ加工により、第2絶縁層に、保護膜の表面を露出させるキャビティを形成する工程と、エッチングにより、キャビティ内に露出する保護膜を除去する工程と、シード層のパッドと重ならない部分を除去する工程とを有する。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
第１絶縁層の上面に金属からなるシード層を積層する工程と、
前記シード層の上面に、金属からなるパッド本体と、前記パッド本体の上面及び側面を被覆し且つ少なくとも一部に前記パッド本体とは異なる金属からなる金属層を備える表面処理層とを有するパッドを形成する工程と、
前記パッドの表面と、前記パッド周囲の前記シード層の上面とを被覆する保護膜を形成する工程と、
前記第１絶縁層の上面に、前記保護膜の表面を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、
レーザ加工により、前記第２絶縁層に、前記保護膜の表面を露出させるキャビティを形成する工程と、
エッチングにより、前記キャビティ内に露出する前記保護膜を除去する工程と、
前記シード層の前記パッドと重ならない部分を除去する工程と
を有することを特徴とする配線基板の製造方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
前記キャビティ内において、前記パッド上に電子部品を搭載する工程と、
前記キャビティ内を充填して前記電子部品及び前記パッドを被覆する充填樹脂層を形成する工程と
を有することを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項３】
前記保護膜を形成する工程は、
前記表面処理層の前記金属層とは異なる金属からなる単層の前記保護膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項４】
前記保護膜を形成する金属は、
前記シード層を形成する金属と同じ金属であり、
前記シード層の前記部分を除去する工程は、
前記保護膜を除去する工程と同時に行われる
ことを特徴とする請求項３に記載の配線基板の製造方法。
【請求項５】
前記保護膜を形成する工程は、
前記表面処理層の前記金属層とは異なる第１金属からなる第１金属膜と前記表面処理層の前記金属層および前記第１金属とは異なる第２金属からなる第２金属膜とを積層して前記保護膜を形成する
ことを特徴とする請求項１に記載の配線基板の製造方法。
【請求項６】
前記第１金属膜及び前記第２金属膜の厚さは、
それぞれ前記表面処理層の厚さ以下である
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項７】
前記保護膜を形成する工程は、
複数の前記第１金属膜と複数の前記第２金属膜とを交互に積層して前記保護膜を形成する
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項８】
前記第１金属膜を形成する前記第１金属は、
前記シード層を形成する金属と同じ金属であり、
前記保護膜を形成する工程は、
前記保護膜の最下層に前記シード層と接して前記第１金属膜が配置されるように、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを積層して前記保護膜を形成し、
前記保護膜を除去する工程は、
前記保護膜の最下層に配置される前記第１金属膜を除去する工程を含み、
前記シード層の前記部分を除去する工程は、
前記第１金属膜を除去する工程と同時に行われる
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項９】
前記第２金属膜を形成する前記第２金属は、
前記第１金属膜を形成する前記第１金属よりも熱伝導率が低い金属であり、
前記保護膜を形成する工程は、
前記保護膜の最上層に前記第２金属膜が配置されるように、前記第１金属膜と前記第２金属膜とを積層して前記保護膜を形成し、
前記キャビティを形成する工程は、
前記レーザ加工により前記第２絶縁層に前記第２金属膜の表面を露出させる前記キャビティを形成する
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。
【請求項１０】
前記第２金属膜を形成する前記第２金属は、
前記第１金属膜を形成する前記第１金属よりも熱伝導率が低い金属であり、
前記保護膜を形成する工程は、
前記保護膜において前記第１金属膜の厚さよりも前記第２金属膜の厚さを厚くする
ことを特徴とする請求項５に記載の配線基板の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、配線基板の製造方法に関する。
続きを表示（約 2,400 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、高密度な部品実装を実現するために、例えば、コンデンサ等の電子部品を基板の内部に内蔵する配線基板が注目されている。電子部品を内蔵する配線基板は、例えば、絶縁層と配線層とからなる層を積層した基板の絶縁層にキャビティを設け、電子部品が配置されたキャビティ内に充填樹脂を充填することで製造される。
【０００３】
電子部品は、キャビティ内に露出する配線層のパッド上にはんだを用いて接合される。具体的には、配線基板を形成する絶縁層の表面に、例えば銅等の金属からなるシード層が形成され、このシード層の上面に例えば銅等の金属からなるパッドを含む配線層が形成される。そして、キャビティが形成される予定の領域に配置されたパッド周囲のシード層が残るようにシード層の不要部分が除去される。そして、パッドの表面とパッド周囲のシード層の上面とを被覆する他の絶縁層が絶縁層の表面に形成され、レーザ加工により、他の絶縁層に、パッドの表面とパッド周囲のシード層の上面とを露出させるキャビティが形成される。その後、キャビティ内において、パッドと重ならない不要部分がシード層から除去され、パッドと電子部品の電極とがはんだを介して接合される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特表２０２３－５３３２３３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、レーザ加工によりキャビティを形成する工程では、レーザがキャビティ内に露出するパッド及びパッド周囲のシード層に対して直接照射されるため、照射されるレーザの熱によってパッド及びパッド周囲のシード層が劣化するという問題がある。
【０００６】
開示の技術は、上記に鑑みてなされたものであって、レーザ加工によるパッド及びパッド周囲のシード層の劣化を抑制することができる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本願の開示する配線基板の製造方法は、一つの態様において、第１絶縁層の上面に金属からなるシード層を積層する工程と、シード層の上面に、金属からなるパッド本体と、パッド本体の上面及び側面を被覆し且つ少なくとも一部にパッド本体とは異なる金属からなる金属層を備える表面処理層とを有するパッドを形成する工程と、パッドの表面と、パッド周囲のシード層の上面とを被覆する保護膜を形成する工程と、第１絶縁層の上面に、保護膜の表面を被覆する第２絶縁層を形成する工程と、レーザ加工により、第２絶縁層に、保護膜の表面を露出させるキャビティを形成する工程と、エッチングにより、キャビティ内に露出する保護膜を除去する工程と、シード層のパッドと重ならない部分を除去する工程とを有する。
【発明の効果】
【０００８】
本願の開示する配線基板の製造方法の一つの態様によれば、レーザ加工によるパッド及びパッド周囲のシード層の劣化を抑制することができる、という効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
図１は、第１実施形態に係る配線基板の構成を示す図である。
図２は、パッド周辺を拡大して示す図である。
図３は、第１実施形態に係る配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
図４は、ビルドアップ工程の具体例を示す図である。
図５は、ビアホール形成工程の具体例を示す図である。
図６は、シード層形成工程の具体例を示す図である。
図７は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。
図８は、電解めっき工程の具体例を示す図である。
図９は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。
図１０は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。
図１１は、表面処理層形成工程の具体例を示す図である。
図１２は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。
図１３は、レジスト層形成工程の具体例を示す図である。
図１４は、保護膜形成工程の具体例を示す図である。
図１５は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。
図１６は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。
図１７は、キャビティ形成工程の具体例を示す図である。
図１８は、保護膜除去工程の具体例を示す図である。
図１９は、電子部品搭載工程の具体例を示す図である。
図２０は、電子部品埋め込み工程の具体例を示す図である。
図２１は、ビアホール形成工程の具体例を示す図である。
図２２は、配線形成工程の具体例を示す図である。
図２３は、ソルダーレジスト層形成工程の具体例を示す図である。
図２４は、保護膜の厚さのばらつきを説明する図である。
図２５は、表面処理層に対してガルバニック腐食が発生する様子を説明する図である。
図２６は、第２実施形態に係る配線基板の製造方法を示すフローチャートである。
図２７は、保護膜形成工程の具体例を示す図である。
図２８は、レジスト層除去工程の具体例を示す図である。
図２９は、絶縁層形成工程の具体例を示す図である。
図３０は、キャビティ形成工程の具体例を示す図である。
図３１は、保護膜形成工程の変形例１を示す図である。
図３２は、保護膜形成工程の変形例２を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下に、本願の開示する配線基板の製造方法の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。なお、この実施形態により開示技術が限定されるものではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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