特許ウォッチ

公開番号2025137160
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-09-19
出願番号2024036210
出願日2024-03-08
発明の名称加工方法及びレーザ加工プログラム
出願人株式会社ディスコ
代理人弁理士法人酒井国際特許事務所
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250911BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】分割不良を抑制することができること。
【解決手段】加工方法は、基材と基材に積層されたデバイス層とを有し、複数の分割予定ラインが設定された被加工物の加工方法であって、デバイス層は、少なくとも分割予定ラインに重なる領域に特定層を含み、基材を介して被加工物の分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射してデバイス層を構成する特定層を変質させる特定層変質ステップ1001と、特定層変質ステップ1001を実施した後、分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して基材に分割予定ラインに沿った改質層を形成するとともに改質層から伸長しデバイス層を分断するクラックを形成する改質ステップ1002と、を備える。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
基材と該基材に積層されたデバイス層とを有し、複数の分割予定ラインが設定された被加工物の加工方法であって、
該デバイス層は、複数の層が積層されて構成され、
該基材を介して被加工物の該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該デバイス層を構成する特定層を変質させる特定層変質ステップと、
該特定層変質ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該基材に該分割予定ラインに沿った改質層を形成するとともに該改質層から伸長し該デバイス層を分断するクラックを形成する改質ステップと、を備えた加工方法。
続きを表示（約 720 文字）【請求項２】
該特定層変質ステップでは、該特定層の該分割予定ラインの伸長方向と直交する方向に所定の幅を有した領域に該レーザビームが照射される、請求項１に記載の加工方法。
【請求項３】
該特定層変質ステップでは、該レーザビームの集光点を該特定層とは異なる位置に位置付けて該レーザビームを照射する、請求項２に記載の加工方法。
【請求項４】
該特定層変質ステップでは、該分割予定ラインに沿ってパルスレーザビームを照射し、
１のパルスレーザビームが該特定層に照射されたパルスレーザビームスポットと、次の該パルスレーザビームが該特定層に照射されたパルスレーザビームスポットと、が互いに重なるように照射される、請求項２または請求項３に記載の加工方法。
【請求項５】
該改質ステップを実施した後、該基材を研削して薄化する研削ステップを更に備えた、請求項１に記載の加工方法。
【請求項６】
基材と該基材に積層されたデバイス層とを有し、複数の分割予定ラインが設定された被加工物を加工するレーザ加工プログラムであって、
該デバイス層は、複数の層が積層されて構成され、
該基材を介して被加工物の該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該デバイス層を構成する特定層を変質させる特定層変質ステップと、
該特定層変質ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該基材に該分割予定ラインに沿った改質層を形成するとともに該改質層から伸長し該デバイス層を分断するクラックを形成する改質ステップと、をコンピュータに実行させるレーザ加工プログラム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基材とデバイス層とを有した被加工物の加工方法及びレーザ加工プログラムに関する。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば、半導体基材上にデバイスを構成するデバイス層が積層された半導体ウェーハの分割に際してレーザビームを利用する加工方法が提案されている（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献１に示された加工方法は、レーザビームを半導体ウェーハ内部に集光させつつストリートに沿って照射することで半導体基材の内部に改質層を形成し、改質層から半導体ウェーハの表面に向かってクラックを伸長させている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００５－８６１６１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかし、特許文献１に示された加工方法は、デバイス層の厚みや材質等によっては、改質層からクラックがまっすぐ伸びず、斜めに伸長したり、改質層からクラックが二股に伸長したりする場合があり、このような分割不良の場合、半導体ウェーハが分割されて形成されるチップの外径サイズにばらつきが生じてしまうため、改善が切望されている。
【０００６】
本発明の目的は、分割不良を抑制することができる加工方法及びレーザ加工プログラムを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上述した課題を解決し、目的を達成するために、本発明の加工方法は、基材と該基材に積層されたデバイス層とを有し、複数の分割予定ラインが設定された被加工物の加工方法であって、該デバイス層は、複数の層が積層されて構成され、該基材を介して被加工物の該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該デバイス層を構成する特定層を変質させる特定層変質ステップと、該特定層変質ステップを実施した後、該分割予定ラインに沿ってレーザビームを照射して該基材に該分割予定ラインに沿った改質層を形成するとともに該改質層から伸長し該デバイス層を分断するクラックを形成する改質ステップと、を備えたことを特徴とする。
【０００８】
前記加工方法において、該特定層変質ステップでは、該特定層の該分割予定ラインの伸長方向と直交する方向に所定の幅を有した領域に該レーザビームが照射されてもよい。
【０００９】
前記加工方法において、該特定層変質ステップでは、該レーザビームの集光点を該特定層とは異なる位置に位置付けて該レーザビームを照射してもよい。
【００１０】
前記加工方法において、該特定層変質ステップでは、該分割予定ラインに沿ってパルスレーザビームを照射し、１のパルスレーザビームが該特定層に照射されたパルスレーザビームスポットと、次の該パルスレーザビームが該特定層に照射されたパルスレーザビームスポットと、が互いに重なるように照射されてもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許