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公開番号2025116200
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-07
出願番号2025093035,2023129724
出願日2025-06-04,2018-02-19
発明の名称研削装置
出願人株式会社東京精密
代理人個人
主分類B24B 49/04 20060101AFI20250731BHJP(研削;研磨)
要約【課題】研削加工を効率的に行えるとともに部品点数が少ないシンプルな構成でウェハ形状を測定する研削装置を提供する。
【解決手段】研削装置1は、ウェハWの厚みを定点測定する固定式厚み測定器8と、ウェハWの半径方向Rに測定位置P1を変更してウェハWの厚みを測定する移動式厚み測定器7と、測定点移動式厚み測定器7の測定値T2の厚み変化から、ウェハWの削り代に対応する固定式厚み測定器8の測定値T1の減少分を除いて、ウェハWの形状を演算する制御装置9と、を備えている。
【選択図】図8
特許請求の範囲【請求項１】
砥石でウェハの上面を研削する研削装置であって、
前記ウェハの研削加工中に前記ウェハの厚みを定点測定する定点測定手段と、
前記ウェハの研削加工中に前記ウェハの厚みを前記ウェハの半径方向に測定位置を変更して測定する移動式測定手段と、
前記移動式測定手段の測定値の厚み変化から、前記ウェハの削り代に対応する前記定点測定手段の測定値の減少分を除いて、前記ウェハの形状を演算する制御装置と、
を備えていることを特徴とする研削装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、ウェハを研削する研削装置に関するものである。
続きを表示（約 1,100 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体製造分野では、シリコンウェハ等の半導体ウェハ（以下、「ウェハ」という）の上面を研削して、ウェハを所望の形状に加工する研削装置が知られている。近年では、ウェハの薄膜化が進んだり、ウェハの表裏を貫通する貫通電極が形成される等して、ウェハを略均一な厚みに加工するニーズが高まっている。
【０００３】
また、薄いウェハを研削加工する場合に、ウェハの非研削面側に接着樹脂を介してサポート基板を貼り付けた状態で研削加工を行うことがある。しかしながら、サポート基板の厚みバラつきや接着樹脂の厚みムラが、研削加工後のウェハ形状に転写されてしまうため、サポート基板、接着樹脂の厚みの不均一性を考慮した上で、ウェハ厚みの枚様補正を行う必要がある。
【０００４】
ウェハ厚みを確認しながら研削加工を行う必要があるが、加工中はウェハの厚みが常に減少し続けるため、ウェハ上の厚み測定位置を変更すると、測定値の変化が削り代に起因するものかウェハ内の厚みばらつきに起因するものかが区別できなかった。
【０００５】
特許文献１記載の研削加工装置では、研削加工を途中まで行った後に下降を中断して、ウェハの形状を測定し、この測定された形状を所望の形状に補正するように研削を再開する。
【０００６】
また、特許文献２記載の表面研削装置では、ウェハの半半径方向に所定間隔をあけて配置された３つの非接触センサが、研削加工中のウェハの厚みを定点で測定することによりウェハの形状を測定する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００８－２６４９１３号公報
特開平９－８５６１９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、特許文献１記載の装置では、ウェハの厚みを測定するに際して、砥石をウェハから離れるように退避させる必要があり、加工時間が長くなるとともに、加工の中断前後で加工位置の連続性が保てないという問題があった。
【０００９】
また、特許文献２記載の装置では、定点測定を行う非接触センサを３つ用意する必要があり、装置構成が複雑になるという問題があった。
【００１０】
そこで、研削加工を効率的に行えるとともに部品点数が少ないシンプルな構成でウェハ形状を測定するために解決すべき技術的課題が生じてくるのであり、本発明はこの課題を解決することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
（【００１１】以降は省略されています）

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