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公開番号2025153865
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-10-10
出願番号2024056544
出願日2024-03-29
発明の名称ウェーハの面取り装置
出願人株式会社東京精密
代理人スプリング弁理士法人
主分類B24B 53/00 20060101AFI20251002BHJP(研削;研磨)
要約【課題】ツルア作製砥石の寿命による交換、調整を容易、かつ多品種に対応を可能とするウェーハの面取り装置を得る。
【解決手段】研削砥石16をツルア10によりツルーイングし、ツルーイングされた研削砥石16を用いてウェーハWの外周のエッジ部を研削するウェーハの面取り装置において、ツルア10のエッジ形状をツルア加工プログラム50に従って作成するツルア作製砥石15と、ツルア作製砥石15を外周部に複数設置した円板状の固定円板31と、ツルア作製砥石15とツルア10及び研削砥石16の加工条件を制御する制御部30と、を備え、ツルア作製砥石15は、固定円板31が制御部30によって回転及び停止されて、切り替えられる。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
研削砥石をツルアによりツルーイングし、前記ツルーイングされた前記研削砥石を用いてウェーハの外周のエッジ部を研削するウェーハの面取り装置において、
前記ツルアのエッジ形状をツルア加工プログラムに従って作製するツルア作製砥石と、
前記ツルア作製砥石を複数設置した板状の固定板と、
前記ツルア作製砥石と前記ツルア及び前記研削砥石の加工条件を制御する制御部と、
を備え、前記ツルア作製砥石は、前記固定板が前記制御部によって移動及び停止されて、切り替えられることを特徴とするウェーハの面取り装置。
続きを表示（約 750 文字）【請求項２】
前記ツルアの目標形状に応じて前記ツルア作製砥石が切り替えられることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの面取り装置。
【請求項３】
前記ツルア作製砥石の切り替えは、前記ツルア作製砥石の寿命に応じて切り替えられることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの面取り装置。
【請求項４】
前記ツルアのエッジ形状を測定して前記ツルア作製砥石を評価するツルア作製砥石評価部を備え、前記評価に基づいて前記ツルア作製砥石が切り替えられることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの面取り装置。
【請求項５】
前記ウェーハの断面形状を測定する形状測定部と、
前記研削砥石で加工された前記ウェーハの形状を前記形状測定部で測定し、目標形状と比較して判定し、加工条件と関連付けて記憶した加工条件データベースと、
前記加工条件データベースから構築された学習モデルと、
を備え、前記学習モデルに基づいて前記ツルア作製砥石の選択、砥石溝形状の作製が行われることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの面取り装置。
【請求項６】
前記ツルア作製砥石は、粗削り用ツルア作製砥石と目標形状作製用の前記ツルア作製砥石とを併用して前記ツルアのエッジ形状を作製することを特徴とする請求項１に記載のウェーハの面取り装置。
【請求項７】
前記ツルア作製砥石は、砥石カートリッジに装着されて前記固定板の外周部に設置されることを特徴とする請求項１に記載のウェーハの面取り装置。
【請求項８】
前記砥石カートリッジの交換は、前記制御部によって行われることを特徴とする請求項７に記載のウェーハの面取り装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体ウェーハの端面における面取り装置に使用される溝形状を有する外周精研砥石（研削砥石）をツルアで転写（ツルーイング）し、転写された外周精研砥石を用いてウェーハ（半導体材料基板）の外周のエッジ部を研削するウェーハの面取り装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
近年、ウェーハの面取り加工において使用される溝形状を有する研削砥石は、多品種少量生産、ウェーハの品質向上、歩留まり向上などを目的として、高精度化、品質向上の要求が高まっている。
【０００３】
また、炭素（Ｃ）とシリコン（Ｓｉ）との化合物であるＳｉＣ（炭化ケイ素）を始め、バンドギャップ（ＵＷＢＧ）が大きく、結晶を構成する原子間の結合が強い壊れにくい材料、例えばＧａＮ（窒化ガリウム）、酸化ガリウム、ＡｌＧａＮ、ダイヤモンドを利用した半導体は、シリコン半導体より小型、低消費電力、高効率のパワー素子、高周波素子、耐放射線性に優れた半導体材料として期待され、実用化が進んでいる。しかし、４Ｈ-ＳｉＣ等のＵＷＢＧ材料は、難加工材であるため研削砥石の溝形状の高精度化、品質向上がより強く求められている。
【０００４】
半導体ウェーハの製造工程における面取り加工は、研削砥石をツルアによりツルーイングすること、研削後ウェーハのエッジ形状を測定すること、をウェーハが所望の形状になるまで繰り返すことが必要とされていた。
【０００５】
また、半導体ウェーハの外周面取りの仕上げ加工は、円周方向の研削痕が発生するのを防止するため、ウェーハに対して研削砥石を傾けて面取り部を研削する、いわゆるヘリカル研削を行うことが知られている。ただし、ヘリカル研削は、研削砥石のツルーイングによる形状の形成に関して、微妙な調整が不可欠であり、時間が掛かり、熟練した専任の担当者が必要であった。
【０００６】
板状物の面取り装置に用いられる面取り砥石の溝形状を、容易に、所望の形状に、ツルーイングするために、マスター砥石の溝形状をツルーイング砥石の外周に転写し、このツルーイング砥石の外周形状を面取り砥石に転写して、面取り砥石に溝を形成することが知られ、例えば特許文献１に記載されている。
【０００７】
特許文献２は、ツルアを用いて溝の形成を行うヘリカル研削用のツルーイングにおいて、転写率、加工性を向上すると共に、ツルアによって形成されるウェーハ研削砥石の溝精度を向上するため、研削砥石に形成する溝の上部あるいは下部をツルアで加工することが記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
特開２００５－１５３０８５号公報
特開２０１８－１６７３３１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
上記従来技術において、特許文献１に記載のものは、面取り加工を行う研削砥石のツルーイングを行う上でツルアの移動等に熟練した専任の担当者による調整が不可欠であった。
【００１０】
また、上記従来技術は、ツルアのエッジ部をツルア加工プログラムで作製するツルア作製砥石を必要とする。しかし、ツルア作製砥石は、通常、外周粗研用の砥石に併設された専用の砥石溝で固定形状の溝とされていた。つまり、外周粗研用の砥石は、ツルア作製砥石と軸を共有しているため、収納スペースの制限から溝数を多くすることが困難であり、スループットを少なくせざるを得なかった。
（【００１１】以降は省略されています）

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