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公開番号2025125511
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-08-27
出願番号2025007084
出願日2025-01-17
発明の名称研磨パッド
出願人旭化成株式会社
代理人個人,個人,個人,個人
主分類B24B 37/24 20120101AFI20250820BHJP(研削;研磨)
要約【課題】研磨工程において被研磨物を高い研磨レートで研磨でき、安定してドレッシング可能な研磨パッドを提供する。
【解決手段】下記の条件(1)～(2)を満たす水添ブロック共重合体(イ)を5質量%以上含み、JISK7125に従い測定される静止摩擦係数の値が1.2以下である研磨パッド。<条件(1)>:水添ブロック共重合体(イ)は、ビニル芳香族単量体単位と共役ジエン単量体単位とを含む、ブロック共重合体の水添物である。<条件(2)>:水添ブロック共重合体(イ)は、ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック(a)を、少なくとも1個含有し、水添ブロック共重合体(イ)中のビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック(a)の含有量が、10質量%以上である。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
下記の条件（１）～（２）を満たす水添ブロック共重合体（イ）を５質量％以上含み、ＪＩＳＫ７１２５に従い測定される静止摩擦係数の値が１．２以下である研磨パッド。
＜条件（１）＞：
前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位と共役ジエン単量体単位とを含む、ブロック共重合体の水添物である。
＜条件（２）＞：
前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）を、少なくとも１個含有し、
前記水添ブロック共重合体（イ）中の前記ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）の含有量が、１０質量％以上である。
続きを表示（約 510 文字）【請求項２】
前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位と共役ジエン単量体単位とからなる水添共重合体ブロック（ｂ）を、少なくとも１個含有し、
前記水添共重合体ブロック（ｂ）中のビニル芳香族単量体単位の含有量が、５質量％以上７９質量％以下である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項３】
前記水添共重合体ブロック（ｂ）中のビニル芳香族単量体単位の含有量が、４５質量％以上７９質量％以下である、請求項２に記載の研磨パッド。
【請求項４】
前記水添ブロック共重合体（イ）を４０質量％以上含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項５】
前記水添ブロック共重合体（イ）を７０質量％以上含む、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項６】
ＪＩＳＫ７１２５に従い測定した動摩擦係数の値が０．６以下である、請求項１に記載の研磨パッド。
【請求項７】
前記水添ブロック共重合体（イ）中の前記ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）の含有量が、１５質量％以上４０質量％以下である、請求項１に記載の研磨パッド。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、研磨パッドに関する。
続きを表示（約 2,700 文字）【背景技術】
【０００２】
集積回路及び他の電子デバイスの製造において、導電性材料、半導体材料及び誘電性材料の複数の層が、半導体ウェーハの表面上に堆積され又は半導体ウェーハの表面から除去される。導電性材料、半導体材料及び誘電性材料の薄層は、多くの堆積技術により堆積させることができる。
現代の処理における一般的な堆積技術は、スパッタリングとしても知られる物理蒸着（ＰＶＤ）、化学蒸着（ＣＶＤ）、プラズマ促進化学蒸着（ＰＥＣＶＤ）及び電気化学メッキ（ＥＣＰ）を含む。材料の層が順次堆積され、そして除去されるにつれて、ウェーハの最上面は非平坦化する。後続の半導体処理（例えば、メタライゼーション）では、ウェーハが平坦な表面を有する必要があるため、ウェーハは平坦化を必要とする。
平坦化は、粗い表面、凝集した材料、結晶格子損傷、スクラッチ、及び汚染された層又は材料などの、望ましくない表面トポグラフィ及び表面欠陥を除去するのに有用である。
【０００３】
ケミカルメカニカルプラナリゼーション、又はケミカルメカニカルポリッシング（ＣＭＰ）は、半導体ウェーハなどの基材を平坦化するのに使用される一般的な技術である。従来のＣＭＰでは、ウェーハは、キャリアアセンブリ上に取り付けられ、ＣＭＰ装置内の研磨パッドと接触して位置決めされる。キャリアアセンブリは、制御可能な圧力をウェーハに提供し、ウェーハを研磨パッドに押し付ける。パッドは、外部駆動力によりウェーハに対して移動（例えば、回転）される。それと同時に、化学組成物（「スラリー」）又は他の研磨溶液が、ウェーハと研磨パッドとの間に提供される。このようにして、ウェーハ表面は、パッド表面及びスラリーの化学的及び機械的作用により研磨され、平坦化される。研磨パッドの製造には、多種多様な組成物及び方法が用いられている。本明細書で使用されるとき、用語「半導体ウェーハ」は、パターンのない半導体又はパターンを有する半導体のような、半導体基材、半導体デバイス、様々なレベルの相互接続のための様々なパッケージ（シングルチップウェーハ又はマルチチップウェーハ、発光ダイオード（ＬＥＤ）用の基材、又ははんだ接続を必要とする他のアセンブリを含む）を包含することが意図される。
特許文献１には、スチレン系熱可塑性エラストマーを含む研磨パッドとすることにより、高い研磨レートを実現できることが開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０２３－５８４４２
【発明の概要】
【０００５】
しかしながら、特許文献１に記載の研磨パッドは、スチレン系熱可塑性エラストマーを含むことにより高い摩擦係数を有することに起因し、ドレスが安定しないことが分かった。
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
上記の問題に鑑み、本発明の目的は、研磨工程において被研磨物を高い研磨レートで研磨でき、安定してドレッシング可能な研磨パッドを提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
［１］下記の条件（１）～（２）を満たす水添ブロック共重合体（イ）を５質量％以上含み、ＪＩＳＫ７１２５に従い測定される静止摩擦係数の値が１．２以下である研磨パッド。
＜条件（１）＞：
前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位と共役ジエン単量体単位とを含む、ブロック共重合体の水添物である。
＜条件（２）＞：
前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）を、少なくとも１個含有し、
前記水添ブロック共重合体（イ）中の前記ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）の含有量が、１０質量％以上である。
［２］前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位と共役ジエン単量体単位とからなる水添共重合体ブロック（ｂ）を、少なくとも１個含有し、
前記水添共重合体ブロック（ｂ）中のビニル芳香族単量体単位の含有量が、５質量％以上７９質量％以下である、［１］に記載の研磨パッド。
［３］前記水添共重合体ブロック（ｂ）中のビニル芳香族単量体単位の含有量が、４５質量％以上７９質量％以下である、［２］に記載の研磨パッド。
［４］前記水添ブロック共重合体（イ）を４０質量％以上含む、［１］～［３］のいずれか１つに記載の研磨パッド。
［５］前記水添ブロック共重合体（イ）を７０質量％以上含む、［１］～［４］のいずれか１つに記載の研磨パッド。
［６］ＪＩＳＫ７１２５に従い測定した動摩擦係数の値が０．６以下である、［１］～［５］のいずれか１つに記載の研磨パッド。
［７］前記水添ブロック共重合体（イ）中の前記ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）の含有量が、１５質量％以上４０質量％以下である、［１］～［６］のいずれか１つに記載の研磨パッド。
【発明の効果】
【０００８】
研磨工程において被研磨物を高い研磨レートで研磨でき、安定してドレッシング可能な研磨パッドを提供できる。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
≪研磨パッド≫
本実施形態の研磨パッドは、下記の条件（１）～（２）を満たす水添ブロック共重合体（イ）を５質量％以上含み、ＪＩＳＫ７１２５に従い測定される静止摩擦係数の値が１．２以下である。
＜条件（１）＞：
前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位と共役ジエン単量体単位とを含む、ブロック共重合体の水添物である。
＜条件（２）＞：
前記水添ブロック共重合体（イ）は、ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）を、少なくとも１個含有し、
前記水添ブロック共重合体（イ）中の前記ビニル芳香族単量体単位を主体とする重合体ブロック（ａ）の含有量が、１０質量％以上である。
【００１０】
本実施形態の研磨パッドは、上述の構成を含むことで、研磨工程において被研磨物を高い研磨レートで研磨でき、安定してドレッシングできる。
（【００１１】以降は省略されています）

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