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公開番号2025106132
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-07-11
出願番号2025076010,2023128424
出願日2025-05-01,2023-08-07
発明の名称長尺SiCチューブを製造するための方法およびシステム
出願人ツー-シックスデラウェアインコーポレイテッド,II-VI Delaware,Inc.
代理人個人,個人,個人,個人
主分類B28B 1/26 20060101AFI20250704BHJP(セメント,粘土,または石材の加工)
要約【課題】反応接合用のプリフォーム部品をキャスティングする方法であって、鋳型の内側表面およびマンドレルの表面を離型層でコーティングするステップを含む、方法を提供すること。
【解決手段】鋳型およびマンドレルから組立鋳型が形成され、鋳型キャビティにスラリーを流し込んで沈殿させることによりプリフォームケーキが形成される。離型層を熱的に除去することは、熱分解後のマンドレルの取外しおよびプリフォームケーキの取外しを助ける。
【選択図】なし
特許請求の範囲【請求項１】
反応接合のためのプリフォーム部品をキャスティングする方法であって、
鋳型の内側表面を第１の離型層でコーティングするステップ；
マンドレルの表面を第２の離型層でコーティングするステップ；
前記コーティングされたマンドレルを前記コーティングされた鋳型に挿入して組立鋳型を形成するステップであって、前記組立鋳型が鋳型キャビティを備える、ステップ；
前記鋳型キャビティにスラリーを流し込むステップ；
前記スラリーを前記鋳型キャビティ内で沈殿させることによりプリフォームケーキを形成するステップ；
前記第２の離型層を熱的に除去するステップ；
前記組立鋳型から前記マンドレルを取り出すステップ；
前記プリフォームケーキの有機含有物を炭素含有物に熱分解するステップ；および
前記第１の離型層を熱的に除去するステップ
を含む、方法。
続きを表示（約 630 文字）【請求項２】
前記組立鋳型内における、前記コーティングされたマンドレルと前記コーティングされた鋳型との間の空間が前記鋳型キャビティを形成している、請求項１に記載の方法。
【請求項３】
前記第２の離型層を８０℃超に加熱して、前記第２の離型層を溶融または焼失により熱的に除去するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項４】
前記プリフォームケーキおよび前記第１の離型層を５００℃超に加熱して、前記熱分解を達成し、前記第１の離型層を前記熱的に除去するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項５】
鋳型の前記内側表面をコーティングするステップが、複数の鋳型部品の内側表面をコーティングするステップを含み、前記複数の鋳型部品が前記鋳型を形成する、請求項１に記載の方法。
【請求項６】
複数のクラムシェル鋳型から前記鋳型を形成するステップを含む、請求項１に記載の方法。
【請求項７】
前記複数の鋳型部品がクラムシェル鋳型である、請求項５に記載の方法。
【請求項８】
前記第１の離型層がアクリル層である、請求項１に記載の方法。
【請求項９】
前記アクリル層を吹き付けるステップを含む、請求項８に記載の方法。
【請求項１０】
前記第２の離型層がシートワックス層である、請求項１に記載の方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
[0001]本開示は、一般に、長尺ＳｉＣチューブを製造するための方法およびシステムに関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
[0002]本開示の態様は、長尺ＳｉＣチューブを製造するための方法およびシステムに関する。長尺ＳｉＣチューブを製造するための従来の解決策には、さまざまな問題が存在する場合がある。この点に関して、長尺ＳｉＣチューブを製造するための従来のシステムおよび方法は、コストが高く、面倒であり、および／または非効率的である場合がある。
【０００３】
[0003]従来のシステムおよび方法の限界および欠点は、そのような手法と、図面を参照して本開示の残りの部分に記載される本方法およびシステムの、いくつかの態様との比較を通じて、当業者には明らかになるであろう。
【発明の概要】
【課題を解決するための手段】
【０００４】
[0005]図面のうちの少なくとも１つに関連して示され、および／または説明され、特許請求の範囲においてより完全に記載されるのは、長尺ＳｉＣチューブを製造するための方法およびシステムである。
【０００５】
[0006]本開示におけるこれらのおよび他の利点、態様、および新規な特徴、ならびにその図示された実施形態の詳細は、以下の説明および図面から、より完全に理解されるであろう。
【０００６】
[0007]本開示のさまざまな特徴および利点は、添付の図面と併せて解釈される以下の詳細な説明を参照することによって、より容易に理解され得る。図面において、同じ参照符号は、同じ構造要素を示す。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
[0008]例示的なスリップキャスティングプロセスを示す図である。
[0009]炭化ケイ素部品を得るための反応接合プロセスを示す図である。
[0010]２つのクラムシェル鋳型とマンドレルとを備える例示的な鋳型アセンブリを示す図である。
[0011]可動式リグに取り付けられ、垂直状態に保持された、組立鋳型を示す図である。
[0012]可動式リグに取り付けられ、水平状態に保持された、組立鋳型を示す図である。
[0013]水平状態にある鋳型からのマンドレルの取り出しを示す図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
[0015]以下の議論は、長尺ＳｉＣチューブを製造するための方法およびシステムのさまざまな実施例を提供する。このような実施例は非限定的なものであり、添付の特許請求の範囲は開示された特定の実施例に限定されるべきではない。以下の議論において、「実施例」および「例えば」という用語は非限定的である。
【０００９】
[0016]図面は、構成の一般的な様式を示すものであり、本開示を不必要に不明瞭にすることを避けるために、周知の特徴および技術の説明および詳細は省略される場合がある。
加えて、図面の要素は必ずしも縮尺通りに描かれていない。例えば、図面中における一部の要素の寸法は、本開示において論じられる実施例の理解を向上させるために、他の要素に対して誇張されている場合がある。異なる図面中の同じ参照符号は、同じ要素を示す。
【００１０】
[0017]「または」という用語は、「または」によって結合されたリスト内における項目のうちの、任意の１つまたは複数を意味する。一例として、「ｘまたはｙ」は、３要素のセット｛（ｘ）、（ｙ）、（ｘ，ｙ）｝のうちの任意の要素を意味する。別の例として、「ｘ、ｙ、またはｚ」は、７要素のセット｛（ｘ）、（ｙ）、（ｚ）、（ｘ、ｙ）、（ｘ、ｚ）、（ｙ、ｚ）、（ｘ、ｙ、ｚ）｝のうちの任意の要素を意味する。
（【００１１】以降は省略されています）

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