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公開番号2025083541
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-30
出願番号2025042302,2023011058
出願日2025-03-17,2023-01-27
発明の名称研磨具のコンディショニング方法、基板処理方法および基板処理装置
出願人株式会社SCREENホールディングス
代理人個人,個人,個人,個人,個人
主分類B24B 53/00 20060101AFI20250523BHJP(研削;研磨)
要約【課題】研磨具のコンディショニングにかかる時間を短縮できる研磨具のコンディショニング方法、基板処理方法および基板処理装置を提供する。
【解決手段】研磨具89のコンディショニング方法は、非鏡面状態の主面を有するシリコンのダミー基板DWを水平姿勢で保持してダミー基板DWを鉛直軸AX5周りに回転させる基板回転工程と、回転されているダミー基板DWの主面に、砥粒が分散された樹脂体を有する研磨具89を接触させることで、研磨具89のコンディショニングを実行するコンディショニング実行工程と、を備えている。ダミー基板DWの非鏡面状態の主面は、ダミー基板DWの主面を薬液で処理することで形成されている。
【選択図】図6
特許請求の範囲【請求項１】
非鏡面状態の主面を有するシリコンのダミー基板を水平姿勢で保持して前記ダミー基板を鉛直軸周りに回転させる基板回転工程と、
回転されている前記ダミー基板の前記主面に、砥粒が分散された樹脂体を有する研磨具を接触させることで、前記研磨具のコンディショニングを実行するコンディショニング実行工程と、を備え、
前記ダミー基板の前記非鏡面状態の前記主面は、前記ダミー基板の前記主面を薬液で処理することで形成されていることを特徴とする研磨具のコンディショニング方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
請求項１に記載の研磨具のコンディショニング方法において、
前記コンディショニング実行工程では、薬液を含む洗浄液が前記ダミー基板の主面に吐出されることを特徴とする研磨具のコンディショニング方法。
【請求項３】
請求項１に記載の研磨具のコンディショニング方法において、
前記薬液は、アンモニア水であることを特徴とする研磨具のコンディショニング方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の研磨具のコンディショニング方法において、
前記コンディショニング実行工程は、回転されている前記ダミー基板の前記主面に前記研磨具を接触させながら前記ダミー基板の中心と前記ダミー基板の周縁との間で前記研磨具を移動させることで、前記研磨具のコンディショニングを実行することを特徴とする研磨具のコンディショニング方法。
【請求項５】
請求項１から３のいずれかに記載の研磨具のコンディショニング方法と、
前記コンディショニングが行われた前記研磨具を用いて、生産用基板の裏面を研磨する研磨工程と、
を備えていることを特徴とする基板処理方法。
【請求項６】
非鏡面状態の主面を有するシリコンのダミー基板を水平姿勢で保持して前記ダミー基板を鉛直軸周りに回転させる保持回転部と、
砥粒が分散された樹脂体を有する研磨具と、
前記研磨具を移動させる研磨具移動機構と、
基板の処理を制御する制御する制御部と、を備え、
前記制御部は、前記研磨具移動機構によって前記保持回転部で回転されている前記ダミー基板の前記主面に前記研磨具を接触させ、前記研磨具のコンディショニングを実行し、
前記ダミー基板の前記非鏡面状態の前記主面は、前記ダミー基板の前記主面を薬液で処理することで形成されていることを特徴とする基板処理装置。
【請求項７】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記ダミー基板に洗浄液を吐出する洗浄液ノズルと、
前記洗浄液ノズルに前記洗浄液を供給する洗浄液供給部と、を備え、
前記制御部は、前記洗浄液供給部を更に制御し、前記研磨具のコンディショニングを実行しているときに、前記洗浄ノズルを介して、薬液を含む洗浄液を前記ダミー基板に吐出させることを特徴とする基板処理装置。
【請求項８】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記非鏡面状態は、鏡面よりも粗い状態であることを特徴とする基板処理装置。
【請求項９】
請求項６に記載の基板処理装置において、
前記非鏡面状態は、前記ダミー基板の裏面よりも粗い状態であり、かつ前記裏面は、鏡面よりも粗いことを特徴とする基板処理装置。
【請求項１０】
請求項６から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
前記ダミー基板を収納するダミー基板収納部と、
前記ダミー基板を搬送する搬送ロボットと、を更に備え、
前記制御部は、前記研磨具のコンディショニングを行うときに、前記ダミー基板収納部から前記保持回転部に前記ダミー基板を前記搬送ロボットに搬送させ、前記研磨具のコンディショニングを行った後に、前記保持回転部から前記ダミー基板収納部に前記ダミー基板を前記搬送ロボットに搬送させることを特徴とする基板処理装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の裏面を研磨する研磨具のコンディショニング方法、基板処理方法および基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体基板、ＦＰＤ（Flat Panel Display）用の基板、フォトマスク用ガラス基板、光ディスク用基板、磁気ディスク用基板、セラミック基板、太陽電池用基板などが挙げられる。ＦＰＤは、例えば、液晶表示装置、有機ＥＬ（electroluminescence）表示装置などが挙げられる。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
従来、リソグラフィの露光工程において、焦点が合わないデフォーカス（defocus）の問題がある。デフォーカスの問題は、基板の裏面に付着するゴミが原因である。そのゴミを除去するためにブラシ処理が行われる。しかし、例えばゴミが基板の裏面に埋め込まれてしまうと、従来のＰＶＡ（ポリビニルアルコール、polyvinyl alcohol）のスポンジブラシでは、そのゴミを除去することができない。そこで、砥粒を含む研磨ブラシ（研磨具）を使用してそのゴミを除去している（例えば、特許文献１参照）。
【０００３】
特許文献２には、研磨テーブルを備えた研磨装置が開示されている。研磨装置は、新しい研磨パッドを研磨テーブルに貼り付けた際に、回転する研磨テーブルの研磨パッドにダミーウエハを押し当てることで、研磨パッドの立ち上げ作業を行う。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２０１８－０４６１０８号公報
特開２００５－２８８６６４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
従来のＰＶＡブラシの場合、ブラシ交換後に、ブラシの初期汚染を取り除いてブラシの清浄度を高めることを目的とする処理が行われる。この処理時間は特に大きな問題になっていなかった。
【０００６】
これに対し、研磨ブラシの場合、シリコンのダミーウエハを用いて、ブラシ表面のコンディショニングが行われる。コンディショニングは、ダミーウエハに研磨ブラシを当接させることで、研磨ブラシに含まれる砥粒の過度な突起を削り取る作業であり、ウエハ処理時のスクラッチの発生を抑制することを目的として行われる。このコンディショニングは、例えば４～６時間かかる場合がある。そのため、研磨ブラシの交換後、生産用ウエハの処理が可能になる迄に、装置（または処理ユニット）が使用できなくなるので、生産効率が低下する。
【０００７】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、研磨具のコンディショニングにかかる時間を短縮できる研磨具のコンディショニング方法、基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明に係る研磨具のコンディショニング方法は、非鏡面状態の主面を有するシリコンのダミー基板を水平姿勢で保持して前記ダミー基板を鉛直軸周りに回転させる基板回転工程と、回転されている前記ダミー基板の前記主面に、砥粒が分散された樹脂体を有する研磨具を接触させることで、前記研磨具のコンディショニングを実行するコンディショニング実行工程と、を備え、前記ダミー基板の前記非鏡面状態の前記主面は、前記ダミー基板の前記主面を薬液で処理することで形成されていることを特徴とするものである。
【０００９】
本発明に係る研磨具のコンディショニング方法によれば、砥粒が分散された樹脂体を有する研磨具のコンディショニングを行うために、非鏡面状態の主面を有するシリコンのダミー基板が用いられる。非鏡面状態の主面は、鏡面よりも面が荒れているので、鏡面状態の主面を有するシリコンのダミー基板と比べて、コンディショニングに掛かる時間を短縮することができる。これにより、研磨具を交換してから生産用基板の処理が可能になるまでの時間を短縮することができる。
【００１０】
また、ダミー基板の非鏡面状態の主面は、ダミー基板の主面を薬液で処理することで形成されている。特殊なツールを用いずに半導体等の工場で入手しやすい安価なダミー基板を加工して用いることができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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