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公開番号2025075058
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-14
出願番号2025024474,2021571710
出願日2025-02-18,2020-06-01
発明の名称極端紫外マスク検査システム
出願人ケーエルエーコーポレイション
代理人弁理士法人YKI国際特許事務所
主分類G03F 1/84 20120101AFI20250507BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】EUVマスク検査システムの波面収差のインサイチュー(その場)計測を行える改善型システムを提供する。
【解決手段】極端紫外(EUV)マスク検査システムの波面収差を計測する計量システムが開示される。そのテストマスクが、EUV照明に関し実質的に反射率を有していない素材で形成された基板と、その基板上に形成された1個又は複数個のパターンとを有し、当該1個又は複数個のパターンが、共通平面内に位置しておりEUV照明を反射するよう構成されている反射部分と、基板の上又は上方にありEUV照明に関し実質的に反射率を有していない吸収部分とを有する。
【選択図】図1A
特許請求の範囲【請求項１】
極端紫外（ＥＵＶ）マスク検査システムであって、
ＥＵＶ照明源と、
テストマスクと、
前記ＥＵＶ照明源からのＥＵＶビームを前記テストマスク上に差し向けるよう構成された１個又は複数個の照明光学系であり、
前記テストマスクが、ＥＵＶ照明に関し実質的に反射率を有していない素材で形成された基板と、その基板上に形成された１個又は複数個のパターンでありＥＵＶ照明を吸収するよう構成された吸収部分並びにＥＵＶ照明を反射するよう構成された反射部分を備えていてそれら反射部分及び吸収部分が当該基板の上にある共通平面内に位置する１個又は複数個のパターンであり、前記吸収部分が、前記基板の一部分又は複数部分が露わになるよう構成されており前記反射部分内にある１個又は複数個のピンホールを備える１個又は複数個のパターンと、それら吸収部分及び反射部分のうち少なくとも一方の上に配置された１個又は複数個のキャップであり当該テストマスクの一部分又は複数部分の酸化を減らすのに適した素材で形成されている１個又は複数個のキャップと、を備えるものである、
１個又は複数個の照明光学系と、
１個又は複数個の検出器と、
前記テストマスクから反射されてきたＥＵＶ照明を集めそのＥＵＶ照明を前記１個又は複数個の検出器上に差し向けるよう構成されている１個又は複数個のＥＵＶ投射光学系と、
前記１個又は複数個の検出器に可通信結合された１個又は複数個のプロセッサを有する１個又は複数個のコントローラであり当該１個又は複数個のプロセッサがメモリ内に保持されている一組のプログラム命令を実行するよう構成されている１個又は複数個のコントローラと、
を備え、前記一組のプログラム命令が、前記１個又は複数個のプロセッサに、
前記テストマスクから反射されてきたＥＵＶ照明を示す、前記１個又は複数個の検出器からの１個又は複数個の信号を受け取らせ、且つ
前記テストマスクから反射されてきたＥＵＶ照明を示す、前記１個又は複数個の検出器からの前記１個又は複数個の信号に基づき、前記ＥＵＶビームの随所で一通り又は複数通りの波面収差を識別させるよう、
構成されているシステム。
続きを表示（約 760 文字）【請求項２】
請求項１に記載のシステムであって、前記基板が二酸化シリコンで形成されているシステム。
【請求項３】
請求項１に記載のシステムであって、前記反射部分が、モリブデン及びシリコンからなる周期的反復二重層複数個で形成された１本又は複数本の多層ピラーを備え、それら周期的反復二重層の各層の厚みとそれら周期的反復二重層の周期とが、ＥＵＶ照明を反射させるべく構成設定されているシステム。
【請求項４】
請求項１に記載のシステムであって、前記反射部分が、モリブデン及びシリコンからなる反復二重層複数個で形成された多重層を備えるシステム。
【請求項５】
請求項１に記載のシステムであって、前記反射部分が反射性素材の層を備えるシステム。
【請求項６】
請求項５に記載のシステムであって、前記反射性素材が、パラジウム、プラチナ及び銀のうち少なくとも一つを含有しているシステム。
【請求項７】
請求項１に記載のシステムであって、前記反射部分が、反射性素材で形成された１本又は複数本のピラーを備えるシステム。
【請求項８】
請求項７に記載のシステムであって、当該１個又は複数個のピンホールが、反射性素材で形成された前記複数本のピラーの狭間に配置されているシステム。
【請求項９】
請求項１に記載のシステムであって、前記１個又は複数個のプロセッサが、前記ＥＵＶ照明源、１個又は複数個の照明光学系及び前記１個又は複数個のＥＵＶ投射光学系のうち少なくとも一つを調整するため、ひいては前記ＥＵＶビームにおける識別済の前記一通り又は複数通りの波面収差を補償するため、１個又は複数個の調整量を提供するよう構成されているシステム。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本件開示は総じて波面収差計量に関し、より具体的には、テストマスクが組み込まれている極端紫外（ＥＵＶ）マスク検査システムの使用を通じた波面収差計量に関する。
続きを表示（約 2,800 文字）【背景技術】
【０００２】
（関連出願への相互参照）
本願では、「ＥＵＶマスク検査システムに係る波面収差計量」(WAVEFRONT ABERRATION METROLOGY FOR EUV MASK INSPECTION SYSTEMS)と題しＤｍｉｔｒｉｙＺｕｓｉｎ、Ｒｕｉ－ｆａｎｇＳｈｉ及びＱｉａｎｇＺｈａｎｇを発明者とする２０１９年６月３日付米国仮特許出願第６２／８５６７１９号に基づき、米国特許法第１１９条（ｅ）の規定による利益を主張すると共に、参照によりその全容を本願に繰り入れるものとする。
【０００３】
全般的に、ナノ回路及びその構成部材が欠陥に対しますます敏感になってきている。こうした欠陥はナノ回路の動作を損ねかねないし、そのナノ回路に悪影響しかねない。ナノ回路上の欠陥の検出は、通常、ＥＵＶ検査システムを用い、ナノ回路製品のパターン群を含んでいるフォトマスクを照明することで実行される。しかしながら、ＥＵＶ検査システムは光学機器アレイに依拠しているので、しばしば、それら光学機器にて波面収差を通じ像が歪み、それによりフォトマスクの像が損なわれて欠陥検出が妨げられることがある。
【０００４】
ＥＵＶ検査システムの光学機器により持ち込まれる波面収差を計測及び軽減する既存方法には、診断用テストマスクに依拠するものがある。しかしながら、既存の診断用テストマスクには、それらの製造され方の結果として、不調や望ましくない性能が生じやすい。例えば、テストマスクに備わる既存の診断用パターンによって、シャドウイングその他、不要な反射効果が像に持ち込まれることがある。加えて、既存の診断用テストパターンは、酸化の結果たる短命さに煩わされている。
【０００５】
更に、ＥＵＶ検査システムの光学機器により持ち込まれる波面収差を計測及び軽減する既存方法には、そのＥＵＶ検査システムとは別のシステム及び手順を用いた収差識別を伴うものがある。この種の方法では、ＥＵＶ検査システム自体の内部で波面収差の定量及び軽減を行えないので、計量効率が低下する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
米国特許第９，３３５，２０６号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、ＥＵＶマスク検査システムの波面収差のインサイチュー（その場）計測を行える改善型システムを提供することが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
ＥＵＶマスク検査システムの波面収差を計測するためのテストマスクが、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い開示される。ある実施形態に係るテストマスクは、ＥＵＶ照明に関し実質的に反射率を有していない素材で形成された基板を有する。また、ある実施形態に係るテストマスクは、その基板上に形成された１個又は複数個のパターンを有し、その１個又は複数個のパターンが、ＥＵＶ照明を吸収するよう構成された吸収部分及びＥＵＶ照明を反射するよう構成された反射部分であって当該基板の上又は上方にある共通平面内に配置された反射部分及び吸収部分を備える。
【０００９】
ＥＵＶマスク検査システムが、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い開示される。ある実施形態に係るシステムはＥＵＶ照明源を有する。また、ある実施形態に係るシステムは、そのＥＵＶ照明源からのＥＵＶビームをテストマスク上に差し向けるよう構成された１個又は複数個の照明光学系を有し、そのテストマスクが、ＥＵＶ照明に関し実質的に反射率を有していない素材で形成された基板と、その基板上に形成された１個又は複数個のパターンでありＥＵＶ照明を吸収するよう構成された吸収部分並びにＥＵＶ照明を反射するよう構成された反射部分を備えていてそれら反射部分及び吸収部分が当該基板の上方にある共通平面内に位置する１個又は複数個のパターンと、それら吸収部分及び反射部分のうち少なくとも一方の上に配置された１個又は複数個のキャップでありそのテストマスクの一部分又は複数部分の酸化を減らすのに適した素材で形成されている１個又は複数個のキャップと、を備える。また、ある実施形態に係るシステムは１個又は複数個の検出器を有する。また、ある実施形態に係るシステムは、前記テストマスクから反射されてきたＥＵＶ照明を集めそのＥＵＶ照明を前記１個又は複数個の検出器上に差し向けるよう構成された、１個又は複数個のＥＵＶ投射光学系を有する。また、ある実施形態に係るシステムは、前記１個又は複数個の検出器に可通信結合された１個又は複数個のプロセッサが備わる１個又は複数個のコントローラを有し、メモリ内に保持されている一組のプログラム命令を実行するよう当該１個又は複数個のプロセッサが構成されていて、当該一組のプログラム命令が、当該１個又は複数個のプロセッサに、前記テストマスクから反射されてきたＥＵＶ照明を示す１個又は複数個の信号を前記１個又は複数個の検出器から受け取らせ、且つそのテストマスクから受け取ったＥＵＶ照明を示す当該１個又は複数個の検出器からの当該１個又は複数個の信号に基づきそのＥＵＶビームの随所で一通り又は複数通りの波面収差を識別させるよう、構成されたものである。
【００１０】
ＥＵＶマスク検査システムを用いる方法が、本件開示の１個又は複数個の実施形態に従い開示される。ある実施形態に係る方法では、ＥＵＶ照明に関し実質的に反射率を有していない素材で形成された基板と、その基板上に形成された１個又は複数個のパターンでありＥＵＶ照明を吸収するよう構成された吸収部分並びにＥＵＶ照明を反射するよう構成された反射部分を備えていてそれら反射部分及び吸収部分が当該基板の上方にある共通平面内に位置する１個又は複数個のパターンと、それら吸収部分及び反射部分のうち少なくとも一方の上に配置されており自テストマスクの一部分又は複数部分の酸化を減らすのに適した素材で形成されている１個又は複数個のキャップと、を備えるテストマスクを照明する。また、ある実施形態に係る方法では反射ビームを検出する。また、ある実施形態に係る方法では、その反射ビームに基づき１枚又は複数枚の画像を生成する。また、ある実施形態に係る方法では、前記１枚又は複数枚の画像の随所にて一通り又は複数通りの波面収差を識別する。また、ある実施形態に係る方法では、そのＥＵＶ検査システムの構成部材のうち１個又は複数個を調整すべく１個又は複数個の調整量を提供する。
（【００１１】以降は省略されています）

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