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公開番号2025067044
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-24
出願番号2023176699
出願日2023-10-12
発明の名称劣化状態検査装置、検査システム、劣化状態検査方法、及び劣化状態検査プログラム
出願人ENEOS株式会社
代理人個人
主分類G01N 25/72 20060101AFI20250417BHJP(測定;試験)
要約【課題】配管の劣化状態の検査を行う装置構成を簡略化することができる。
【解決手段】配管2の劣化状態を検査するための劣化状態検査装置4であって、複数の画素が並んだ画素列が複数並んで構成された配管2を被写体とする画像を取得する取得部と、取得された画像に含まれる複数の画素列ごとに、画素列に含まれる複数の画素の各々が有する画素値に基づいて当該画素列に対応するノイズに関するノイズ情報を算出する算出部と、複数の画素列ごとに、画素列に含まれる複数の画素の各々が有する画素値を、当該画素列に対応するノイズ情報に基づいて補正する補正部と、補正された複数の画素の画素値を二値化し、二値化された複数の画素に基づいて二値化画像を生成する生成部と、を備え、取得部において取得された画像は、配管2の周囲温度と温度差のある熱源が内部を流れている状態で撮像された配管2の赤外線画像である。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
配管の劣化状態を検査するための劣化状態検査装置であって、
複数の画素が並んだ画素列が複数並んで構成された前記配管を被写体とする画像を取得する取得部と、
取得された前記画像に含まれる複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する画素値に基づいて当該画素列に対応するノイズに関するノイズ情報を算出する算出部と、
複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する前記画素値を、当該画素列に対応する前記ノイズ情報に基づいて補正する補正部と、
補正された複数の前記画素の前記画素値を二値化し、二値化された複数の前記画素に基づいて二値化画像を生成する生成部と、
を備え、
前記取得部において取得された前記画像は、前記配管の周囲温度と温度差のある熱源が内部を流れている状態で撮像された前記配管の赤外線画像である、
劣化状態検査装置。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記二値化画像において、二値化に係る二値のうちいずれか一方の値を有する前記画素の数に基づいて、前記配管の劣化状態を判定する判定部、
を更に備える請求項１に記載の劣化状態検査装置。
【請求項３】
前記画像における前記画素の前記画素値に対応する閾値を記憶する記憶部を更に備え、
前記熱源は、前記周囲温度よりも高温であり、
前記算出部は、
前記画像における前記画素の前記画素値が前記閾値以下である場合に、当該画素を対象画素とするとき、前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる前記対象画素の前記画素値に基づいて当該画素列に対応する前記ノイズ情報を算出する、
請求項１又は２に記載の劣化状態検査装置。
【請求項４】
前記算出部は、
前記画素列に対応する前記ノイズ情報として、当該画素列に含まれる前記対象画素の前記画素値に対する近似線に関する情報を算出する、
請求項３に記載の劣化状態検査装置。
【請求項５】
前記画像に含まれる複数の前記画素の前記画素値を規格化する規格化部、
を更に備え、
前記算出部は、規格化された前記画素値に対して処理を行う、
請求項３に記載の劣化状態検査装置。
【請求項６】
前記規格化部は、前記画素列ごとに規格化を行い、
前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する前記画素値に対して、当該画素列に含まれる前記画素値の最小値で減算した値を、当該画素列に含まれる前記画素値の最大値と最小値との差分で割ることにより規格化を行う、
請求項５に記載の劣化状態検査装置。
【請求項７】
取得された前記画像に対して、前記配管に対応する前記画素を抽出する画像加工部を更に備え、
前記規格化部は、前記配管が抽出された前記画像に対して処理を行う、
請求項５に記載の劣化状態検査装置。
【請求項８】
前記画像に対してヒストグラム平坦化処理及び平滑化処理の少なくともいずれか一方の画像処理を行う画像処理部を更に備え、
前記規格化部は、画像処理された前記画像に対して処理を行う、
請求項５に記載の劣化状態検査装置。
【請求項９】
前記画像処理部は、前記画像に対して前記ヒストグラム平坦化処理を行い、その後前記平滑化処理を行う、
請求項８に記載の劣化状態検査装置。
【請求項１０】
前記二値化画像において、二値化された前記画素に対してクラスタリングを行うクラスタリング部、
を更に備える請求項１に記載の劣化状態検査装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、劣化状態検査装置、検査システム、劣化状態検査方法、及び劣化状態検査プログラムに関する。
続きを表示（約 2,200 文字）【背景技術】
【０００２】
例えば製油所では、配管の減肉等の劣化状態を定期的に検査している。この検査として超音波厚さ計を利用した検査や、ＲＴ（ＲａｄｉｏｇｒａｐｈｉｃＴｅｓｔ）検査等を行うことで配管の肉厚を計測することが可能である。この肉厚計測は、ピンポイントでの計測であるため、例えば減肉が発生し易い箇所として予め設定された配管の特定箇所に対して計測が行われる。このように、予め設定した配管の特定箇所に対して肉厚計測を行う場合には、検査箇所が限定されてしまい、特定箇所以外の劣化箇所を見逃してしまう可能性がある。もし配管の減肉が進んだ場合、例えば漏洩等の事故となる可能性がある。
【０００３】
これに関し、特許文献１においては、赤外線カメラを用いて配管の肉厚分布を推定することが開示されている。この赤外線カメラを用いれば、配管全体のスクリーニングを行うことが可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
特開２００８－１３４２２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、特許文献１の方法では、配管表面を外部から加熱照射する装置が必須である。例えば工場や製油所の敷地内に張り巡らされている配管を検査する場合、配管の周囲に他の装置が配置されていると、照射の遮蔽物となってしまうケースや、照射装置の設置スペースが取れないケースなど、配管を加熱照射することが困難となってしまう可能性がある。
【０００６】
上記課題に鑑み、本開示は、配管の劣化状態の検査を行う装置構成を簡略化することができる劣化状態検査装置、検査システム、劣化状態検査方法、及び劣化状態検査プログラムを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記課題を解決するために、本開示のある態様に係る劣化状態検査装置は、配管の劣化状態を検査するための劣化状態検査装置であって、複数の画素が並んだ画素列が複数並んで構成された前記配管を被写体とする画像を取得する取得部と、取得された前記画像に含まれる複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する画素値に基づいて当該画素列に対応するノイズに関するノイズ情報を算出する算出部と、複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する前記画素値を、当該画素列に対応する前記ノイズ情報に基づいて補正する補正部と、補正された複数の前記画素の前記画素値を二値化し、二値化された複数の前記画素に基づいて二値化画像を生成する生成部と、を備え、前記取得部において取得された前記画像は、前記配管の周囲温度と温度差のある熱源が内部を流れている状態で撮像された前記配管の赤外線画像である。
【０００８】
本開示の別の態様に係る劣化状態検査方法は、配管の劣化状態を検査するための劣化状態検査方法であって、複数の画素が並んだ画素列が複数並んで構成された前記配管を被写体とする画像を取得する取得工程と、取得された前記画像に含まれる複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する画素値に基づいて当該画素列に対応するノイズに関するノイズ情報を算出する算出工程と、複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する前記画素値を、当該画素列に対応する前記ノイズ情報に基づいて補正する補正工程と、補正された複数の前記画素の前記画素値を二値化し、二値化された複数の前記画素に基づいて二値化画像を生成する生成工程と、を有し、前記取得工程において取得された前記画像は、前記配管の周囲温度と温度差のある熱源が内部を流れている状態で撮像された前記配管の赤外線画像である。
【０００９】
本開示の別の態様に係る劣化状態検査プログラムは、配管の劣化状態を検査するための劣化状態検査プログラムであって、複数の画素が並んだ画素列が複数並んで構成された前記配管を被写体とする画像を取得する取得処理と、取得された前記画像に含まれる複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する画素値に基づいて当該画素列に対応するノイズに関するノイズ情報を算出する算出処理と、複数の前記画素列ごとに、前記画素列に含まれる複数の前記画素の各々が有する前記画素値を、当該画素列に対応する前記ノイズ情報に基づいて補正する補正処理と、補正された複数の前記画素の前記画素値を二値化し、二値化された複数の前記画素に基づいて二値化画像を生成する生成処理と、をコンピュータに実行させ、前記取得処理において取得された前記画像は、前記配管の周囲温度と温度差のある熱源が内部を流れている状態で撮像された前記配管の赤外線画像である、劣化状態検査プログラム。
【００１０】
なお、本開示は、プログラムの一部または全部を実現する半導体集回路として実現され得たり、情報処理装置として実現され得たり、情報処理装置を含むシステムとして実現され得る。
【発明の効果】
（【００１１】以降は省略されています）

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