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公開番号2025066167
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-22
出願番号2025014520,2023099124
出願日2025-01-31,2016-11-30
発明の名称半導体装置
出願人株式会社半導体エネルギー研究所
代理人
主分類H10D 84/83 20250101AFI20250415BHJP()
要約【課題】微細化・高密度化に適した信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に第1のトランジスタを有し、第1のトランジスタの上方に、
酸化物半導体を有する第2のトランジスタを有し、第2のトランジスタの上方に、容量素
子を有し、容量素子は、第1の導電体、第2の導電体、および絶縁体を有し、第2の導電
体は、絶縁体を介して、第1の導電体の側面を覆っている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
半導体基板上に第１のトランジスタを有し、
前記第１のトランジスタの上方に第２のトランジスタを有し、
前記第２のトランジスタの上方に、容量素子を有し、
前記容量素子は、第１の導電体、第２の導電体、および絶縁体を有し、
前記第２の導電体は、前記絶縁体を介して、前記第１の導電体の側面を覆っていることを特徴とする半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、容量素子を有する半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【０００２】
なお、本発明の一態様は、上記の技術分野に限定されない。本明細書等で開示する発明の
一態様の技術分野は、物、方法、または、製造方法に関するものである。または、本発明
の一態様は、プロセス、マシン、マニュファクチャ、または、組成物（コンポジション・
オブ・マター）に関するものである。そのため、より具体的に本明細書で開示する本発明
の一態様の技術分野としては、半導体装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、照明装
置、蓄電装置、記憶装置、撮像装置、それらの駆動方法、または、それらの製造方法、等
を一例として挙げることができる。
【０００３】
なお、本明細書等において、半導体装置とは、半導体特性を利用することで機能しうる装
置全般を指す。トランジスタなどの半導体素子をはじめ、半導体回路、演算装置、記憶装
置は、半導体装置の一態様である。撮像装置、表示装置、液晶表示装置、発光装置、電気
光学装置、発電装置（薄膜太陽電池、有機薄膜太陽電池等を含む）、および電子機器等は
、半導体装置を有している場合がある。
【背景技術】
【０００４】
半導体材料を用いてトランジスタを構成する技術が注目されている。該トランジスタは集
積回路（ＩＣ：ＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＣｉｒｃｕｉｔ）や画像表示装置（単に表示装置
とも表記する）のような電子デバイスに広く応用されている。トランジスタに適用可能な
半導体材料としてシリコン系半導体材料が広く知られているが、その他の材料として酸化
物半導体が注目されている。
【０００５】
例えば、酸化物半導体として酸化亜鉛、またはＩｎ－Ｇａ－Ｚｎ系酸化物半導体を用いて
トランジスタを作製する技術が開示されている（特許文献１および特許文献２参照）。
【０００６】
また、近年では電子機器の高性能化、小型化、または軽量化に伴い、微細化されたトラン
ジスタなどの半導体素子を高密度に集積した集積回路の要求が高まっている。例えば、Ｔ
ｒｉ－ＧａｔｅトランジスタとＣＯＢ（ｃａｐａｃｉｔｏｒｏｖｅｒｂｉｔｌｉｎｅ
）構造のＭＩＭ容量素子が紹介されている（非特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
特開２００７－１２３８６１号公報
特開２００７－９６０５５号公報
【非特許文献】
【０００８】
Ｒ．Ｂｒａｉｎｅｔａｌ．，”Ａ２２ｎｍＨｉｇｈＰｅｒｆｏｒｍａｎｃｅＥｍｂｅｄｄｅｄＤＲＡＭＳｏＣＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙＦｅａｔｕｒｉｎｇＴｒｉ－ｇａｔｅＴｒａｎｓｉｓｔｏｒｓａｎｄＭＩＭＣＡＰＣＯＢ”，２０１３ＳＹＭＰＯＳＩＵＭＯＮＶＬＳＩＴＥＣＨＮＯＬＯＧＹ２－１
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一態様は、微細化・高密度化に適した半導体装置を提供することを課題の一とす
る。
【００１０】
または、半導体装置に良好な電気特性を付与することを課題の一とする。または、信頼性
の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。または、新規な構成の半導体装置を
提供することを課題の一とする。または、新規な半導体装置を提供することを課題の一と
する。
（【００１１】以降は省略されています）

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