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公開番号2025049951
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-04
出願番号2023158489
出願日2023-09-22
発明の名称フォトマスクの製造方法
出願人株式会社エスケーエレクトロニクス
代理人弁理士法人M&Partners
主分類G03F 1/29 20120101AFI20250327BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】フォトマスクの製造方法において自己整合的にリム部を形成する。
【解決手段】
転写パターンを備えたフォトマスクの製造方法であり、透過性基板上に下層膜、上層膜が形成されたフォトマスクブランクスを準備する工程と、上層膜上に第1のレジストパターンを形成する工程と、第1のレジストパターンをマスクにして上層膜を下層膜に対して選択的にエッチングして、上層パターンを形成する工程と、第1のレジストパターンを変形し、上層パターンの側壁を覆う第2のレジストパターンを形成する工程と、第2のレジストパターンをマスクにして下層膜をエッチングし、下層パターンを形成する工程と、第2のレジストパターンを除去する工程とを含み、転写パターンは、上層パターンと下層パターンとの積層から構成され、転写パターンに隣接し、下層パターンのみから構成されるリム部を有する。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
転写パターンを備えたフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板上に下層膜、前記下層膜上に上層膜が形成されたフォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
前記上層膜上に第１のレジストパターンを形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクにして前記上層膜を前記下層膜に対して選択的にエッチングして、上層パターンを形成する第１のパターニング工程と、
前記第１のレジストパターンを変形し、前記上層パターンの側壁を覆う第２のレジストパターンを形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクにして前記下層膜をエッチングし、下層パターンを形成する第２のパターニング工程と、
前記第２のレジストパターンを除去するエッチングマスク除去工程と
を含み、
前記転写パターンは、前記上層パターンと前記下層パターンとの積層から構成され、
前記転写パターンに隣接し、前記下層パターンのみから構成されるリム部を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
続きを表示（約 1,400 文字）【請求項２】
転写パターンを備えたフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板上に下層膜、前記下層膜上に中間膜、前記中間膜に上層膜が形成されたフォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
前記上層膜上に第１のレジストパターンを形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクにして前記上層膜を前記中間膜に対して選択的にエッチングして、上層パターンを形成する第１のパターニング工程と、
前記第１のレジストパターンを変形し、前記上層パターンの側壁を覆う第２のレジストパターンを形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクにして前記中間膜及び前記下層膜をエッチングし、中間層パターン及び下層パターンを形成する第２のパターニング工程と、
前記第２のレジストパターンを除去するエッチングマスク除去工程と
を含み、
前記転写パターンは、前記上層パターンと前記中間層パターンと前記下層パターンとの積層から構成され、
前記転写パターンに隣接し、前記中間層パターンと前記下層パターンとの積層から構成されるリム部を有することを特徴とするフォトマスクの製造方法。
【請求項３】
前記第２のエッチングマスク形成工程において、熱処理を施すことにより前記第１のレジストパターンを変形する
ことを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項４】
前記リム部は、露光光の代表波長に対する透過率が３％以上、７０％以下である
ことを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項５】
前記リム部は、露光光の代表波長に対する位相シフト角が１６０°以上、２００°以下である
ことを特徴とする請求項１又は２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項６】
前記中間膜は、前記下層膜及び前記上層膜と異なるエッチング特性を有し、
前記下層膜及び前記上層膜は、同じエッチング特性を有する
ことを特徴とする請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項７】
前記エッチングマスク除去工程の後に、
前記上層パターンをマスクにして、前記中間層パターンを前記下層パターンに対して選択的にエッチングし、前記リム部の前記中間層パターンを除去する第３のパターニング工程を含み、
前記リム部を前記下層パターンのみから構成する
ことを特徴とする請求項２記載のフォトマスクの製造方法。
【請求項８】
前記エッチングマスク除去工程の後に、部分的に前記中間層パターンを覆う第３のレジストパターンを形成する中間層マスク形成工程と、
前記第３のレジストパターンをマスクにして、前記中間層パターンをパターニングする中間層パターニング工程と、
前記第３のレジストパターンを除去する中間層マスク除去工程と
を含み、
前記リム部は前記下層パターンのみから構成された第１のリム部と、前記中間層パターンと前記下層パターンとの積層から構成される第２のリム部とを有する
ことを特徴とする請求項２記載のフォトマスクの製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、フォトマスクの製造方法に関する。
続きを表示（約 2,300 文字）【背景技術】
【０００２】
液晶パネル等のフラットパネルディスプレイに関して、画像の品質向上等のため、パターンの微細化が要求されている。フォトマスクのパターンを、被転写対象であるフォトレジスト膜に転写すると、光の回折や干渉等の影響により、フォトレジスト膜のエッジ形状がなだらかになり、パターンの微細化の妨げとなることがある。フォトレジスト膜のエッジ形状を急峻な形状とし、精細なパターン形成を可能とするため、フォトマスクの転写パターンのエッジに、露光光の強度分布を調整するためのリム部を設けることがある。
特許文献１は、遮光膜のパターンを形成後、位相シフト膜を形成し、位相シフト膜をパターニングすることにより、遮光膜のパターンの周囲に位相シフト膜のリム部を形成する方法が開示されている。
特許文献２は、積層構造の膜を形成後、フォトレジストのパターンを形成し、上層膜及び下層膜をエッチングし、その後上層膜をサイドエッチングする方法が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１１－１３２８３号公報
特開２０１３－１３４４３５号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１に開示されている方法は、２回のリソグラフィー工程が必要であり、工程が複雑であるとともに、露光工程におけるアライメントずれに起因して、下層の遮光パターンと上層の位相シフトパターンとの間に位置ずれが生じることがある。
特許文献２に開示されている方法は、１回のリソグラフィー工程によって形成されたレジストパターンを用いて上層膜と下層膜をパターニングするため、アライメントずれの問題を解決できるが、上層膜を２回のエッチングプロセスによりパターニングする必要がある。
【０００５】
上記課題を鑑み、本発明は、自己整合的にリム部を形成することを可能にするフォトマスクの製造方法の提供を課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
転写パターンを備えたフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板上に下層膜、前記下層膜上に上層膜が形成されたフォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
前記上層膜上に第１のレジストパターンを形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクにして前記上層膜を前記下層膜に対して選択的にエッチングして、上層パターンを形成する第１のパターニング工程と、
前記第１のレジストパターンを変形し、前記上層パターンの側壁を覆う第２のレジストパターンを形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクにして前記下層膜をエッチングし、下層パターンを形成する第２のパターニング工程と、
前記第２のレジストパターンを除去するエッチングマスク除去工程と
を含み、
前記転写パターンは、前記上層パターンと前記下層パターンとの積層から構成され、
前記転写パターンに隣接し、前記下層パターンのみから構成されるリム部を有することを特徴とする。
【０００７】
このようなフォトマスクの製造方法とすることで、自己整合的にリム部を形成することが可能になる。また、１回のエッチングプロセスによって上層膜のパターニングが可能になる。
【０００８】
また、本発明に係るフォトマスクの製造方法は、
転写パターンを備えたフォトマスクの製造方法であり、
透過性基板上に下層膜、前記下層膜上に中間膜、前記中間膜に上層膜が形成されたフォトマスクブランクスを準備するフォトマスクブランクス準備工程と、
前記上層膜上に第１のレジストパターンを形成する第１のエッチングマスク形成工程と、
前記第１のレジストパターンをマスクにして前記上層膜を前記中間膜に対して選択的にエッチングして、上層パターンを形成する第１のパターニング工程と、
前記第１のレジストパターンを変形し、前記上層パターンの側壁を覆う第２のレジストパターンを形成する第２のエッチングマスク形成工程と、
前記第２のレジストパターンをマスクにして前記中間膜及び前記下層膜をエッチングし、中間層パターン及び下層パターンを形成する第２のパターニング工程と、
前記第２のレジストパターンを除去するエッチングマスク除去工程と
を含み、
前記転写パターンは、前記上層パターンと前記中間層パターンと前記下層パターンとの積層から構成され、
前記転写パターンに隣接し、前記中間層パターンと前記下層パターンとの積層から構成されるリム部を有することを特徴とする。
【０００９】
このようなフォトマスクの製造方法とすることで、リム部の自己整合的形成が可能となるとともに、１回のエッチングプロセスによって上層膜のパターニングが可能になり、また、リム部の光学特性の調整も可能となる。
【００１０】
また、上記構成において、
前記第２のエッチングマスク形成工程において、熱処理を施すことにより前記第１のレジストパターンを変形してもよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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