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公開番号2025048688
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023199844
出願日2023-11-27
発明の名称パワーモジュールの製造方法及びテスト方法
出願人現代自動車株式会社,HYUNDAI MOTOR COMPANY,起亞株式会社,KIA CORPORATION
代理人個人,個人,個人,個人
主分類G01R 31/26 20200101AFI20250326BHJP(測定;試験)
要約【課題】パワーモジュールが完成する前の中間工程で半導体素子の不良を検出する製造方法及びテスト方法を提供する。
【解決手段】一実施例によるパワーモジュールの製造方法は、下部基板20に半導体素子40を接合する段階と、半導体素子の上部に上部接合部材82を配置する段階と、プローブ装置の複数の接触ピン120を上部接合部材と接触する段階と、プローブ装置をテスタ200と電気的に連結し、半導体素子の電気的特性をテストする段階と、上部接合部材を介して半導体素子に上部基板を接合する段階と、を含む。
【選択図】図5
特許請求の範囲【請求項１】
下部基板に半導体素子を接合する段階と、
前記半導体素子の上部に上部接合部材を配置する段階と、
プローブ装置を前記上部接合部材と接触する段階と、
前記プローブ装置をテスタと電気的に連結し、前記半導体素子の電気的特性をテストする段階と、
前記上部接合部材を介して前記半導体素子に上部基板を接合する段階と、を含む、パワーモジュールの製造方法。
続きを表示（約 1,000 文字）【請求項２】
前記上部基板を接合する段階の後に行われるモールディング段階をさらに含む、請求項１に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項３】
信号リードと前記半導体素子をワイヤボンディングする段階をさらに含み、
前記ワイヤボンディングは、前記半導体素子の電気的特性をテストする段階と前記上部基板を接合する段階との間で行われる、請求項１に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項４】
前記半導体素子は、前記半導体素子の下面と前記下部基板との間に配置された下部接合部材を介して前記下部基板に接合される、請求項１に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項５】
前記下部接合部材及び前記上部接合部材は、電気導電性を有する素材を含む、請求項４に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項６】
前記下部接合部材及び前記上部接合部材は、ソルダリング及びシンタリングの少なくとも一つが可能な素材を含む、請求項５に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項７】
前記プローブ装置は、前記テスタと電気的に連結され、前記上部接合部材と接触するように備えられる接触ピンを含み、
前記接触ピンは、前記上部接合部材を介して前記半導体素子と電気的に連結されるように構成される、請求項１に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項８】
前記プローブ装置は、前記接触ピンが着脱可能に結合されるプレートをさらに含み、
前記半導体素子及び前記接触ピンは、複数個で構成される、請求項７に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項９】
前記プローブ装置を前記上部接合部材と接触する段階は、
前記複数の半導体素子の個数及び位置に対応して前記プレートに結合される前記複数の接触ピンの個数及び位置を調節する段階を含む、請求項８に記載のパワーモジュールの製造方法。
【請求項１０】
前記半導体素子の上部に上部接合部材を配置する段階は、
前記半導体素子の上面に第１上部接合部材を配置する段階を含み、
前記プローブ装置は、前記第１上部接合部材と接触するように構成される、請求項１に記載のパワーモジュールの製造方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、パワーモジュールの製造方法及びテスト方法に関するものであり、具体的には、パワーモジュールが完成する前に電気的特性をテストすることができる製造方法及びテスト方法に関するものである。
続きを表示（約 1,200 文字）【背景技術】
【０００２】
パワーモジュールは、ハイブリッド自動車、電気自動車などのモータ駆動時に直流電力を交流電力に変換するために用いられる装置である。通常、パワーモジュールは、基板と、基板に接合されるスイッチング素子である電力半導体素子と、電力半導体素子に電力を印加するパワーリード及び電力半導体素子に制御信号を提供する信号リードなどを含むことができる。
【０００３】
上記のようなパワーモジュールは、製造された後、電気的特性検査によって良品または不良品として選別される。パワーモジュールに対して行われる電気的特性検査は、一般的にＥＯＬ（Ｅｎｄ－Ｏｆ－Ｌｉｎｅ）評価工程で行われることができ、ＤＣ（ｄｉｒｅｃｔｃｕｒｒｅｎｔ）テスト、ＡＣ（ａｌｔｅｒｎａｔｉｎｇｃｕｒｒｅｎｔ）テスト、及び耐電圧テストを含むことができる。
【０００４】
従来、パッケージングが完了した完成品の形態のパワーモジュールに対して電気的特性をテストすることから、半導体素子の不良を予め検出することができず、問題のある半導体素子の場合にも後工程を全て経ることになるため、不要な材料の消耗及び工程損失が大きいという問題があった。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、パワーモジュールが完成する前の中間工程で半導体素子の不良を検出するために、半導体素子に配置されたはんだ部材に検査装置を接触させて電気的特性をテストすることができるパワーモジュールの製造方法及びテスト方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の一実施例によるパワーモジュールの製造方法は、下部基板に半導体素子を接合する段階と、上記半導体素子の上部に上部接合部材を配置する段階と、プローブ装置を上記上部接合部材と接触する段階と、上記プローブ装置をテスタと電気的に連結し、上記半導体素子の電気的特性をテストする段階と、上記上部接合部材を介して上記半導体素子に上部基板を接合する段階と、を含むことができる。
【０００７】
一実施例において、上記上部基板を接合する段階の後に行われるモールディング段階と、をさらに含むことができる。
【０００８】
一実施例において、信号リードと上記半導体素子をワイヤボンディングする段階をさらに含み、上記ワイヤボンディングは、上記半導体素子の電気的特性をテストする段階と上記上部基板を接合する段階との間で行われることができる。
【０００９】
一実施例において、上記半導体素子は、上記半導体素子の下面と上記下部基板との間に配置された下部接合部材を介して上記下部基板に接合されることができる。
【００１０】
一実施例において、上記下部接合部材及び上記上部接合部材は、電気導電性を有する素材を含むことができる。
（【００１１】以降は省略されています）

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