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公開番号2025048129
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-03
出願番号2023156946
出願日2023-09-22
発明の名称半導体装置及び半導体装置の製造方法
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/58 20060101AFI20250327BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】基板の上に半導体チップを実装する際の製造歩留まりが向上する半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、第1の金属層と、上部電極と、下部電極と、上部電極と下部電極との間に設けられた半導体層と、上部電極の上に設けられ第1の樹脂を含む第1の樹脂層と、を含む半導体チップと、第1の金属層と下部電極との間に設けられ、銀(Ag)又は銅(Cu)を含む第2の金属層と、半導体チップの外周部を覆い、環状で、第1の樹脂と異なる第2の樹脂を含む第2の樹脂層と、第1の樹脂層と第2の樹脂層との間に設けられ、第1の樹脂及び第2の樹脂と異なる第3の樹脂を含む第3の樹脂層と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
第１の金属層と、
上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に設けられた半導体層と、前記上部電極の上に設けられ第１の樹脂を含む第１の樹脂層と、を含む半導体チップと、
前記第１の金属層と前記下部電極との間に設けられ、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）を含む第２の金属層と、
前記半導体チップの外周部を覆い、環状で、前記第１の樹脂と異なる第２の樹脂を含む第２の樹脂層と、
前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、前記第１の樹脂及び前記第２の樹脂と異なる第３の樹脂を含む第３の樹脂層と、
を備える半導体装置。
続きを表示（約 620 文字）【請求項２】
前記半導体チップは、素子領域と前記素子領域を囲む終端領域を含み、前記第２の樹脂層の内周端は、前記素子領域と前記終端領域の境界よりも内側に設けられる、請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２の樹脂層及び前記第３の樹脂層は、前記半導体チップの上面及び側面を覆う、請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第３の樹脂層は、前記第１の樹脂層及び前記第２の樹脂層に接する、請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１の樹脂、前記第２の樹脂、及び前記第３の樹脂と異なる第４の樹脂を含み、前記第１の金属層、前記半導体チップ、及び前記第２の樹脂層を覆う、第４の樹脂層を、更に備える、請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記半導体層は炭化珪素層である、請求項１記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１の樹脂はポリイミドである、請求項１記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２の樹脂のガラス転移温度は２００℃以上である、請求項１記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２の樹脂はポリアミドイミド又は熱可塑性ポリイミドである、請求項１記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第３の樹脂のガラス転移温度は２００℃以上である、請求項１記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
パワー半導体モジュールでは、例えば、絶縁基板の上に半導体チップが実装される。半導体チップは、例えば、ＭＯＳＦＥＴ（ＭｅｔａｌＯｘｉｄｅＦｉｅｌｄＥｆｆｅｃｔＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＩＧＢＴ（ＩｎｓｕｌａｔｅｄＧａｔｅＢｉｐｏｌａｒＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、又は、ダイオードである。
【０００３】
高温動作を要求されるパワー半導体モジュールでは、例えば、半導体チップと絶縁基板表面の金属層とを接着する際に、金属微粒子を用いることで耐熱性の高い接着層（ｂｏｎｄｉｎｇｌａｙｅｒ）を形成する。接着層は、半導体チップを金属層に対して高温で加圧することにより形成される。
【０００４】
基板の上に半導体チップを実装する際の製造歩留まりを向上することが期待される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
特許第５８０４２０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする課題は、基板の上に半導体チップを実装する際の製造歩留まりが向上する半導体装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明の一態様の半導体装置は、第１の金属層と、上部電極と、下部電極と、前記上部電極と前記下部電極との間に設けられた半導体層と、前記上部電極の上に設けられ第１の樹脂を含む第１の樹脂層と、を含む半導体チップと、前記第１の金属層と前記下部電極との間に設けられ、銀（Ａｇ）又は銅（Ｃｕ）を含む第２の金属層と、前記半導体チップの外周部を覆い、環状で、前記第１の樹脂と異なる第２の樹脂を含む第２の樹脂層と、前記第１の樹脂層と前記第２の樹脂層との間に設けられ、前記第１の樹脂及び前記第２の樹脂と異なる第３の樹脂を含む第３の樹脂層と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
実施形態の半導体装置の半導体チップの模式図。
実施形態の半導体装置の模式図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一例の説明図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一例の説明図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一例の説明図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一例の説明図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一例の説明図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一例の説明図。
実施形態の半導体装置の製造方法の一例の説明図。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
本明細書中、同一又は類似する部材については、同一の符号を付し、重複する説明を省略する場合がある。
【００１０】
本明細書中、部品等の位置関係を示すために、図面の上方向を「上」、図面の下方向を「下」と記述する場合がある。本明細書中、「上」、「下」の概念は、必ずしも重力の向きとの関係を示す用語ではない。
（【００１１】以降は省略されています）

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