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公開番号2025043667
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-04-01
出願番号2023151094
出願日2023-09-19
発明の名称光検出装置および電子機器
出願人ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
代理人弁理士法人つばさ国際特許事務所
主分類H10F 39/18 20250101AFI20250325BHJP()
要約【課題】品質の低下を抑制可能な光検出装置を提供する。
【解決手段】本開示の一実施形態の光検出装置は、半導体層に設けられる第1光電変換素子をそれぞれ含む複数の第1画素と、前記半導体層において隣り合う複数の前記第1画素の間に設けられる第1トレンチとを有する第1領域と、前記半導体層において第1方向および前記第1方向に交差する第2方向に設けられる第2トレンチを有し、前記第1領域の周囲に設けられる第2領域とを備える。前記第2トレンチのパターン密度は、前記第1トレンチのパターン密度よりも大きい。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
半導体層に設けられる第１光電変換素子をそれぞれ含む複数の第１画素と、前記半導体層において隣り合う複数の前記第１画素の間に設けられる第１トレンチとを有する第１領域と、
前記半導体層において第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に設けられる第２トレンチを有し、前記第１領域の周囲に設けられる第２領域と
を備え、
前記第２トレンチのパターン密度は、前記第１トレンチのパターン密度よりも大きい
光検出装置。
続きを表示（約 790 文字）【請求項２】
前記第２領域において前記半導体層の上に設けられる遮光部材をさらに備える
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項３】
前記第１トレンチと前記第２トレンチとは、平面視において連続するように設けられている
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項４】
前記第１方向における前記第２トレンチの配置周期は、前記第１方向における前記第１トレンチの配置周期よりも短い
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項５】
前記第２トレンチのパターン密度は、前記第２領域において、前記第１領域から離れるにつれて大きくなっている
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項６】
前記第１方向における前記第２トレンチの配置周期は、前記第１領域から離れるにつれて短くなっている
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項７】
前記第２領域は、前記半導体層において前記第２トレンチと隣り合うように設けられる第３トレンチを有する
請求項１に記載の光検出装置。
【請求項８】
平面視において、前記第２領域に複数の前記第３トレンチが離散的に設けられている
請求項７に記載の光検出装置。
【請求項９】
前記第３トレンチのパターン密度は、前記第２領域において、前記第１領域から離れるにつれて大きくなっている
請求項７に記載の光検出装置。
【請求項１０】
前記第２領域は、前記第２トレンチに囲まれ、前記第３トレンチが設けられるセルを有し、
前記第３トレンチが設けられる前記セルの数は、前記第１領域から離れるにつれて多くなっている
請求項７に記載の光検出装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、光検出装置および電子機器に関する。
続きを表示（約 2,100 文字）【背景技術】
【０００２】
有効画素領域と、有効画素領域の四方を囲むように設けられるダミー画素領域とを有し、ＦＴＩ（Full Trench Isolation）構造が配置された装置が提案されている（特許文献１）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０２２－１０６０２１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
光を検出する装置では、品質の低下を抑えることが求められている。
【０００５】
品質の低下を抑制可能な光検出装置を提供することが望まれる。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態の光検出装置は、半導体層に設けられる第１光電変換素子をそれぞれ含む複数の第１画素と、半導体層において隣り合う複数の第１画素の間に設けられる第１トレンチとを有する第１領域と、半導体層において第１方向および第１方向に交差する第２方向に設けられる第２トレンチを有し、第１領域の周囲に設けられる第２領域とを備える。第２トレンチのパターン密度は、第１トレンチのパターン密度よりも大きい。
本開示の一実施形態の電子機器は、光学系と、光学系を透過した光を受光する光検出装置とを備える。光検出装置は、半導体層に設けられる第１光電変換素子をそれぞれ含む複数の第１画素と、半導体層において隣り合う複数の第１画素の間に設けられる第１トレンチとを有する第１領域と、半導体層において第１方向および第１方向に交差する第２方向に設けられる第２トレンチを有し、第１領域の周囲に設けられる第２領域とを有する。第２トレンチのパターン密度は、第１トレンチのパターン密度よりも大きい。
【図面の簡単な説明】
【０００７】
図１は、本開示の実施の形態に係る光検出装置の一例である撮像装置の概略構成の一例を示すブロック図である。
図２は、本開示の実施の形態に係る撮像装置の平面構成の一例を説明するための図である。
図３は、本開示の実施の形態に係る撮像装置の平面構成の一例を説明するための図である。
図４は、本開示の実施の形態に係る撮像装置の有効画素の回路構成の一例を示す図である。
図５Ａは、本開示の実施の形態に係る撮像装置のセルの回路構成の一例を示す図である。
図５Ｂは、本開示の実施の形態に係る撮像装置のセルの回路構成の一例を示す図である。
図６は、本開示の実施の形態に係る撮像装置の断面構成の一例を説明するための図である。
図７は、本開示の実施の形態に係る撮像装置の平面構成の一例を説明するための図である。
図８は、本開示の変形例１に係る撮像装置の画素部の構成例を説明するための図である。
図９は、本開示の変形例２に係る撮像装置の画素部の構成例を説明するための図である。
図１０は、本開示の変形例２に係る撮像装置の画素部の別の構成例を説明するための図である。
図１１は、本開示の変形例２に係る撮像装置の画素部の別の構成例を説明するための図である。
図１２は、本開示の変形例３に係る撮像装置の画素部の構成例を説明するための図である。
図１３は、本開示の変形例４に係る撮像装置の画素部の構成例を説明するための図である。
図１４は、本開示の変形例５に係る撮像装置の構成例を説明するための図である。
図１５は、撮像装置を有する電子機器の構成例を表すブロック図である。
図１６は、車両制御システムの概略的な構成の一例を示すブロック図である。
図１７は、車外情報検出部及び撮像部の設置位置の一例を示す説明図である。
図１８は、内視鏡手術システムの概略的な構成の一例を示す図である。
図１９は、カメラヘッド及びＣＣＵの機能構成の一例を示すブロック図である。
【発明を実施するための形態】
【０００８】
以下、本開示の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明は以下の順序で行う。
１．実施の形態
２．変形例
３．適用例
４．応用例
【０００９】
＜１．実施の形態＞
図１は、本開示の実施の形態に係る光検出装置の一例である撮像装置の概略構成の一例を示すブロック図である。光検出装置は、入射する光を検出可能な装置である。光検出装置である撮像装置１は、光電変換部（光電変換素子）を有する複数の画素Ｐを有し、入射した光を光電変換して信号を生成するように構成される。
【００１０】
撮像装置１は、光学レンズを含む光学系（不図示）を透過した光を受光して信号を生成し得る。撮像装置１は、例えば、複数の画素Ｐが設けられた半導体基板（例えばシリコン基板）を用いて構成される。撮像装置１の各画素Ｐの光電変換部は、例えばフォトダイオード（ＰＤ）であり、光を光電変換可能に構成される。
（【００１１】以降は省略されています）

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