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公開番号2025040607
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-25
出願番号2023147519
出願日2023-09-12
発明の名称電子部品
出願人TDK株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H10D 64/20 20250101AFI20250317BHJP()
要約【課題】信頼性を向上できる電子部品を提供する。
【解決手段】導電層31のうち、段差部60に対応する面31bは、傾斜を有する。これにより、段差部60における導電層31の膜の連続的な成長を促して、シームの発生を抑制、またはシームサイズを小さくすることができる。例えば、図2(c)に示すように、段差部60が傾斜を有することで、膜TLの成長速度を改善することができる。その結果、図2(d)に示すように、オーバーハングOHがあっても、段差部60での膜TLの成長に対する影響を低減できる。また、バリア層32が導電層31を覆うことにより、シームが発生した場合も、当該シームへのエッチング液の浸入を抑制することができる。以上より、電子部品1の信頼性を向上できる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
主面を有する基材と、
前記基材の前記主面に配置され、段差部を有する絶縁層と、
前記絶縁層上において、前記段差部に形成された導電層と、
前記導電層を覆うバリア層と、を含み、
前記導電層のうち、前記段差部に対応する面は、傾斜を有する、電子部品。
続きを表示（約 340 文字）【請求項２】
前記バリア層の側面は、傾斜を有する、請求項１に記載の電子部品。
【請求項３】
前記段差部に対応する前記面の傾斜角は、１１０°以上、１４０°以下である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項４】
前記導電層は、Ａｕ以外の元素を含む、請求項１に記載の電子部品。
【請求項５】
前記基材は、ＧａＮを含む、請求項１に記載の電子部品。
【請求項６】
前記バリア層は、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｗ、Ｍｏ、Ｃｒ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｎｂ、Ｓｎ、Ｃの少なくともいずれか一種を含む材料である、請求項１に記載の電子部品。
【請求項７】
前記バリア層上に形成された薄膜を更に有する、請求項１に記載の電子部品。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、電子部品に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体や電子部品の製造工程において、基材に形成された段差部を被覆する際に、段差の側壁付近からシーム(継ぎ目)が発生する場合がある。該シームを通して後工程で使用するエッチング液などが侵入し、段差部を構成する素子(例えば配線層やゲート電極)の信頼性低下を招くことが懸念されている。これに対し、特許文献１では、配線層を被覆する絶縁層を多層構成にしてシームを不連続にする技術が開示されている。また、特許文献２では、電極層上にバリアメタル層が形成された電子部品が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１７／１８３３９０号明細書
特開２０１３－８０９７８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
しかし、特許文献１ではシームそのものの発生を抑制することはできておらず、シームとシームが不連続となる層間部にボイド（空隙）が発生した状態で成膜されるなどの不良が起こると、シーム部が連結され薬品や水分、不所望のガス等が侵入し、信頼性の低下を招く恐れがあった。従って、シームの発生を抑制し、エッチング液などの侵入も抑制することで、電子部品の信頼性を向上することが求められている。
【０００５】
本発明は、信頼性を向上できる電子部品を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明に係る電子部品は、主面を有する基材と、基材の主面に配置され、段差部を有する絶縁層と、絶縁層上において、段差部に形成された導電層と、導電層を覆うバリア層と、を含み、導電層のうち、段差部に対応する面は、傾斜を有する。
【０００７】
本発明に係る電子部品は、絶縁層上において、段差部に形成された導電層を有する。段差部の底側の面に比べ、段差部は導電層の膜の成長速度が遅いことにより、シームが発生しやすくなる。これに対し、本発明においては、導電層のうち、段差部に対応する面は、傾斜を有する。これにより、段差部における導電層の膜の連続的な成長を促して、シームの発生を抑制、またはシームサイズを小さくすることができる。導電層のシームを抑制することに伴い、バリア層にシームができてしまうことを抑制できる。また、バリア層が導電層を覆うことにより、導電層にシームが発生した場合も、当該シームへのエッチング液の浸入を抑制することができる。以上より、電子部品の信頼性を向上できる。
【０００８】
バリア層の側面は、傾斜を有してよい。例えば、バリア層の側面に傾斜が形成していない場合、バリア層形成時に電極パッドの根元にて、バリア層と導電層との間にボイドが形成される可能性がある。そして、そのボイドを起点にバリア層が剥がれ導電層へのエッチング液などの混入の可能性がある。それに対し、バリア層の側面に傾斜が形成されていることで、ボイドの形成が抑制され、バリア層が剥がれづらくなり、より確実にエッチング液などの混入防止効果が得られる。
【０００９】
段差部に対応する面の傾斜角は、１１０°以上、１４０°以下であってよい。傾斜角が１１０°以上でシームの発生の抑制効果を得ることができる。また、１４０°以下とすることで、電極パッドの幅が広がり過ぎてしまうことを抑制できる。
【００１０】
導電層は、Ａｕ以外の元素を含んでよい。Ａｕはエッチング液に対して安定であるが、それ以外の元素が導電層に存在することで、形成されたシームがエッチング液によって腐食され拡大し素子の信頼性低下の懸念が大きくなる。そのためシームを抑制する本発明の効果がより顕著となる。
（【００１１】以降は省略されています）

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