TOP
|
特許
|
意匠
|
商標
特許ウォッチ
Twitter
他の特許を見る
10個以上の画像は省略されています。
公開番号
2025042383
公報種別
公開特許公報(A)
公開日
2025-03-27
出願番号
2023149358
出願日
2023-09-14
発明の名称
光電変換素子およびその製造方法
出願人
東洋紡株式会社
代理人
主分類
H10K
39/10 20230101AFI20250319BHJP()
要約
【課題】耐久性が向上された光電変換素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】この発明の一態様の光電変換素子11は、基板12、下部電極層13、機能層14、上部電極層15、およびバリア層16を含み、光電変換素子11の少なくとも一部において、基板12、下部電極層13、機能層14、上部電極層15の順に積層されており、機能層14は活性層18を含み、基板12、下部電極層13、機能層14、および上部電極層15を含む積層体がバリア層16により封止されている。
【選択図】図1
特許請求の範囲
【請求項1】
基板、下部電極層、機能層、上部電極層、およびバリア層を備えた光電変換素子であって、前記光電変換素子の少なくとも一部において、前記基板、前記下部電極層、前記機能層、前記上部電極層の順に積層されており、前記機能層は活性層を含み、前記基板、前記下部電極層、前記機能層、および前記上部電極層を含む積層体が前記バリア層により封止されている光電変換素子。
続きを表示(約 190 文字)
【請求項2】
前記下部電極層が光透過性電極層である、請求項1に記載の光電変換素子。
【請求項3】
前記基板がガラスもしくはフィルムからなる、請求項1または2に記載の光電変換素子。
【請求項4】
前記上部電極層を金属の蒸着もしくは金属を含むペーストの塗布によって成膜させる工程を含む、請求項1または2に記載の光電変換素子の製造方法。
発明の詳細な説明
【技術分野】
【0001】
本発明は光電変換素子およびその製造方法に関する。
続きを表示(約 1,300 文字)
【背景技術】
【0002】
従来から、太陽電池が、特にマイクロクリスタリン、シリコン、カドテル、および有機等の薄膜太陽電池が、次世代のエネルギー問題を解決する手段の1つとして期待されている。薄膜太陽電池は材料を薄膜化することにより製造され、この製造方法として幾つかの手法が公知である。
【0003】
薄膜化は、太陽電池を構成する各層の薄膜塗布により実現される。例えば有機薄膜太陽電池については、活性層、電子輸送層、およびホール輸送層等(以下、これらを機能層とも総称する。)の製造方法として、スピンコート法、インクジェット法、およびグラビアコート等の湿式塗布法を用いた方法が知られている(例えば、特許文献1および2を参照)。これらの方法は、他の光電変換素子を構成する機能層の製造にも用いられ得る。
【0004】
光電変換素子の光電変換効率を高めるためには、素子内での光反射による光損失、電荷の再結合による光損失、エネルギーの不完全利用による光損失、および抵抗による電気損失等を少なくすることが求められる。
【0005】
光電変換素子の活性層表面は屈折率が大きいため、光反射による光損失が大きくなることが懸念される。当該光損失を少なくすることを目的として、次のように、光反射防止構造としてのテクスチャを活性層表面に形成することが行われている。
【0006】
シリコンウエハーから太陽電池セルを作製するタイプでは、シリコンウエハーを水酸化カリウム等のアルカリ溶液に浸漬し結晶方位によるエッチング速度異方性を利用しテクスチャを形成する方法が開示されている(特許文献3を参照)。
【0007】
基板上に透明導電膜を形成していくタイプでは、透明導電膜に酢酸や塩酸等の酸性または水酸化ナトリウム等のアルカリ性溶液でエッチングすることによりテクスチャを形成する方法が開示されている(特許文献4を参照)。
【0008】
基板上に透明導電膜を形成して行くタイプでは、スパッタやCVDでの透明導電膜作製時にホウ素を導入することでテクスチャを形成する方法が開示されている(特許文献5を参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0009】
特開2016-051805号公報
特開2013-089807号公報
特開2004-281758号公報
特開2005-72332号公報
特開2000-252504号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0010】
このような光電変換素子では、内部への酸素や水分の侵入により性能が劣化してしまって長期使用に耐えられないことがあり、耐久性が向上されることが求められている。
この発明は上記事情に着目してなされたもので、その目的とするところは、耐久性が向上された光電変換素子およびその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
(【0011】以降は省略されています)
この特許をJ-PlatPatで参照する
関連特許
東洋紡株式会社
ウイルスからの核酸抽出法
9日前
東洋紡株式会社
耐熱性ポリエステルフィルム
1日前
東洋紡株式会社
マイコプラズマ・ホミニス検出用オリゴヌクレオチド及びその用途
8日前
東洋紡株式会社
サル痘ウイルス及び水痘・帯状疱疹ウイルス検出用オリゴヌクレオチド及びその用途
8日前
富士電機株式会社
半導体装置
2日前
三菱電機株式会社
半導体装置
3日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
6日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1日前
株式会社半導体エネルギー研究所
半導体装置の作製方法
1日前
日亜化学工業株式会社
窒化物半導体発光素子
1日前
ローム株式会社
半導体装置
1日前
日亜化学工業株式会社
発光装置
1日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法
1日前
ローム株式会社
半導体発光装置
6日前
旺宏電子股ふん有限公司
コンデンサ構造体
7日前
豊田合成株式会社
発光素子
3日前
パテントフレア株式会社
光電効果のエネルギー相互変換促進法
2日前
日本化薬株式会社
縮合多環芳香族化合物及び光電変換素子材料
3日前
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
光検出素子
1日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法及び発光装置
6日前
日亜化学工業株式会社
発光モジュール及びカバー構造体
7日前
日亜化学工業株式会社
発光装置及び発光装置の製造方法
1日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法及び発光装置
3日前
セイコーエプソン株式会社
電気光学装置および電子機器
6日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
日亜化学工業株式会社
発光装置の製造方法、発光装置
1日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
ローム株式会社
半導体装置及び半導体装置の製造方法
2日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
株式会社東芝
半導体装置
7日前
株式会社東芝
半導体装置
6日前
豊田合成株式会社
照明用光源、および、照明装置
1日前
エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド
表示装置
6日前
富士フイルム株式会社
圧電素子及びアクチュエータ
2日前
キヤノン株式会社
光電変換装置、機器、および移動体
1日前
株式会社デンソー
半導体装置、および、パワーコントロールユニット
2日前
続きを見る
他の特許を見る