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公開番号2025041694
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-26
出願番号2024216209,2023505370
出願日2024-12-11,2020-12-08
発明の名称エッジリングとバイアス電極の形状寸法を用いた膜厚均一性の改善
出願人アプライドマテリアルズインコーポレイテッド,APPLIED MATERIALS,INCORPORATED
代理人園田・小林弁理士法人
主分類C23C 16/44 20060101AFI20250318BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】高い均一性をもたらすエッジリングを提供する。
【解決手段】基板処理のためのエッジリング140bであって、底面240と、上面と、前記底面240と前記上面を接続し、中心軸を中心とする開口部を形成する内面と、前記上面から延び、前記開口部の周りで間隔を空けて配置された複数の突出部206と、前記上面に形成され、前記底面に向かって、前記複数の突出部206から径方向外側に延びる環状の溝306と、を備えるエッジリングである。
【選択図】図2B
特許請求の範囲【請求項１】
基板処理のための装置であって、
エッジリングであって、
底面と、
上面と、
前記上面に配置された溝と
を含むエッジリングと、
前記溝に配置されたオーバーハングリングであって、更に、
前記溝から延在する第１の部分と、
前記第１の部分に接続され、径方向内側に延在する第２の部分と
を含むオーバーハングリングと
を備える装置。
続きを表示（約 550 文字）【請求項２】
前記エッジリングは石英材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項３】
前記オーバーハングリングは石英材料を含む、請求項１に記載の装置。
【請求項４】
前記エッジリングは更に、前記上面に配置された複数のタブを含む、請求項１に記載の装置。
【請求項５】
前記複数のタブは３から１０個のタブを含む、請求項４に記載の装置。
【請求項６】
前記複数のタブは、溝の径方向内側に配置される、請求項４に記載の装置。
【請求項７】
前記オーバーハングリングの第２の部分は、前記複数のタブの外面の径方向内側に延在する、請求項４に記載の装置。
【請求項８】
前記エッジリングは更に、外側レッジを含み、前記外側レッジは、前記エッジリングの底面から延在する、請求項１に記載の装置。
【請求項９】
前記オーバーハングリングの第２の部分は、前記オーバーハングリングの第１の部分に対して垂直である、請求項１に記載の装置。
【請求項１０】
前記オーバーハングリングは、前記エッジリングの内半径より小さい内半径を有する、請求項１に記載の装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
［０００１］本開示の実施形態は、概して、集積回路の製造、及び膜厚均一性を改善するために基板処理チャンバ内で使用するための装置に関する。
続きを表示（約 1,700 文字）【背景技術】
【０００２】
［０００２］基板処理の主要な目標は、各基板から可能な限り最大の有用な表面積、及びその結果、最大数のチップを得ることである。考慮すべき幾つかの要因には、基板に堆積した層の均一性及び厚さに影響を与える処理変数、並びに基板に付着して基板の全部又は一部を無用にしてしまう可能性がある汚染物質が含まれる。これらの要因を制御することで、処理される各基板の有用な表面積を最大化することができる。
【０００３】
［０００３］半導体処理における最近の発展により、低イオン電流及び高イオンエネルギーを必要とする新たな処理用途に関心が起きている。これにより、膜を成長させることなく深部処理を行うことができる。低イオン電流、高イオンエネルギーの要求を満たすために、ソース電力を１０から２０倍以上上回るバイアス電力が使用されてきた。このような高いバイアス電力とソース電力の比率では、プラズマ密度及び基板へのプラズマ電流が影響を受ける。プラズマ電流及びプラズマ密度への影響により、基板エッジに向かって膜厚が厚くなる。
【０００４】
［０００４］エッジリングは、従来、基板のエッジ付近の堆積速度を変えることによって膜厚均一性を改善するために使用されてきた。しかしながら、典型的なエッジリングは、依然として、基板の極端なエッジ付近の均一性と堆積速度が悪いという結果をもたらしている。従って、当技術分野には、より高い均一性をもたらすエッジリングに対するニーズが存在する。
【発明の概要】
【０００５】
［０００５］本開示の実施形態は、概して、低イオン電流及び高イオンエネルギー用途時の、基板のエッジ付近の膜厚を改善するための装置に関する。
【０００６】
［０００６］一実施形態では、基板処理装置は、エッジリングとオーバーハングリングとを含む。エッジリングは、底面と、上面と、上面に配置された溝とを含む。オーバーハングリングは、溝に配置され、溝から延在する第１の部分と、第１の部分に接続され、径方向内側に延在する第２の部分とを含む。
【０００７】
［０００７］別の実施形態では、基板処理装置は、エッジリングとオーバーハングリングとを含む。エッジリングは、底面と、上面と、中央開口部と、上面に配置された溝とを含む。オーバーハングリングは、溝に配置され、溝から上向きに延在する第１の部分と、オーバーハングリングの中心軸に向かって径方向内側に延在する第２の部分とを含む。
【０００８】
［０００８］更に別の実施形態では、基板処理装置は、エッジリングとオーバーハングリングとを含む。エッジリングは更に、支持面と、上面と、上面に配置された溝と、上面に配置された複数のタブとを含む。オーバーハングリングは、溝に配置され、溝から延在する第１の部分と、第１の部分に接続され、径方向内側に延在する第２の部分とを更に含む。
【０００９】
［０００９］上述した本開示の特徴を詳細に理解できるように、一部が添付の図面に例示されている実施形態を参照しながら、上記に要約した本開示をより具体的に説明する。しかし、添付の図面は例示的な実施形態を単に示すものであり、従って、本開示の範囲を限定するものと見なすべきではなく、他の等しく有効な実施形態も許容しうることに留意されたい。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
プロセスチャンバの概略断面図である。
図１のプロセスチャンバ内で使用するためのエッジリングの断面図である。
図１のプロセスチャンバ内で使用するためのエッジリングの断面図である。
図２Ｂのエッジリングの概略平面図である。
図２Ｂのエッジリングの概略断面図である。
図３Ａ～図３Ｂのエッジリングと共に利用されるオーバーハングリングの断面図である。
図３Ａ～図３Ｂのエッジリングの部分断面図である。
図３Ａ～図３Ｂのエッジリングの部分断面図である。
２つの異なるエッジリングを使用した基板上の膜厚を示すグラフである。
【発明を実施するための形態】
（【００１１】以降は省略されています）

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