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公開番号2025041560
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-26
出願番号2024156585
出願日2024-09-10
発明の名称反応チャンバ用の摺動スレッジを有する基材上の半導体材料のエピタキシャル堆積のための反応器
出願人エルピーイー・エッセ・ピ・ア
代理人個人,個人,個人
主分類C23C 16/44 20060101AFI20250318BHJP(金属質材料への被覆;金属質材料による材料への被覆;化学的表面処理;金属質材料の拡散処理;真空蒸着,スパッタリング,イオン注入法,または化学蒸着による被覆一般;金属質材料の防食または鉱皮の抑制一般)
要約【課題】反応チャンバ用の摺動スレッジを有する基材上の半導体材料のエピタキシャル堆積のための反応器を提供する。
【解決手段】革新的な反応器が、基材上の半導体材料のエピタキシャル堆積のために使用され、この反応器は、長軸方向(L)に沿って延在する反応チャンバ(210)と、反応チャンバ(210)または反応チャンバの一部分を支持するように適合されたスレッジ(220)と、長軸方向(L)に沿って延在し、反応チャンバ(210)および反応チャンバ(210)を支持するスレッジ(220)を収容するように適合された管(230)と、を備え;スレッジ(220)は、反応器が非動作状態にある時、反応チャンバ(210)を管(230)から抜き出す/管(230)の中へと挿入するように、長軸方向(L)に沿って摺動するように適合される。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
基材上への半導体材料のエピタキシャル堆積のための反応器であって、
長軸方向(L)に沿って延在する反応チャンバ(210)と、
前記反応チャンバ(210)または前記反応チャンバの一部分を支持するように適合されたスレッジ(220)と、
前記長軸方向(L)に沿って延在し、かつ前記反応チャンバ(210)、および前記反応チャンバ(210)を支持する前記スレッジ(220)を収容するように適合された管(230)と、を備え、
前記スレッジ（220）が、前記反応器が非動作状態にある時に、前記反応チャンバ（210）を、前記管（230）から抜き出す/前記管（230）の中へと挿入することができるように、前記長軸方向（L）に沿って摺動するように適合される、反応器。
続きを表示（約 1,100 文字）【請求項２】
前記反応器が、前記長軸方向(L)に沿って延在し、かつ前記反応チャンバ(210)の周りに配設される断熱材(240)も備え、
前記スレッジ（220）が、前記断熱材（240）または前記断熱材の一部分も支持するように適合される、
請求項１に記載の反応器。
【請求項３】
前記スレッジ（220）が、前記管（230）の内表面上に置かれ、かつ具体的には、前記内表面上を摺動するように適合される少なくとも1つのパッド（222）を備える、
請求項１に記載の反応器。
【請求項４】
前記パッド（222）が、前記スレッジ（220）の第1の端部ゾーンに位置する、
請求項３に記載の反応器。
【請求項５】
前記反応器が、前記管（230）の外側に位置付けられた移動アセンブリ（250）も備え、
前記スレッジ(220)が、前記移動アセンブリ(250)へと拘束され、かつ
前記移動アセンブリ（250）が、少なくとも前記反応チャンバ（210）を支持する前記スレッジ（210）を引き、そして押すように適合される、
請求項１に記載の反応器。
【請求項６】
前記移動アセンブリ(250)が、前記スレッジ(220)の第2の端部ゾーンにおいて前記スレッジ(220)を拘束および支持するように構成されたアーム(252)を備える、
請求項５に記載の反応器。
【請求項７】
前記反応器が、前記管（230）の外側に軌道（300）も備え、
前記移動アセンブリ（250）が滑材（254）を備え、かつ
前記滑材（254）が、前記軌道（300）に沿って摺動するように適合される、
請求項５に記載の反応器。
【請求項８】
前記移動アセンブリ（250）が、少なくともプロセスガスダクトのための接続部（256）を備える、
請求項７に記載の反応器。
【請求項９】
前記反応器が、プロセスガスを前記反応チャンバ（210）へと供給するためのガイドアセンブリ（400）も備え、
前記ガイドアセンブリ（400）が、前記移動アセンブリ(250)の前記接続部(256)へと流体的に連結される、
請求項８に記載の反応器。
【請求項１０】
前記反応器が、プロセスガスのための少なくとも可撓性ダクト（520）を内部に収容する可撓性チェーン（510）も備え、
前記可撓性ダクト（520）が、前記移動アセンブリ（250）の前記接続部（256）へと流体的に連結される、
請求項８に記載の反応器。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
基材上の半導体材料のエピタキシャル堆積のための反応器、または単に「エピタキシャル反応器」が本明細書に記述される。
続きを表示（約 1,100 文字）【０００２】
具体的には、堆積される半導体材料は炭化ケイ素である。
【０００３】
堆積がその上に実施される基材も、典型的に炭化ケイ素で作製されるが、他の材料も除外することはできない。
【背景技術】
【０００４】
炭化ケイ素のエピタキシャル堆積のための反応器は、しばらく前から知られている。
【０００５】
例えば、2002年に、出願人は、こうした反応器に関する2つの国際特許出願を出願し、それらは国際公開第2004/053187A1号および国際公開第2004/053188A1号として公開された。次いで、出願人は、最初に、こうした反応器のための可能性のある反応チャンバに関する国際特許出願を出願し、それらは国際公開第2015/092525A1号として公開され、次いで、こうした反応器のための可能なプロセスに関する国際特許出願を出願し、それらは国際公開第2022/053963A1号として公開された。
【０００６】
国際公開第2004/053187A1号および国際公開第2004/053188A1号による反応器は、長軸方向に沿って延在する反応チャンバ、同様に同じ長軸方向に沿って延在する断熱材、および同様に同じ長軸方向に沿って延在する石英（または同様の材料）で作製された管を含むアーキテクチャを有し、断熱材はチャンバを横方向に囲み、管は断熱材を横方向に囲む。チャンバ、断熱材、および管の断面は、実質的に円形状、楕円状、または多角形状もしくは長方形状の形状であり、典型的にこれらの3つの要素の断面は同じ形状であるが、必ずしも同じではない。チャンバおよび断熱材は典型的に、一緒に結合された、例えば、互いに固定された、いくつかの部品からなる。
【０００７】
任意の動作している機械のために重要な1つの態様は、完全に動作可能であり、かつ常に優れた性能を有するだけでなく、比較的単純でそれ故に比較的コスト効率の高い保守を実行する可能性も有するような、その経時的な保守である。
【０００８】
典型的に、保守は、定期的かつ/または予測タイプのものである。
【０００９】
こうした態様はまた、エピタキシャル反応器のためにも非常に重要である。
【００１０】
この場合、保守は、汚れ、具体的には半導体材料の的外れな堆積に起因する汚れに供される、および/または摩耗、具体的には繰り返される堆積プロセスの結果としてのその表面の劣化に供される、反応チャンバおよび反応器の他の構成要素のために特に重要である。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
（【００１１】以降は省略されています）

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