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公開番号2025041002
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-26
出願番号2023148042
出願日2023-09-13
発明の名称窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法
出願人富士電機株式会社
代理人弁理士法人RYUKA国際特許事務所
主分類H10D 30/66 20250101AFI20250318BHJP()
要約【課題】窒化物半導体装置において、非活性領域のシート抵抗を低下させる。
【解決手段】活性領域110と、非活性領域120と、を備える縦型の窒化物半導体装置100であって、非活性領域120は、半導体基板10とエピタキシャル領域20とを含むN型領域と、N型領域の上方に設けられるP型の第1イオン注入領域31と、第1イオン注入領域31の上方に選択的に設けられ、第1イオン注入領域31よりもドーピング濃度の高い、P型の第2イオン注入領域32と、第1イオン注入領域31の上方において、第2イオン注入領32域が設けられていない通過領域33と、を有する。
【選択図】図2C
特許請求の範囲【請求項１】
活性領域と非活性領域とを備える縦型の窒化物半導体装置であって、前記非活性領域は、
Ｎ型領域と、
前記Ｎ型領域の上方に設けられ、Ｐ型の第１イオン注入領域と、
前記第１イオン注入領域の上方に選択的に設けられ、前記第１イオン注入領域よりもドーピング濃度の高い、Ｐ型の第２イオン注入領域と、
前記第１イオン注入領域の上方において、前記第２イオン注入領域が設けられていない通過領域と、
を有する
窒化物半導体装置。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
前記Ｎ型領域と前記第１イオン注入領域とが接するＰＮ接合領域を備え、
前記非活性領域は、上面視で前記ＰＮ接合領域の内側に設けられる
請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項３】
前記通過領域は、前記第２イオン注入領域よりもドーピング濃度の低いＰ型領域である
請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項４】
前記通過領域は、前記第１イオン注入領域である
請求項３に記載の窒化物半導体装置。
【請求項５】
前記通過領域は、前記第１イオン注入領域の上面に設けられた絶縁層である
請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項６】
上面視において、前記第２イオン注入領域の面積は、前記通過領域の面積以上である
請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項７】
上面視において、前記第２イオン注入領域の任意の点から測定した前記通過領域までの最近接距離は、５００μｍ以下である
請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項８】
上面視において、前記第２イオン注入領域の任意の点から測定した前記通過領域までの最近接距離は、２００μｍ以下である
請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項９】
前記第２イオン注入領域は、上面視において、予め定められた延伸方向に延伸して設けられた複数の第２イオン注入領域を有し、
前記通過領域は、上面視において、前記延伸方向に延伸して設けられた複数の通過領域を有し、
前記複数の第２イオン注入領域および前記複数の通過領域は、上面視において、前記延伸方向と異なる配列方向に交互に設けられる
請求項１に記載の窒化物半導体装置。
【請求項１０】
前記配列方向における前記通過領域の幅は、５０μｍ以上、１０００μｍ以下である
請求項９に記載の窒化物半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明は、窒化物半導体装置および窒化物半導体装置の製造方法に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
特許文献１には、Ｐ型領域が設けられない第１領域を備えた炭化珪素半導体装置が記載されている。特許文献２および３には、Ｐ型領域から水素を外方拡散させるための経路を備える窒化物半導体装置が記載されている。
［先行技術文献］
［特許文献］
［特許文献１］特開２０２２－１８０２３３号公報
［特許文献２］特開２００３－６８７４５号公報
［特許文献３］特表２０２２－５３３１８７号公報
［非特許文献１］ＮａｒｉｔａＴｅｔｕｓｏ，ＴｏｍｉｔａＫａｚｕｙｏｓｈｉ，ＹａｍａｄａＳｈｉｎｊｉ，ＫａｃｈｉＴｅｔｓｕ， "Ｑｕａｎｔｉｔａｔｉｖｅｉｎｖｅｓｔｉｇａｔｉｏｎｏｆｔｈｅｌａｔｅｒａｌｄｉｆｆｕｓｉｏｎｏｆｈｙｄｒｏｇｅｎｉｎｐ－ｔｙｐｅＧａＮｌａｙｅｒｓｈａｖｉｎｇＮＰＮｓｔｒｕｃｔｕｒｅｓ，" ＡｐｐｌｉｅｄＰｈｙｓｉｃｓＥｘｐｒｅｓｓ，２０Ｄｅｃｅｍｂｅｒ２０１８，Ｖｏｌｕｍｅ１２，Ｐａｇｅ０１１００６．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
窒化物半導体装置において、非活性領域のシート抵抗を低下させることが望ましい。
【課題を解決するための手段】
【０００４】
本発明の第１の態様においては、活性領域と非活性領域とを備える縦型の窒化物半導体装置であって、前記非活性領域は、Ｎ型領域と、前記Ｎ型領域の上方に設けられ、Ｐ型の第１イオン注入領域と、前記第１イオン注入領域の上方に選択的に設けられ、前記第１イオン注入領域よりもドーピング濃度の高い、Ｐ型の第２イオン注入領域と、前記第１イオン注入領域の上方において、前記第２イオン注入領域が設けられていない通過領域と、を有する、窒化物半導体装置を提供する。
【０００５】
上記窒化物半導体装置において、前記Ｎ型領域と前記第１イオン注入領域とが接するＰＮ接合領域を備え、前記非活性領域は、上面視で前記ＰＮ接合領域の内側に設けられてよい。
【０００６】
上記いずれかの窒化物半導体装置において、前記通過領域は、前記第２イオン注入領域よりもドーピング濃度の低いＰ型領域であってよい。
【０００７】
上記いずれかの窒化物半導体装置において、前記通過領域は、前記第１イオン注入領域であってよい。
【０００８】
上記いずれかの窒化物半導体装置において、前記通過領域は、前記第１イオン注入領域の上面に設けられた絶縁層であってよい。
【０００９】
上記いずれかの窒化物半導体装置において、上面視において、前記第２イオン注入領域の面積は、前記通過領域の面積以上であってよい。
【００１０】
上記いずれかの窒化物半導体装置において、上面視において、前記第２イオン注入領域の任意の点から測定した前記通過領域までの最近接距離は、５００μｍ以下であってよい。
（【００１１】以降は省略されています）

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