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公開番号2025039543
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-21
出願番号2024152119
出願日2024-09-04
発明の名称電界補助リソグラフィーのための方法およびシステム
出願人エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー
代理人個人,個人,個人
主分類G03F 7/20 20060101AFI20250313BHJP(写真;映画;光波以外の波を使用する類似技術;電子写真;ホログラフイ)
要約【課題】電界補助リソグラフィーのための方法およびシステムを提供する。
【解決手段】リソグラフィーシステムおよび方法。本明細書に開示される方法の実施形態は、基板を電磁放射線に曝露しながら、基板を電界に曝露することを含む。したがって、露光量低減を得ることができる。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
電磁（ＥＭ）放射線源と、光学アセンブリと、基板支持体および電極アセンブリを備える露光チャンバと、を備える、半導体基板をリソグラフィーパターニングするためのシステムであって、
前記ＥＭ放射線源が、電磁放射線を発生させるように構成され、
前記光学アセンブリが、前記ＥＭ放射線を前記基板支持体に向かって方向付けるように構築および配設され、
前記基板支持体が、半導体基板を支持するように構築および配設され、
前記電極アセンブリが、前記半導体基板内に備えられたＥＭ感受性層に電界を印加するように構築および配設されている、半導体基板をリソグラフィーパターニングするためのシステム。
続きを表示（約 940 文字）【請求項２】
前記電極アセンブリが、前記電界を前記ＥＭ感受性層に横方向に印加するように構築および配設されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項３】
前記電極アセンブリが、前記基板支持体に隣接して位置付けられた２つの電極を備えている、請求項２に記載のシステム。
【請求項４】
前記電極アセンブリが、２つの電極を備え、各々が、共に相互嵌合パターンを形成する複数のフィンガーを備えている、請求項２に記載のシステム。
【請求項５】
前記複数のフィンガーからのフィンガーが相互に平行である、請求項４に記載のシステム。
【請求項６】
前記電極アセンブリが、前記電界を前記ＥＭ感受性層に横方向に印加するように構築および配設されている、請求項１に記載のシステム。
【請求項７】
前記電極アセンブリが、第１の電極および第２の電極を備え、前記第１の電極が前記基板支持体に電気的に接続され、前記第２の電極が前記基板に対して実質的に平行に、前記基板と前記ＥＭ放射線源との間に配置されている、請求項６に記載のシステム。
【請求項８】
前記電極アセンブリが、第１の電極および第２の電極を備え、前記第１の電極が前記基板に電気的に接続され、前記第２の電極が前記基板に対して実質的に平行に、前記基板と前記ＥＭ放射線源との間に配置されている、請求項６に記載のシステム。
【請求項９】
前記ＥＭ放射線源が極端紫外線（ＥＵＶ）源を備えている、請求項１～８のいずれか一項に記載のシステム。
【請求項１０】
－電磁（ＥＭ）放射線源と、光学アセンブリと、基板支持体および電極アセンブリを備える露光チャンバと、を備えるシステムを提供する工程と、
－基板を前記基板支持体上に配置する工程であって、前記基板がＥＭ感受性層を備えている工程と、
－前記基板をＥＭ放射線に曝露する工程と、
－前記基板をＥＭ放射線に曝露する間、第１の電極および第２の電極を備える電極対によって前記ＥＭ感受性層に電界を印加する工程と、を含む、方法。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体基板などの基板のパターニングのためのリソグラフィー、例えばＥＵＶリソグラフィーの分野である。
続きを表示（約 1,000 文字）【背景技術】
【０００２】
極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィーは、高度な半導体処理を可能にする技術である。それでもコストがかかり、光子あたりのコストが高い。したがって、レジストの完全な曝露に必要な光子の量を「露光量」と呼び、線量を低減することが望ましい。
【発明の概要】
【０００３】
電磁（ＥＭ）放射線源、光学アセンブリ、および基板支持体および電極アセンブリを備える露光チャンバを備える半導体基板をリソグラフィーパターニングするためのシステムであって、ＥＭ放射線源が、電磁放射線を発生させるように構成され、光学アセンブリが、ＥＭ放射線を基板支持体に向かって方向付けるように構築および配設され、基板支持体が、半導体基板を支持するように構築および配設され、電極アセンブリが、半導体基板内に備えられたＥＭ感受性層に電界を印加するように構築および配設されている、半導体基板をリソグラフィーパターニングするためのシステムが本明細書で開示される。
【０００４】
いくつかの実施形態では、電極アセンブリは、電界をＥＭ感受性層に横方向に印加するように構築および配設されている。
【０００５】
いくつかの実施形態では、電極アセンブリは、基板支持体に隣接して配置された２つの電極を備えている。
【０００６】
いくつかの実施形態では、電極アセンブリは、２つの電極を備え、各々が、共に相互嵌合パターンを形成する複数のフィンガーを備えている。
【０００７】
いくつかの実施形態では、複数のフィンガーからのフィンガーは相互に平行である。
【０００８】
いくつかの実施形態では、電極アセンブリは、電界をＥＭ感受性層に横方向に印加するように構築および配設されている。
【０００９】
いくつかの実施形態では、電極アセンブリは、第１の電極および第２の電極を備え、第１の電極は基板支持体に電気的に接続され、第２の電極は基板に対して実質的に平行に、基板とＥＭ放射線源との間に配置されている。
【００１０】
いくつかの実施形態では、電極アセンブリは、第１の電極および第２の電極を備え、第１の電極は基板に電気的に接続され、第２の電極は基板に対して実質的に平行に、基板とＥＭ放射線源との間に配置されている。
（【００１１】以降は省略されています）

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