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公開番号2025037424
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-18
出願番号2023144353
出願日2023-09-06
発明の名称半導体装置およびその製造方法
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人個人,個人,個人
主分類H01L 21/301 20060101AFI20250311BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】裏面電極にバリを発生させず、半導体デバイスの特性に影響を与えないようにダイシングすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態による半導体装置は、第1面、第1面とは反対側にある第2面、第1面と第2面との間にある側面を有する半導体素子を備える。第1電極層は、半導体素子の第1面に設けられている。第2電極層は、半導体素子の第2面に設けられている。第2面の外縁部は、第1面の外縁部よりも丸まっている。第2電極層の膜厚は側面に近づくに従って次第に薄くなっている。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項1】
第1面、前記第1面とは反対側にある第2面、前記第1面と前記第2面との間にある側面を有する半導体素子と、
前記半導体素子の前記第1面に設けられた第1電極層と、
前記半導体素子の前記第2面に設けられた第2電極層とを備え、
前記第2面の外縁部が前記第1面の外縁部よりも丸まっており、
前記第2電極層の膜厚は前記側面に近づくに従って次第に薄くなっている、半導体装置。
続きを表示(約 900 文字)【請求項2】
前記第2電極層は、前記第2面の外縁部を被覆している、請求項1に記載の半導体装置。
【請求項3】
前記第1面に平行な平面において、前記第2電極層は、前記側面から外方へ飛び出ていない、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
【請求項4】
前記第2電極層は、前記第2面の外縁部において、前記第2面から前記側面に沿って前記第1面へ向かって曲がっている、請求項1または請求項2に記載の半導体装置。
【請求項5】
第1面、前記第1面とは反対側にある第2面、前記第1面と前記第2面との間にある側面を有する半導体素子の前記第1面に第1電極層を形成し、
前記半導体素子の複数の半導体チップ間にあるラインに沿って、前記第1面から前記半導体素子に溝を形成し、
前記溝が埋まるように前記第1面に接着剤を供給し、
前記溝内の前記接着剤が前記第2面から露出されるまで、前記半導体素子の前記第2面を研磨し、
前記半導体素子の前記第2面を選択的にエッチバックして前記接着剤を前記第2面から突出させ、
前記第2面および前記接着剤上に第2電極層の材料を堆積し、
前記第2面上にある前記第2電極層の材料を残置させたまま、前記接着剤を、前記接着剤上にある前記第2電極層の材料とともに選択的に除去することを具備する、半導体装置の製造方法。
【請求項6】
前記接着剤の供給後、前記第2面の研磨の前に、
前記第1面の前記接着剤に支持基板を接着し、
前記支持基板が下方になるように、前記半導体素子の上下を反転させることを具備し、
前記接着剤上にある前記第2電極層の材料の除去後、
前記第2面の前記第2電極層上にシートを貼付し、
前記シートが下方になるように、前記半導体素子の上下を反転させることを具備する、請求項5に記載の方法。
【請求項7】
前記シートの貼付後、
前記複数の半導体チップをピックアップして配線基板に実装される、請求項6に記載の方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【0001】
本実施形態は、半導体装置およびその製造方法に関する。
続きを表示(約 1,800 文字)【背景技術】
【0002】
半導体チップのダイシング工程は、半導体ウェハを研削して薄膜化した後に裏面電極を形成し、ブレードによりカットすることによって実行される。しかし、ブレードでカットする際に裏面電極にバリが発生し、バリがダイシングシートに食い込むことがある。この場合、半導体チップをダイシングシートからピックアップすることが困難になる。また、裏面電極のバリが、端子間ショート不良を発生させたり、半導体チップの端面にクラックを発生させることもある。
【0003】
レーザダイシングでは、裏面電極のバリを抑制するが、レーザによる半導体チップへのダメージが懸念される。また、レーザのグルービング幅はダイシングライン幅の約2倍に広がるため、組立工程において裏面チップ端のメタル除去した部分に樹脂が入り込む。これにより、半導体デバイスの特性に影響を与えることが懸念される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
特開2000-195826号公報
特許第4427308号
特開2007-165371号公報
特許第5238927号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
裏面電極にバリを発生させず、半導体デバイスの特性に影響を与えないようにダイシングすることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本実施形態による半導体装置は、第1面、第1面とは反対側にある第2面、第1面と第2面との間にある側面を有する半導体素子を備える。第1電極層は、半導体素子の第1面に設けられている。第2電極層は、半導体素子の第2面に設けられている。第2面の外縁部は、第1面の外縁部よりも丸まっている。第2電極層の膜厚は側面に近づくに従って次第に薄くなっている。
【図面の簡単な説明】
【0007】
実施形態による半導体装置の構成例を示す部分的断面図。
実施形態による半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図2に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図3に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図4に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図4に続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図5Aに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図5Bに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図6Aに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図6Bに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図7Aに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図7Bに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図8Aに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
図8Bに続く、半導体装置の製造方法の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【0008】
以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものである。明細書と図面において、同一の要素には同一の符号を付す。
【0009】
図1は、実施形態による半導体装置の構成例を示す部分的断面図である。半導体装置1は、半導体素子10と、表面電極20と、絶縁膜30と、裏面電極40と、表面電極50とを備えている。尚、図1は、半導体装置1の端部を部分的に示している。表面電極20および/または表面電極50は、第1電極層の一例である。
【0010】
半導体装置1は、例えば、IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)、HEMT(High Electron Mobility Transistor)、MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)、あるいは、ダイオード等のパワー半導体装置でよい。半導体装置1は、半導体チップとして個片化されている。
(【0011】以降は省略されています)

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