特許ウォッチ

公開番号2025024326
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-20
出願番号2023128355
出願日2023-08-07
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 25/04 20230101AFI20250213BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】伝送特性を向上し、かつ実装面積の増加を抑制する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が上記基板の第1面の上方に設けられ、ソースが共通に接続された第1トランジスタ及び第2トランジスタと、上記基板の上記第1面の上方に設けられ、アノード電極及びカソード電極を有する発光素子と、上記基板の上記第1面の上方に設けられ、上記発光素子の発光状態に応じて上記第1トランジスタ及び上記第2トランジスタをオン状態又はオフ状態にする受光素子と、上記基板の上記第1面の上方に設けられ、上記発光素子の前記アノード電極に接続される第1フィルタ素子と、上記基板の上記第1面の上方に設けられ、上記発光素子の上記カソード電極に接続される第2フィルタ素子と、を備える。
【選択図】図2
特許請求の範囲【請求項１】
基板と、
各々が前記基板の第１面の上方に設けられ、ソースが共通に接続された第１トランジスタ及び第２トランジスタと、
前記基板の前記第１面の上方に設けられ、アノード電極及びカソード電極を有する発光素子と、
前記基板の前記第１面の上方に設けられ、前記発光素子の発光状態に応じて前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタをオン状態又はオフ状態にする受光素子と、
前記基板の前記第１面の上方に設けられ、前記発光素子の前記アノード電極に接続される第１フィルタ素子と、
前記基板の前記第１面の上方に設けられ、前記発光素子の前記カソード電極に接続される第２フィルタ素子と、
を備える、
半導体装置。
続きを表示（約 970 文字）【請求項２】
前記第１フィルタ素子及び前記発光素子の前記アノード電極を電気的に接続する第１配線と、
前記第２フィルタ素子及び前記発光素子の前記カソード電極を電気的に接続する第２配線と、
をさらに備え、
前記第１配線及び前記第２配線は、上方から見て、互いに略平行に配置される、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１フィルタ素子は、第１フィルタ電極と、第２フィルタ電極とを有し、
前記第２フィルタ素子は、第３フィルタ電極と、第４フィルタ電極とを有する、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１フィルタ電極及び前記第２フィルタ電極は、前記第１面に垂直な第１方向に対向し、
前記第３フィルタ電極及び前記第４フィルタ電極は、前記第１方向に対向し、
前記第１フィルタ電極は、前記第１フィルタ素子の上面に設けられ、
前記第２フィルタ電極は、前記第１フィルタ素子の下面に設けられ、
前記第３フィルタ電極は、前記第２フィルタ素子の上面に設けられ、
前記第４フィルタ電極は、前記第２フィルタ素子の下面に設けられる、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１フィルタ電極及び前記第２フィルタ電極は、前記第１面に平行な第１方向に対向し、
前記第３フィルタ電極及び前記第４フィルタ電極は、前記第１方向に対向する、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、前記第１方向に並ぶ、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１トランジスタ及び前記第２トランジスタは、前記第１方向に直交する第２方向に並ぶ、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１配線は、前記第１フィルタ電極と直接的に接続され、
前記第２配線は、前記第３フィルタ電極と直接的に接続される、
請求項３記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１フィルタ素子及び前記第２フィルタ素子は、一体として設けられる、
請求項１記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
半導体装置として、発光素子及び受光素子を含むフォトリレー装置が知られている。フォトリレー装置は、無接点のリレーであり、交流信号や直流信号の伝送に用いられる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２００９－１６４１５４号公報
特開２００６－３５１６０８号公報
特開２００４－１２８１４３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
伝送特性を向上し、かつ実装面積の増加を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、基板と、各々が上記基板の第１面の上方に設けられ、ソースが共通に接続された第１トランジスタ及び第２トランジスタと、上記基板の上記第１面の上方に設けられ、アノード電極及びカソード電極を有する発光素子と、上記基板の上記第１面の上方に設けられ、上記発光素子の発光状態に応じて上記第１トランジスタ及び上記第２トランジスタをオン状態又はオフ状態にする受光素子と、上記基板の上記第１面の上方に設けられ、上記発光素子の前記アノード電極に接続される第１フィルタ素子と、上記基板の上記第１面の上方に設けられ、上記発光素子の上記カソード電極に接続される第２フィルタ素子と、を備える。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を説明するための回路図。
実施形態に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
実施形態に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
第１変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第２変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第２変形例に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
第３変形例に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
第４変形例に係る半導体装置の構造の一例を示す斜視図。
第４変形例に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
その他の例に係る半導体装置の平面構造の一例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。なお、以下の説明において、同一の機能及び構成を有する構成要素については、共通する参照符号を付す。また、図面の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【０００８】
１実施形態
実施形態に係る半導体装置について説明する。
【０００９】
実施形態に係る半導体装置は、例えば、交流信号や直流信号を伝送するためのフォトリレー装置である。実施形態に係る半導体装置は、例えば電子部品のパッケージである。なお、以下の説明において、交流信号及び直流信号を単に信号とも呼ぶ。
【００１０】
実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例について、図１を用いて説明する。図１は、実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を説明するための回路図である。
（【００１１】以降は省略されています）

関連特許