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公開番号2025020773
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-13
出願番号2023124352
出願日2023-07-31
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 21/52 20060101AFI20250205BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、ペレットと、上記ペレットを第1方向に挟む第1導電体及び第2導電体と、上記ペレット及び上記第1導電体を接合する第1接合材と、上記ペレット及び上記第2導電体を接合する第2接合材と、を備え、上記第1導電体の上記ペレットと対向する第1面は、上記第1方向に見て、上記ペレットと重なる複数の突起、及び上記ペレットを囲むように設けられる溝を有し、上記複数の突起の高さの設計値は第1値であり、上記溝の体積は、上記ペレットと上記第1導電体との間の第1高さが上記第1値より大きい第2値である場合の、上記ペレットと上記第1導電体とにより挟まれた部分の体積に基づく。
【選択図】図4
特許請求の範囲【請求項１】
ペレットと、
前記ペレットを第１方向に挟む第１導電体及び第２導電体と、
前記ペレット及び前記第１導電体を接合する第１接合材と、
前記ペレット及び前記第２導電体を接合する第２接合材と、
を備え、
前記第１導電体の前記ペレットと対向する第１面は、前記第１方向に見て、前記ペレットと重なる複数の突起、及び前記ペレットを囲むように設けられる溝を有し、
前記複数の突起の高さの設計値は第１値であり、
前記溝の体積は、前記ペレットと前記第１導電体との間の第１高さが前記第１値より大きい第２値である場合の、前記ペレットと前記第１導電体とにより挟まれた部分の体積に基づく、
半導体装置。
続きを表示（約 880 文字）【請求項２】
前記溝の体積は、前記第１高さが前記第２値である場合の前記挟まれた部分の体積から、前記第１高さが前記第１値である場合の前記挟まれた部分の体積を減算した体積以上である、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第２値は、前記複数の突起の高さのばらつきにおける最大値である、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項４】
前記複数の突起は３個以上である、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第１導電体において、
前記ペレットより外側の第１部分の幅は、第１幅であり、
前記第１部分と異なる、前記ペレットより外側の第２部分の幅は、前記第１幅より狭い第２幅であり、
前記溝は、前記第１部分において、前記第２部分における前記溝の幅より広い幅を有する第１溝部分を含む、
請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１方向に見て、前記第１導電体における前記溝の内側の領域において、外周部に部分的に設けられた不濡れ領域、及び前記溝と接する濡れ領域が設けられる、
請求項１乃至請求項４のいずれか一項記載の半導体装置。
【請求項７】
前記不濡れ領域は、レジストの塗布、又は酸化処理が実行された領域である、
請求項６記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１方向に見て、前記第１導電体における前記溝の内側の領域において、外周部に部分的に設けられた不濡れ領域、及び前記第１溝部分と接する濡れ領域が設けられる、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項９】
前記不濡れ領域は、前記外周部において、前記濡れ領域を除いて全体的に設けられる、
請求項８記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１接合材及び前記第２接合材は、はんだを含む、
請求項１記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,300 文字）【背景技術】
【０００２】
接合材を介してペレットの上下面が導電体と接続される構造の半導体装置が知られている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１３－１６６０３号公報
特開２０１２－１０４７０９号公報
特開２００７－９６０４２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
信頼性の高い半導体装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態に係る半導体装置は、ペレットと、上記ペレットを第１方向に挟む第１導電体及び第２導電体と、上記ペレット及び上記第１導電体を接合する第１接合材と、上記ペレット及び上記第２導電体を接合する第２接合材と、を備え、上記第１導電体の上記ペレットと対向する第１面は、上記第１方向に見て、上記ペレットと重なる複数の突起、及び上記ペレットを囲むように設けられる溝を有し、上記複数の突起の高さの設計値は第１値であり、上記溝の体積は、上記ペレットと上記第１導電体との間の第１高さが上記第１値より大きい第２値である場合の、上記ペレットと上記第１導電体とにより挟まれた部分の体積に基づく。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
実施形態に係る半導体装置の外観の一例を示す斜視図。
実施形態に係る半導体装置の内部構造の一例を示す分解図。
実施形態に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
実施形態に係る半導体装置の断面構造の一例を示す、図３のＩＶ－ＩＶ線に沿った断面図。
第１変形例に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第２変形例に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
第３変形例に係る半導体装置の平面レイアウトの一例を示す平面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。図面の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【０００８】
なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。同様の構成を有する要素同士を特に区別する場合、同一符号の末尾に、互いに異なる文字又は数字を付加する場合がある。
【０００９】
１実施形態
実施形態に係る半導体装置について説明する。
【００１０】
図１は、実施形態に係る半導体装置の外観の一例を示す斜視図である。半導体装置１は、産業用のパワーデバイスである。半導体装置１は、例えば薄型の直方体形状を有する。以下では、半導体装置１の厚さ方向を、上下方向、又はＺ方向と呼ぶ。また、半導体装置１の構成要素が上下方向に対向する２面を有する場合、当該２面をそれぞれ下面及び上面と呼ぶ。また、Ｚ方向に垂直な平面内における、互いに垂直な２つの方向をＸ方向及びＹ方向と呼ぶ。
（【００１１】以降は省略されています）

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