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公開番号2025071614
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-05-08
出願番号2023181929
出願日2023-10-23
発明の名称ルテチウム-177の製造装置及び製造方法
出願人株式会社東芝,東芝エネルギーシステムズ株式会社
代理人弁理士法人サクラ国際特許事務所
主分類G21G 4/08 20060101AFI20250428BHJP(核物理;核工学)
要約【課題】イッテルビウムの混入を抑制することができるとともに、ルテチウム-177を高い回収率で製造することのできるルテチウム-177の製造装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】イッテルビウム標的に対し、荷電粒子を照射し、イッテルビウム中にイッテルビウム177を生成する照射機構と、荷電粒子を照射した照射済みの前記イッテルビウム標的を、溶解用の薬液により溶解して溶解液を得る溶解機構と、前記溶解液中からルテチウム-177とイッテルビウムとを分離して回収する分離回収機構と、を具備している。
【選択図】図1
特許請求の範囲【請求項１】
イッテルビウム標的に対し、荷電粒子を照射し、イッテルビウム中にイッテルビウム１７７を生成する照射機構と、
荷電粒子を照射した照射済みの前記イッテルビウム標的を、溶解用の薬液により溶解して溶解液を得る溶解機構と、
前記溶解液中からルテチウム－１７７とイッテルビウムとを分離して回収する分離回収機構と、
を具備したことを特徴とするルテチウム－１７７の製造装置。
続きを表示（約 1,200 文字）【請求項２】
請求項１に記載のルテチウム－１７７の製造装置であって、
前記溶解機構は、前記薬液に対する接液面積の制限、及び／又は、前記薬液の濃度の制御、により、溶存ルテチウム－１７７に対する溶存イッテルビウム量を抑制する
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造装置。
【請求項３】
請求項１又は２に記載のルテチウム－１７７の製造装置であって、
前記溶解機構の処理状況、及び／又は、前記分離回収機構の処理状況を、放射線計測器による放射線計測により監視し、当該監視結果に基づいて制御を行う
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造装置。
【請求項４】
請求項１又は２に記載のルテチウム－１７７の製造装置であって、
前記荷電粒子が、重陽子である
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造装置。
【請求項５】
請求項１又は２に記載のルテチウム－１７７の製造装置であって、
前記溶解機構は、前記イッテルビウム標的の一部を、溶解用の薬液により溶解して溶解液を得る
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造装置。
【請求項６】
イッテルビウム標的に対し、荷電粒子を照射し、イッテルビウム中にイッテルビウム１７７を生成する照射ステップと、
荷電粒子を照射した照射済みの前記イッテルビウム標的を、溶解用の薬液により溶解して溶解液を得る溶解ステップと、
前記溶解液中からルテチウム－１７７とイッテルビウムとを分離して回収する分離回収ステップと、
を具備したことを特徴とするルテチウム－１７７の製造方法。
【請求項７】
請求項６に記載のルテチウム－１７７の製造方法であって、
前記溶解ステップでは、前記薬液に対する接液面積の制限、及び／又は、前記薬液の濃度の制御、により、溶存ルテチウム－１７７に対する溶存イッテルビウム量を抑制する
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造方法。
【請求項８】
請求項６又は７に記載のルテチウム－１７７の製造方法であって、
前記溶解ステップの処理状況、及び／又は、前記分離回収ステップの処理状況を、放射線計測器による放射線計測により監視し、当該監視結果に基づいて制御を行う
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造方法。
【請求項９】
請求項６又は７に記載のルテチウム－１７７の製造方法であって、
前記荷電粒子が、重陽子である
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造方法。
【請求項１０】
請求項６又は７に記載のルテチウム－１７７の製造方法であって、
前記溶解ステップでは、前記イッテルビウム標的の一部を、溶解用の薬液により溶解して溶解液を得る
ことを特徴とするルテチウム－１７７の製造方法。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、ルテチウム－１７７の製造装置及び製造方法に関する。
続きを表示（約 1,600 文字）【背景技術】
【０００２】
放射性のルテチウム－１７７は、質量数１７６のイッテルビウムから質量数１７７のイッテルビウムを生成し、質量数１７７のイッテルビウムが質量数１７７のルテチウムに壊変することによって、得ることができる。
【０００３】
イッテルビウム中に僅かに生成したルテチウム－１７７を医療用放射線源として利用するためには、イッテルビウムからルテチウム－１７７を分離回収する必要がある。特許文献１では、イッテルビウムとルテチウムの沸点の違いを利用して加熱分離後、蒸留し回収する方法が記載されている。本手法では、処理温度が高いことに加え、キャリアフリーで極低濃度のルテチウムを分離回収することから回収率が安定しない課題がある。
【０００４】
また、非特許文献１には、イッテルビウム－１７６濃縮標的への中性子照射によって得られたルテチウム－１７７を、標的を全量溶解後、イオン交換樹脂へのイッテルビウム、ルテチウムの吸着特性の違いを利用し、カラム通液して分離回収する方法が記載されている。
【０００５】
さらに、非特許文献２には、イッテルビウム－１７６濃縮標的への中性子照射によって得られたルテチウム－１７７を、標的を全量溶解後、電気化学的手法により分離回収するとともに、廃溶液からイッテルビウムを回収し標的を再生する方法が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
特表２０２３－５２０８７８号公報
【非特許文献】
【０００７】
Ｄ．ＭｃＡｌｉｓｔｅｒ，“Ａｐｒｏｃｅｓｓｆｏｒｔｈｅｓｅｐａｒａｔｉｏｎｏｆ１７７Ｌｕｆｒｏｍｎｅｕｔｒｏｎｉｒｒａｄｉａｔｅｄ１７６Ｙｂｔａｒｇｅｔｓ”，ＲａｄｉａｔｉｏｎａｎｄＩｓｏｔｏｐｅｓ，６３（１）：２３－３６（２００５）．
Ｓ．Ｐａｔｒａｅｔａｌ．，“Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍｉｃａｌｓｅｐａｒａｔｉｏｎａｎｄｐｕｒｉｆｉｃａｔｉｏｎｏｆｎｏ－ｃａｒｒｉｅｒ－ａｄｄｅｄ１７７Ｌｕｆｏｒｒａｄｉｏｐｈａｒｍａｃｅｕｔｉｃａｌｐｒｅｐａｒａｔｉｏｎｆｒｏｍｂｅｎｃｈｔｏｂｅｄ”，ＣｈｅｍｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇＪｏｕｒｎａｌＡｄｖａｎｃｅｓ１４（２０２３）１００４４４．
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
イッテルビウムとルテチウムは、溶存イオンの形態など化学的性状が類似しており、ルテチウム－１７７の製造の際にイッテルビウムが混入する可能性があるが、イッテルビウムは、標識化合物生成時に不純物となるほか、イッテルビウムの標的再利用に関する経済性の観点から、ルテチウム－１７７の分離回収物へのイッテルビウムの混入を抑制することが課題となる。
【０００９】
本発明は上記課題を解決するためになされたものであり、イッテルビウムの混入を抑制することができるとともに、ルテチウム－１７７を高い回収率で製造することのできるルテチウム－１７７の製造装置及び製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の実施形態に係るルテチウム－１７７の製造装置は、イッテルビウム標的に対し、荷電粒子を照射し、イッテルビウム中にイッテルビウム１７７を生成する照射機構と、荷電粒子を照射した照射済みの前記イッテルビウム標的を、溶解用の薬液により溶解して溶解液を得る溶解機構と、前記溶解液中からルテチウム－１７７とイッテルビウムとを分離して回収する分離回収機構と、を具備したことを特徴とする。
（【００１１】以降は省略されています）

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