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公開番号2025020879
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-02-13
出願番号2023124505
出願日2023-07-31
発明の名称半導体装置
出願人株式会社東芝,東芝デバイス&ストレージ株式会社
代理人弁理士法人鈴榮特許綜合事務所
主分類H01L 25/07 20060101AFI20250205BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】温度上昇を抑制する。
【解決手段】一実施形態の半導体装置は、ベース基板と、ベース基板の上面上に設けられたケースと、ベース基板の上面上のうちケースの内側に設けられた第1積層体と、ベース基板の上面上のうち第1積層体と離れて設けられた第2積層体と、第1積層体に接する第1部分と、第2積層体に接する第2部分と、を有する平板状の第1導電体と、を備える。第1積層体は、第1絶縁体、第1絶縁体の上面上に設けられて第1導電体の第1部分に接する第2導電体、及び第2導電体と電気的に接続された第1半導体素子を含む。第2積層体は、第2絶縁体、及び第2絶縁体の上面上に設けられて第1導電体の第2部分に接する第3導電体を含み、かつ半導体素子を含まない。
【選択図】図3
特許請求の範囲【請求項１】
ベース基板と、
前記ベース基板の上面上に設けられたケースと、
前記ベース基板の上面上のうち前記ケースの内側に設けられた第１積層体と、
前記ベース基板の上面上のうち前記第１積層体と離れて設けられた第２積層体と、
前記第１積層体に接する第１部分と、前記第２積層体に接する第２部分と、を有する平板状の第１導電体と、
を備え、
前記第１積層体は、第１絶縁体、前記第１絶縁体の上面上に設けられて前記第１導電体の前記第１部分に接する第２導電体、及び前記第２導電体と電気的に接続された第１半導体素子を含み、
前記第２積層体は、第２絶縁体、及び前記第２絶縁体の上面上に設けられて前記第１導電体の前記第２部分に接する第３導電体を含み、かつ半導体素子を含まない、
半導体装置。
続きを表示（約 600 文字）【請求項２】
前記第２積層体は、前記第１積層体と前記ケースとの間に位置する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１導電体の前記第１部分に接する第３部分と、前記ケースの上面に位置して端子として機能する第４部分と、を有する第４導電体を更に備えた、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第１導電体は、前記ケースの上面に位置して端子として機能する第５部分を更に有する、
請求項２記載の半導体装置。
【請求項５】
前記第２積層体は、前記ケースの内部に位置する、
請求項１記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第１導電体の前記第２部分は、前記ケースの上面上に位置して端子として機能する、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第１導電体の前記第２部分は、前記ケースの内側の面を通過して前記第３導電体と接し、
前記第１導電体及び前記第３導電体は、連続した１個の部材である、
請求項５記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第２絶縁体の材料は、前記第１絶縁体の材料と異なる、
請求項７記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第２絶縁体の材料は、前記第１絶縁体の材料と略等しい、
請求項７記載の半導体装置。

発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
実施形態は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 1,500 文字）【背景技術】
【０００２】
高出力を実現する半導体装置として、パワーモジュールが知られている。パワーモジュールは、複数のパワー半導体が集積された１個のパッケージとして構成される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
国際公開第２０１６／０５６５３２号
特開２０１６－７６５６３号公報
特開２０１０－３５３４６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
温度上昇を抑制する。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
実施形態の半導体装置は、ベース基板と、上記ベース基板の上面上に設けられたケースと、上記ベース基板の上面上のうち上記ケースの内側に設けられた第１積層体と、上記ベース基板の上面上のうち上記第１積層体と離れて設けられた第２積層体と、上記第１積層体に接する第１部分と、上記第２積層体に接する第２部分と、を有する平板状の第１導電体と、を備える。上記第１積層体は、第１絶縁体、上記第１絶縁体の上面上に設けられて上記第１導電体の上記第１部分に接する第２導電体、及び上記第２導電体と電気的に接続された第１半導体素子を含む。上記第２積層体は、第２絶縁体、及び上記第２絶縁体の上面上に設けられて上記第１導電体の上記第２部分に接する第３導電体を含み、かつ半導体素子を含まない。
【図面の簡単な説明】
【０００６】
第１実施形態に係る半導体装置の外部構造を示す斜視図。
第１実施形態に係る半導体装置の回路構成の一例を示す回路図。
第１実施形態に係る半導体装置の断面構造の第１例を示す断面図。
第１実施形態に係る半導体装置の断面構造の第２例を示す断面図。
第２実施形態に係る半導体装置の断面構造の第１例を示す断面図。
第２実施形態に係る半導体装置の断面構造の第２例を示す断面図。
第３実施形態に係る半導体装置の断面構造の第１例を示す断面図。
第３実施形態に係る半導体装置の断面構造の第２例を示す断面図。
第４実施形態に係る半導体装置の断面構造の第１例を示す断面図。
第４実施形態に係る半導体装置の断面構造の第２例を示す断面図。
第５実施形態に係る半導体装置の断面構造の第１例を示す断面図。
第５実施形態に係る半導体装置の断面構造の第２例を示す断面図。
第１変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す断面図。
第２変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す断面図。
第３変形例に係る半導体装置の断面構造の一例を示す断面図。
【発明を実施するための形態】
【０００７】
以下に、実施形態について図面を参照して説明する。図面の寸法及び比率は、必ずしも現実のものと同一とは限らない。
【０００８】
なお、以下の説明において、略同一の機能及び構成を有する構成要素については、同一符号を付す。同様の構成を有する要素同士を特に区別する場合、同一符号の末尾に、互いに異なる文字又は数字を付加する場合がある。
【０００９】
１．第１実施形態
第１実施形態に係る半導体装置について説明する。
【００１０】
第１実施形態に係る半導体装置は、パワーモジュールである。第１実施形態に係る半導体装置は、例えば、鉄道車両用の電力変換装置、又は産業用機器等のパワーユニットに適用される。
（【００１１】以降は省略されています）

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