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公開番号2025032733
公報種別公開特許公報(A)
公開日2025-03-12
出願番号2023138189
出願日2023-08-28
発明の名称半導体装置
出願人住友電工デバイス・イノベーション株式会社
代理人弁理士法人片山特許事務所
主分類H01L 21/60 20060101AFI20250305BHJP(基本的電気素子)
要約【課題】ボンディングワイヤの検査が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、ベース11と、前記ベース上に設けられた半導体チップ20を含む1または複数のチップと、前記1または複数のチップの少なくとも1つのチップに接続される第1ボンディングワイヤ32と、前記ベースの厚さ方向から見て前記第1ボンディングワイヤの延伸方向と交差する方向に延伸する第2ボンディングワイヤ41から44と、前記ベース上に設けられ、前記1または複数のチップ、前記第1ボンディングワイヤおよび前記第2ボンディングワイヤを封止する樹脂層と、前記第1ボンディングワイヤと前記第2ボンディングワイヤとは接触しておらず、前記第1ボンディングワイヤが前記第2ボンディングワイヤの方に傾いたときに、前記第1ボンディングワイヤは前記第2ボンディングワイヤに接触可能である。
【選択図】図3

特許請求の範囲【請求項１】
ベースと、
前記ベース上に設けられた半導体チップを含む１または複数のチップと、
前記１または複数のチップの少なくとも１つのチップに接続される第１ボンディングワイヤと、
前記ベースの厚さ方向から見て前記第１ボンディングワイヤの延伸方向と交差する方向に延伸する第２ボンディングワイヤと、
前記ベース上に設けられ、前記１または複数のチップ、前記第１ボンディングワイヤおよび前記第２ボンディングワイヤを封止する樹脂層と、
前記第１ボンディングワイヤと前記第２ボンディングワイヤとは接触しておらず、前記第１ボンディングワイヤが前記第２ボンディングワイヤの方に傾いたときに、前記第１ボンディングワイヤは前記第２ボンディングワイヤに接触可能である半導体装置。
続きを表示（約 960 文字）【請求項２】
前記第１ボンディングワイヤに直流的に接続される第１端子と、
前記第２ボンディングワイヤに直流的に接続される第２端子と、
を備え、
前記第１端子と前記第２端子とは直流的に接続されていない請求項１に記載の半導体装置。
【請求項３】
前記第１ボンディングワイヤが前記ベースの厚さ方向から前記第２ボンディングワイヤの方に４５°以上傾いたときに、前記第１ボンディングワイヤは前記第２ボンディングワイヤに接触可能である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項４】
前記第２ボンディングワイヤのうち前記ベースから最も遠い点は、前記ベースの厚さ方向から見て前記第２ボンディングワイヤを３分割したときに、３分割された部分のうち前記第１ボンディングワイヤに最も近い部分に位置する請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項５】
前記ベースの厚さ方向から見て、前記第１ボンディングワイヤの延伸する方向と前記第２ボンディングワイヤの延伸する方向とのなす角度は４５°以上である請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項６】
前記第２ボンディングワイヤは、前記第１ボンディングワイヤを挟むように少なくとも２つ設けられている請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項７】
前記第２ボンディングワイヤの両端は、前記ベースに接合される請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項８】
前記第１ボンディングワイヤの両端は前記１または複数のチップのうち１つのチップ上に接合され、
前記第２ボンディングワイヤの両端のうち前記第１ボンディングワイヤに近い方の第１端は前記１つのチップ上に接合されている請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項９】
前記第１ボンディングワイヤは、信号を伝送するボンディングワイヤのうち最も長い請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
【請求項１０】
前記第１ボンディングワイヤは高周波信号を伝送する請求項１または請求項２に記載の半導体装置。
（【請求項１１】以降は省略されています）
発明の詳細な説明【技術分野】
【０００１】
本開示は、半導体装置に関する。
続きを表示（約 3,200 文字）【背景技術】
【０００２】
導電性のベース上にチップを実装し、チップにボンディングワイヤを接続することが知られている(例えば特許文献１)
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
特開２０１８－１１３２８４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
チップとボンディングワイヤを樹脂封止するときに、ボンディングワイヤの形状が変わると、特性が変化してしまう。封止樹脂内のボンディングワイヤの形状を検査するために、Ｘ線透過検査装置を用いると、製造工数が増大する。
【０００５】
本開示は、上記課題に鑑みなされたものであり、ボンディングワイヤの検査を可能とすることを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本開示の一実施形態は、ベースと、前記ベース上に設けられた半導体チップを含む１または複数のチップと、前記１または複数のチップの少なくとも１つのチップに接続される第１ボンディングワイヤと、前記ベースの厚さ方向から見て前記第１ボンディングワイヤの延伸方向と交差する方向に延伸する第２ボンディングワイヤと、前記ベース上に設けられ、前記１または複数のチップ、前記第１ボンディングワイヤおよび前記第２ボンディングワイヤを封止する樹脂層と、前記第１ボンディングワイヤと前記第２ボンディングワイヤとは接触しておらず、前記第１ボンディングワイヤが前記第２ボンディングワイヤの方に傾いたときに、前記第１ボンディングワイヤは前記第２ボンディングワイヤに接触可能である半導体装置である。
【発明の効果】
【０００７】
本開示によれば、ボンディングワイヤの検査を可能とすることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００８】
図１は、実施例１に係る半導体装置の平面図である。
図２は、図１のＡ－Ａ断面図である。
図３は、図１のＢ－Ｂ断面図である。
図４は、実施例１に係る半導体装置における１個のセットの回路図である。
図５は、実施例１に係る半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。
図６は、比較例１に係る半導体装置の断面図である。
図７は、図６のＡ－Ａ断面図である。
図８は、実施例１に係る半導体装置の断面図である。
図９は、実施例１におけるボンディングワイヤのＹ方向から見た側面図である。
図１０は、実施例１におけるボンディングワイヤのＸ方向から見た側面図である。
図１１は、実施例１におけるボンディングワイヤの平面図である。
図１２は、実施例１におけるボンディングワイヤの平面図である。
図１３は、実施例２に係る半導体装置の平面図である。
図１４は、図１３のＡ－Ａ断面図である。
図１５は、実施例２に係る半導体装置における１個のセットの回路図である。
図１６は、実施例３に係る半導体装置の平面図である。
【発明を実施するための形態】
【０００９】
［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施形態の内容を列記して説明する。
（１）本開示の一実施形態は、ベースと、前記ベース上に設けられた半導体チップを含む１または複数のチップと、前記１または複数のチップの少なくとも１つのチップに接続される第１ボンディングワイヤと、前記ベースの厚さ方向から見て前記第１ボンディングワイヤの延伸方向と交差する方向に延伸する第２ボンディングワイヤと、前記ベース上に設けられ、前記１または複数のチップ、前記第１ボンディングワイヤおよび前記第２ボンディングワイヤを封止する樹脂層と、前記第１ボンディングワイヤと前記第２ボンディングワイヤとは接触しておらず、前記第１ボンディングワイヤが前記第２ボンディングワイヤの方に傾いたときに、前記第１ボンディングワイヤは前記第２ボンディングワイヤに接触可能である半導体装置である。これにより、第１ボンディングワイヤの傾きを検出できる。
（２）上記（１）において、前記第１ボンディングワイヤに直流的に接続される第１端子と、前記第２ボンディングワイヤに直流的に接続される第２端子と、を備え、前記第１端子と前記第２端子とは直流的に接続されていなくてもよい。これにより、第１ボンディングワイヤの傾きを検出できる。
（３）上記（１）または（２）において、前記第１ボンディングワイヤが前記ベースの厚さ方向から前記第２ボンディングワイヤの方に４５°以上傾いたときに、前記第１ボンディングワイヤは前記第２ボンディングワイヤに接触可能であってもよい。これにより、第１ボンディングワイヤの傾きを検出できる。
（４）上記（１）から（３）のいずれかにおいて、前記第２ボンディングワイヤのうち前記ベースから最も遠い点は、前記ベースの厚さ方向から見て前記第２ボンディングワイヤを３分割したときに、３分割された部分のうち前記第１ボンディングワイヤに最も近い部分に位置してもよい。これにより、第１ボンディングワイヤの傾きを検出できる。
（５）上記（１）から（４）のいずれかにおいて、前記ベースの厚さ方向から見て、前記第１ボンディングワイヤの延伸する方向と前記第２ボンディングワイヤの延伸する方向とのなす角度は４５°以上であってもよい。これにより、第１ボンディングワイヤの特性への第２ボンディングワイヤの影響を小さくできる。
（６）上記（１）から（５）のいずれかにおいて、前記第２ボンディングワイヤは、前記第１ボンディングワイヤを挟むように少なくとも２つ設けられていてもよい。これにより、第１ボンディングワイヤのいずれの方向への傾きも検出できる。
（７）上記（１）から（６）のいずれかにおいて、前記第２ボンディングワイヤの両端は、前記ベースに接合されてもよい。これにより、第２ボンディングワイヤを基準電位にすることができる。
（８）上記（１）から（７）のいずれかにおいて、前記第１ボンディングワイヤの両端は前記１または複数のチップのうち１つのチップ上に接合され、前記第２ボンディングワイヤの両端のうち前記第１ボンディングワイヤに近い方の第１端は前記１つのチップ上に接合されていてもよい。これにより、チップ上に接合された第１ボンディングワイヤの傾きを検出できる。
（９）上記（１）から（８）のいずれかにおいて、前記第１ボンディングワイヤは、信号を伝送するボンディングワイヤのうち最も長くてもよい。これにより、傾きやすい第１ボンディングワイヤの傾きを検出できる。
（１０）上記（１）から（９）のいずれかにおいて、前記第１ボンディングワイヤは高周波信号を伝送してもよい。これにより、第１ボンディングワイヤの高周波特性の変化を検出できる。
（１１）上記（１０）において、前記１または複数のチップは、前記半導体チップと受動素子チップとを含み、前記第１ボンディングワイヤは、前記半導体チップと前記受動素子チップとを電気的に接続してもよい。これにより、調整の難しい第１ボンディングワイヤの傾きを検出できる。
【００１０】
［本開示の実施形態の詳細］
本開示の実施形態にかかる半導体装置の具体例を、以下に図面を参照しつつ説明する。なお、本開示はこれらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
（【００１１】以降は省略されています）

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